The invention discloses a silicon wafer preparation device and method, which comprises a device body, the device body is provided with a roof, crystal rose rotating mechanism, protects the cavity, sling, isolation valve, seed clamp, clamp, clamp quartz pot graphite pot, silicon solution, heating components, vacuum pump electrode clamp up pot rotating mechanism, argon nozzle, control system, device body and a lower furnace cavity, an insulating layer, diameter control sensor and preparation box, the invention has reasonable design, extraction, production of monocrystalline silicon prepared by silicon elements were first extracts of monocrystalline silicon, monocrystalline silicon by elements after extraction, production the use of equipment preparation of the silicon wafer, the invention can improve the production quality of monocrystalline silicon and monocrystalline silicon chip production process, to speed up the efficiency of making silicon wafer.
【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片的制备装置及制备方法
本专利技术涉及单晶硅片的制备
,具体为一种单晶硅片的制备装置及制备方法。
技术介绍
近年来,作为硅晶片原料的单晶硅多通过CZ法来制备。CZ法是如下方法:将晶种浸渍于石英坩埚内所容纳的硅熔体的液面内,缓慢地提拉晶种,由此育成具有与晶种相同的结晶方向的单晶硅。近年来,随着提拉的单晶硅的大口径化,气泡掺入正在生长的单晶中而在单晶中产生针孔或位错的问题渐渐变得引人注目。一般认为,硅熔体中溶解的氩(Ar)气体或因石英坩埚与硅熔体的反应而产生的一氧化硅(SiO)气体等的气体以在石英坩埚内表面形成的瑕疵为起点聚集,因而产生气泡,从坩埚内表面脱离的气泡从硅熔体中上浮并掺入单晶中。针孔是还称作气袋的球状结晶缺陷(空洞缺陷),大小多为300~500μm,但也有150μm以下的非常小的针孔或1mm以上的非常大的针孔。本专利技术与单晶硅片的制备方法有关,特别是关于一种单晶硅片的制备装置及制备方法。
技术实现思路
本实专利技术的目的在于提供一种单晶硅片的制备装置及制备方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种单晶硅片的制备装置及制备方法,包括制作本体,所述制作本体的顶部设有顶板,所述顶板的下方设有晶种上升旋转机构,所述晶种上升旋转机构的下方设有上护腔,上护腔的下方设有隔离阀,隔离阀的侧面设有直径控制传感器,所述隔离阀的下方设有制备箱,所述制备箱的下方设有钳锅上升旋转机构,制备箱的侧面设有控制系统,所述制备箱的底部设有钳锅上升旋转机构,控制系统通过导线一端与直径控制传感器连接,控制系统的另一端与钳锅上升旋 ...
【技术保护点】
一种单晶硅片的制备装置,包括制作本体,其特征在于:所述制作本体的顶部设有顶板(1),所述顶板(1)的下方设有晶种上升旋转机构(2),所述晶种上升旋转机构(2)的下方设有上护腔(3),上护腔(3)的下方设有隔离阀(5),隔离阀(5)的侧面设有直径控制传感器(19),所述隔离阀(5)的下方设有制备箱(20),所述制备箱(20)的下方设有钳锅上升旋转机构(13),制备箱(20)的侧面设有控制系统(15),所述制备箱(20)的底部设有钳锅上升旋转机构(13),控制系统(15)通过导线一端与直径控制传感器(19)连接,控制系统(15)的另一端与钳锅上升旋转机构(13)连接。
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片的制备装置,包括制作本体,其特征在于:所述制作本体的顶部设有顶板(1),所述顶板(1)的下方设有晶种上升旋转机构(2),所述晶种上升旋转机构(2)的下方设有上护腔(3),上护腔(3)的下方设有隔离阀(5),隔离阀(5)的侧面设有直径控制传感器(19),所述隔离阀(5)的下方设有制备箱(20),所述制备箱(20)的下方设有钳锅上升旋转机构(13),制备箱(20)的侧面设有控制系统(15),所述制备箱(20)的底部设有钳锅上升旋转机构(13),控制系统(15)通过导线一端与直径控制传感器(19)连接,控制系统(15)的另一端与钳锅上升旋转机构(13)连接。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置,其特征在于:所述制备箱(20)的右侧面设有真空泵(11),所述制备箱(20)的底部设有电极(12)。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置,其特征在于:所述晶种上升旋转机构(2)的侧面设有氩气嘴(14)。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片的制备装置,其特征在于:所述制备箱(20)的内部中间上方设有晶种夹(6),所述晶种夹(6)的下方设有石墨钳锅(8),所述石墨钳锅(8)的内部设有石英钳锅(7),石英钳锅(7)的内部为硅溶液(9)。5.根据权利要求4所述的一种单晶硅片的制备装置,其特征在于:所述石墨钳锅(8)的两侧设有加热组件(10),所述加热组件(10)的两侧设有绝缘层(18),所述绝缘层(...
【专利技术属性】
技术研发人员:周士杰,陈圣铁,
申请(专利权)人:温州隆润科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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