发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置，该发光二极管包括：第一半导体结构，具有上表面及下表面，其中上表面上依序设有第二半导体层及第一电极，其中下表面上依序设有第三半导体层及第二电极；二发光层，分别设置于该上表面与该第二半导体层之间，以及该下表面与该第三半导体层之间。

Light emitting diode and display device using the same

The present invention discloses the light emitting diode display device and the system using a light emitting diode, the light emitting diode includes a first semiconductor structure having a top surface and a bottom surface of the upper surface, which are sequentially arranged on a second semiconductor layer and the first electrode, which are sequentially arranged on a lower surface of the third semiconductor layer and the two electrode; two the emitting layer, respectively arranged between the upper surface and the second semiconductor layer, and the lower surface of the semiconductor layer between third.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置
本专利技术涉及一种二极管及使用此二极管所制得的显示装置，且特别是涉及一种发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置。
技术介绍
随着数字科技的发展，显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、移动电话、智能型手机等现代化信息设备，且此显示装置不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此显示装置包括发光二极管显示装置。发光二极管(LEDs)是利用p-n接面中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接带隙材料(directbandgapmaterial)形成的顺向偏压的P-N接面中，注入空乏区中的电子-空穴对的再结合产生电磁辐射。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区，且具有不同带隙的材料会形成不同颜色的发光二极管。在现今发光二极管显示装置产业都朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何发光二极管显示装置的良率的提升都可带来巨大的经济效益。然而，目前的显示装置并非各方面都令人满意。因此，业界仍需一种可更进一步提升良率的发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管，包括：第一半导体结构，具有上表面及下表面，其中上表面上依序设有第二半导体层及第一电极，其中下表面上依序设有一第三半导体层及一第二电极；二发光层，分别设置于该上表面与该第二半导体层之间，以及该下表面与该第三半导体层之间，其中，该第一半导体结构具有一第一导电型态，该第二半导体层与该第三半导体层分别具有一第二导电型态，且该第一导电型态不同于该第二导电型态。本专利技术还提供一种显示装置，包括：薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板包括：基板；薄膜晶体管，设于基板上；共用电极，设于基板上；及如权利要求1所述的发光二极管，设于基板上，其中发光二极管的第一半导体结构电连接薄膜晶体管或共用电极两者的其中之一，而第二半导体层与该第三半导体层电连接薄膜晶体管或共用电极两者的其中的另一。为让本专利技术的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。附图说明图1A为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图1B为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图1C为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图1D为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图1E为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图1F为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图1G为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图1H为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图1I为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图1J为本专利技术另一实施例的显示装置的剖视图；图1K为本专利技术另一实施例的显示装置的剖视图；图1L为本专利技术另一些实施例所述的发光二极管的剖视图；图1M为本专利技术另一些实施例所述的发光二极管的上视图；图2A为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图2B为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图2C为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图2D为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图2E为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图2F为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图2G为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图2H为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图2I为本专利技术另一些实施例所述的发光二极管的剖视图；图2J为本专利技术另一些实施例所述的发光二极管的剖视图；图2K为本专利技术另一些实施例所述的发光二极管的上视图；图3A为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图3B为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图3C为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图3D为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图3E为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图3F为本专利技术一些实施例所述的发光二极管的制造方法其中一步骤的发光二极管的剖视图；图3G为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图3H为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图3I为本专利技术一些实施例所述的显示装置的制造方法其中一步骤的显示装置的剖视图；图3J为本专利技术另一些实施例所述的发光二极管的剖视图；图3K为本专利技术另一些实施例所述的发光二极管的剖视图；图3L为本专利技术另一些实施例所述的发光二极管的上视图。符号说明100基板；102堆叠；104A第一半导体层；104A1上表面；104A2下表面；104B第一半导体层；106A第二半导体层；106B第三半导体层；108A发光层；108B发光层；110A第一电极；110B第二电极；110C第三电极；110D第三电极；110E第三电极；110F第三电极；110G第三电极；110H第三电极；110I第三电极；110J第三电极；112承载基板；113A发光二极管；113A’发光二极管；113B发光二极管；113B’发光二极管；113B”发光二极管；113C发光二极管；113C’发光二极管；113C”发光二极管；114薄膜晶体管基板；115基板；116晶体管；118栅极电极；120栅极介电层；122半导体层；124源极电极；126漏极电极；128共同电极；130图案化绝缘层；132A导电粘着层；132B导电粘着层；132C导电粘着层；132D导电粘着层；132E导电粘着层；132F导电粘着层；132G导电粘着层；134图案化绝缘层；136A导电层；136B导电层；136C导电层；136D导电层；138基板；140显示装置；142显示装置；144彩色滤光层；146显示装置；148量子点薄膜；150A第一子基板；150B第二子基板；152A发光单元；152B发光单元；152C发光单元；152D发光单元；154导电粘着层；156基板；158图案化绝缘层；160显示装置；162基板；164导电粘着层；166图案化绝缘层；168显示装置；170填充层；172填充层。具体实施方式以下针对本专利技术的发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本专利技术的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本专利技术。当然，这些仅用以举例而非本专利技术的限定。此外，在不同实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：第一半导体结构，具有一上表面及一下表面，第二半导体层，设置于该上表面；第三半导体层，设置于该下表面；二发光层，分别设置于该上表面与该第二半导体层之间，以及该下表面与该第三半导体层之间；以及第一电极，设置于该第二半导体层上；第二电极，设置于该第三半导体层上；其中，该第一半导体结构具有一第一导电型态，该第二半导体层与该第三半导体层分别具有一第二导电型态，且该第一导电型态不同于该第二导电型态。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：第一半导体结构，具有一上表面及一下表面，第二半导体层，设置于该上表面；第三半导体层，设置于该下表面；二发光层，分别设置于该上表面与该第二半导体层之间，以及该下表面与该第三半导体层之间；以及第一电极，设置于该第二半导体层上；第二电极，设置于该第三半导体层上；其中，该第一半导体结构具有一第一导电型态，该第二半导体层与该第三半导体层分别具有一第二导电型态，且该第一导电型态不同于该第二导电型态。2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该第一半导体结构包括：第一半导体层。3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，该第一导电型态为一P型，且该第二导电型态为一N型。4.如权利要求2所述的发光二极管，其中在一通过该上表面与该下表面的剖面上，该第二半导体层在邻近该上表面的一边界上具有一第一宽度，且在邻近该第一电极的一边界上具有一第二宽度，其中，该第一宽度大于该第二宽度。5.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该第一半导体结构包括：二第一半导体层；导电粘着层，位于该二第一半导体层之间。6.如权利要求5所述的发光二极管，其中，该第一半导体结构还包括二第三电极，分别设置于该二第一半导体层上。7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，该第三电极的厚度大于该第一电极的厚度，且该第三电极的厚度大于该第二电极的厚度。8.如权利要求6所述的发光二极管，还包括：填充层，包覆该第一半导体结构、该第二半导体层、该第三半导体层、以及该二第三电极。9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，该二第三电极自该填充层露出。10.如权利要求5所述的发光二极管，其中，该第一导电型态为一N型，且该第二导电型态为一P型。11.如权利要求1所述的发光二极管，其中，该第一半...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭仁杰，陈柏锋，谢朝桦，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71