一种用于化学气相沉积工艺的举升托棒制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于化学气相沉积工艺的举升托棒，包括固定柱和支撑头；支撑头位于固定柱的上方；支撑头的上表面设有凸点阵列；凸点阵列由球形凸起组成。本实用新型专利技术提供的用于化学气相沉积工艺的举升拖棒，通过在支撑头的上表面设置凸点阵列，减少举升托棒与芯片或者玻璃基板的接触面积，使得化学气相沉积时，芯片或者玻璃基板温度分布均匀。使用本实用新型专利技术提供的用于化学气相沉积工艺的举升拖棒，芯片或者玻璃基板的薄膜沉积层的膜厚均匀，不存在环状沉积膜圈的异常情况。

Lifting support rod for chemical vapor deposition process

The utility model provides a lift for chemical vapor deposition process supporting rods, including fixed columns and support head; head support is located above the fixed column; the support head is arranged on the upper surface of the bump array; bump array composed of spherical convex form. The utility model provides a chemical vapor deposition process used to lift drag rod, through bump array formed on the surface of the supporting head, reduces the contact area of the supporting bars and lifting the chip or glass substrate, the chemical vapor deposition, chip or glass substrate temperature distribution. The film thickness of the film deposition layer of the chip or glass substrate provided by the utility model is uniform for the chemical vapor deposition process, and the abnormal condition of the annular deposition film ring is not existed.

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学气相沉积工艺的举升托棒
本技术实施例涉及化学沉积生产工艺设备技术，特别涉及一种用于化学气相沉积工艺的举升托棒。
技术介绍
化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。现有技术中，用于集成电路与薄膜电晶体液晶显示器薄膜沉积工艺中的举升托棒主要分为两种，其中一种是整支由陶瓷(如：氧化铝或氧化锆)加工制作而得，利用举升托棒支撑头的平面来支撑芯片或玻璃基板；另一种则是在陶瓷主体上镶入一个经过阳极绝缘处理过的铝金属支撑头，并用铆钉将两者组合固定而组成，也是利用托棒支撑头的平面来支撑芯片或玻璃基板。上述两种现有技术都会因为在高温等离子环境下因为托撑头的聚热与散热不良，造成支撑头与芯片或玻璃基板接触面四周的玻璃基板上的温度不一致，进一步造成薄膜沉积速度与没有托住的位置不一致，并产生环状沉积膜圈的异常状况。另一方便，使用第二种经过阳极绝缘处理过的金属铝头配上陶瓷棒组合后使用，虽然金属铝的导热较好，可以改善环状的沉积膜异常状况，但是铝材质在高温环境中容易变形，因此使用寿命短。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供一种用于化学气相沉积工艺的举升托棒，包括固定柱和支撑头；所述支撑头位于所述固定柱的上方；所述支撑头的上表面设有凸点阵列；所述凸点阵列由球形凸点起组成。进一步地，所述固定柱和所述支撑头均由碳化硅，氮化铝或者氮化硅中的其中一种材料制成。本技术提供的用于化学气相沉积工艺的举升拖棒，通过在支撑头的上表面设置凸点阵列，减少举升托棒与芯片或者玻璃基板的接触面积，使得化学气相沉积时，芯片或者玻璃基板温度分布均匀。使用本技术提供的用于化学气相沉积工艺的举升拖棒，芯片或者玻璃基板的薄膜沉积层的膜厚均匀，不存在环状沉积膜圈的异常情况。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术提供的用于化学气相沉积工艺的举升托棒结构示意图。附图标记：10固定柱20支撑头30球形凸起具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1为本技术提供的用于化学气相沉积工艺的举升托棒结构示意图，如图1所示：用于化学气相沉积工艺的举升托棒，包括固定柱10和支撑头20；所述支撑头20位于所述固定柱10的上方；所述支撑头20的上表面设有凸点阵列；所述凸点阵列由球形凸起30组成。具体实施时，在举升拖棒上设置固定柱10，用于将支撑头20固定于升降机构上；在支撑头20的上表面设置由球形凸起30组成的凸点阵列，多个球形凸起30的顶点形成平面，支撑头20支撑芯片或者玻璃基板时，支撑头20与芯片或者玻璃基板的接触面积较小，使得化学气相沉积时，芯片或者玻璃基板温度分布均匀；另一方面，支撑头20能稳定地支撑住芯片或者玻璃基板。本技术提供的用于化学气相沉积工艺的举升拖棒，通过在支撑头的上表面设置凸点阵列，多个球形凸起的顶点形成平面，支撑头支撑芯片或者玻璃基板时，举升托棒与芯片或者玻璃基板的接触面积较小，使得化学气相沉积时，芯片或者玻璃基板温度分布均匀。使用本技术提供的用于化学气相沉积工艺的举升拖棒，芯片或者玻璃基板的薄膜沉积层的膜厚均匀，不存在环状沉积膜圈的异常情况。优选地，所述固定柱10和所述支撑头20均由碳化硅，氮化铝或者氮化硅中的其中一种材料一体加工制成。具体实施时，氮化铝的导热系数为180W/m·k～260W/m·k，碳化硅与氮化硅的导热系数为230W/m·k，这三种陶瓷材料的导热性能较好，且陶瓷材料可作镜面抛光处理，耐磨性好，长期使用，支撑头20表面的球形凸起30不会产生变形及毛刺，不会刮伤芯片或者玻璃基板。尽管本文中较多的使用了诸如固定柱，支撑头，球形凸起等术语，但是并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本技术的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本技术精神相违背的。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学气相沉积工艺的举升托棒，其特征在于：包括固定柱(10)和支撑头(20)；所述支撑头(20)位于所述固定柱(10)的上方；所述支撑头(20)的上表面设有凸点阵列；所述凸点阵列由球形凸起(30)组成。

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积工艺的举升托棒，其特征在于：包括固定柱(10)和支撑头(20)；所述支撑头(20)位于所述固定柱(10)的上方；所述支撑头(20)的上表面设有凸点阵列；所述凸点阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺照纲，
申请(专利权)人：鋐源光电科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35