新颖的聚硅氧烷遮光剂制造技术

本发明专利技术涉及以聚硅氧烷为基础的新颖的遮光剂、它们的制备及用途，特别是在用于防护阳光的有害效应的配方中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
聚硅氧烷，其特征在于，每个分子中具有以下结构单元：　　　　一个式（Ｈ↓［３］Ｃ）↓［３］－Ｓｉ－　　（Ⅰ）的单元；　　　　一个式－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）↓［３］　　（Ⅱ）的单元；　　　　至少两个选自（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）和（Ｄ）组的单元，其中　　　　（Ａ）为０到１００个，优选地５到６０个以任意顺序的下述单元，所述单元彼此相同或不同，并选自式　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）［ＣＨ（ＣＨ↓［３］）Ｒ↑［１］］－　　（Ⅲａ）、　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）（ＣＨ↓［２］－ＣＨ↓［２］－Ｒ↑［１］）－　　（Ⅲｂ）、　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）［Ｃ（＝ＣＨ↓［２］）Ｒ↑［１］］－　　（Ⅲｃ），和　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）（ＣＨ＝ＣＨ－Ｒ↑［１］）－　　（Ⅲｄ），　　　　（Ｂ）为０到１００个，优选地５到６０个以任意顺序的下述单元，所述单元彼此相同或不同，并选自式　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）［ＣＨ（ＣＨ↓［３］）Ｒ↑［２］］－　　（Ⅳａ）、　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）（ＣＨ↓［２］－ＣＨ↓［２］－Ｒ↑［２］）－　　（Ⅳｂ）、　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）［Ｃ（＝ＣＨ↓［２］）Ｒ↑［２］］－　　（Ⅳｃ），和　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）（ＣＨ＝ＣＨ－Ｒ↑［２］）－　　（Ⅳｄ），　　　　（Ｃ）为０到１００个，优选地５到６０个以任意顺序的下述单元，所述单元彼此相同或不同，并选自式　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）［ＣＨ（ＣＨ↓［３］）Ｒ↑［３］］－　　（Ⅴａ）、　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）（ＣＨ↓［２］－ＣＨ↓［２］－Ｒ↑［３］）－　　（Ⅴｂ）、　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）［Ｃ（＝ＣＨ↓［２］）Ｒ↑［３］］－　　（Ⅴｃ），和　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）（ＣＨ＝ＣＨ－Ｒ↑［３］）－　　（Ⅴｄ），　　　　（Ｄ）为０到１００个，优选地５到６０个以任意顺序的下述单元，所述单元彼此相同或不同，并选自式　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）［ＣＨ（ＣＨ↓［３］）Ｒ↑［４］］－　　（Ⅵａ）、　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）（ＣＨ↓［２］－ＣＨ↓［２］－Ｒ↑［４］）－　　（Ⅵｂ）、　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）［Ｃ（＝ＣＨ↓［２］）Ｒ↑［４］］－　　（Ⅵｃ），和　　　　－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ↓［３］）（ＣＨ＝ＣＨ－Ｒ↑［４］）－　　（Ⅵｄ）；　　　　１－２００个，优选地５到８０个以任意顺序的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡特加比格舒尔茨，亚历山大波斯卡罗，于尔根H沃勒哈特，
申请(专利权)人：帝斯曼知识产权资产管理有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]