载台机构及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供的载台机构及半导体加工设备，其包括上载台、下载台和旋转轴，其中，上载台和下载台相互叠置；在上载台上设置有贯穿其厚度的片位槽，晶片位于片位槽内，且由下载台的上表面承载；并且，在上载台上，且位于片位槽的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽；在下载台的上表面设置有第二取片槽；上载台和下载台可围绕旋转轴相对旋转，以使第二取片槽与第一取片槽相重合或者完全错开。本发明专利技术提供的载台机构，其可以减小取片槽对晶片边缘处的沉积速率的影响，从而可以提高薄膜厚度的均匀性。

Stage supporting mechanism and semiconductor processing equipment

The invention provides a carrier mechanism and semiconductor processing equipment, including Taiwan, Taiwan and on the axis of rotation, among them, upload and download Taiwan Taiwan overlapped; a slot through its thickness is arranged in the upload table, one chip is positioned in the groove, and the upper surface of the bearing Taiwan; and, in carrying on the stage, and is located at the edge of the plate slot is also provided with a first sheet taking groove through its thickness; in the download station are arranged on the upper surface of the second slot; upload and download Taiwan Taiwan rotate around an axis relative rotation, so that the second film fetching groove and the first groove take tablets coincidence or stagger. The carrier mechanism provided by the present invention can reduce the influence of the chip slot on the deposition rate at the edge of the wafer, thereby increasing uniformity of the film thickness.

【技术实现步骤摘要】
载台机构及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体地，涉及一种载台机构及半导体加工设备。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，以下简称PECVD)设备是是半导体行业较为普遍的一种真空镀膜设备，广泛用于SIO2、SiNx、SiON等介质膜的沉积。在LED领域，PECVD设备是芯片工艺中重要的镀膜设备，其通常利用载台承载晶片。图1为现有的载台的俯视图。请参阅图1，载台1通常采用整体式结构，其包括多个片位槽2，用以承载和固定晶片。而且，为了避免操作人员在进行取放片操作划伤晶片，提高取放片效率，在每个片位槽2的边缘处还设置有取片槽3，该取片槽3的深度大于片位槽2的深度，当需要自取片槽3取出晶片时，操作人员可以使用吸笔自取片槽3掀起晶片，从而可以更方便地取出晶片。但是，由于取片槽3的深度大于片位槽2的深度，在工艺过程中，取片槽3会对晶片边缘的沉积速率产生影响，从而造成沉积在晶片表面上的薄膜厚度不均。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种载台机构及半导体加工设备，其可以减小取片槽对晶片边缘处的沉积速率的影响，从而可以提高薄膜厚度的均匀性。为实现本专利技术的目的而提供一种载台机构，用于承载晶片，包括上载台、下载台和旋转轴，其中，所述上载台和下载台相互叠置；在所述上载台上设置有贯穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽内，且由所述下载台的上表面承载；并且，在所述上载台上，且位于所述片位槽的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽；在所述下载台的上表面设置有第二取片槽；所述上载台和下载台可围绕所述旋转轴相对旋转，以使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合或者完全错开。优选的，所述上载台通过相对于所述下载台正转而使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合；所述上载台通过相对于所述下载台反转而使所述第二取片槽与所述第一取片槽完全错开。优选的，在所述上载台的中心位置处设置有中心通孔，所述旋转轴竖直向下穿过所述中心通孔，并与所述所述下载台固定连接；通过旋转所述上载台，使其与所述下载台相对旋转。优选的，在所述下载台的中心位置处设置有中心通孔，所述旋转轴竖直向上穿过所述中心通孔，并与所述上载台固定连接；通过旋转所述旋转轴，使所述上载台与所述下载台相对旋转。优选的，还包括旋转驱动装置，用于驱动所述旋转轴旋转。优选的，所述片位槽为一个或多个；多个所述片位槽围绕所述旋转轴均匀分布；所述第一取片槽的数量与所述片位槽的数量相对应，且二者一一对应地设置；所述第二取片槽的数量与所述第一取片槽的数量相对应，且二者一一对应地设置。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有载台机构，用以承载晶片；所述载台机构采用了本专利技术提供的上述载台机构。优选的，还包括上电极组件，所述上电极组件包括匀流腔和射频电源，其中，所述匀流腔设置在所述反应腔室的顶部，且在所述匀流腔的顶部设置有进气口，用以向所述匀流腔内输送反应气体；在所述匀流腔的底部设置有多个出气口，所述多个出气口相对于所述载台机构用于承载晶片的表面均匀分布，用以将所述匀流腔内的反应气体输送至所述反应腔室内；所述射频电源与所述匀流腔电连接，用以激发所述反应腔室内的反应气体形成等离子体。优选的，所述半导体加工设备包括等离子体增强化学气相沉积设备，用于在所述晶片上沉积SiO2薄膜、SiNx薄膜或者SiON薄膜。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的载台机构，其采用分体式结构，即由相互叠置的上载台和下载台组成，晶片由下载台的上表面承载，并位于上载台上贯穿其厚度的片位槽内。并且，在上载台上，且位于片位槽的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽，在下载台的上表面设置有第二取片槽，通过使上载台和下载台围绕旋转轴相对旋转，可以使第二取片槽与第一取片槽相重合，此时操作人员可以自第一取片槽中暴露出来的第二取片槽进行取片或放片操作；或者，可以使第二取片槽与第一取片槽完全错开，此时第二取片槽被隐藏在上载台底部，从而可以减小取片槽对晶片边缘处的沉积速率的影响，进而可以提高薄膜厚度的均匀性。本专利技术提供的半导体加工设备，其通过采用本专利技术提供的上述载台机构，可以减小取片槽对晶片边缘处的沉积速率的影响，从而可以提高薄膜厚度的均匀性。附图说明图1为现有的载台的俯视图；图2为本专利技术实施例提供的载台机构的上载台的俯视图；图3为本专利技术实施例提供的载台机构的下载台的俯视图；图4为本专利技术实施例提供的载台机构在进行取放片操作时的俯视图；图5为本专利技术实施例提供的载台机构在进行工艺时的俯视图；以及图6为本专利技术实施例提供的半导体加工设备的剖视图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的载台机构及半导体加工设备进行详细描述。请一并参阅图2-5，载台机构用于承载晶片，其包括上载台11、下载台21和旋转轴31。其中，上载台11和下载台21相互叠置，二者的形状和外径相同。如图2所示，在上载台11上设置有三个贯穿其厚度的片位槽12，且围绕其轴向中心线均匀分布。晶片(图中未示出)位于片位槽12内，且由下载台21的上表面承载。并且，在上载台11上，且位于各个片位槽12的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽13。如图3所示，在下载台21的上表面设置有第二取片槽22，通过使上载台11和下载台21围绕旋转轴31相对旋转，可以使第二取片槽22与第一取片槽13相重合，如图4所示，此时操作人员可以自第一取片槽13中暴露出来的第二取片槽22进行取片或放片操作。或者，可以使第二取片槽22与第一取片槽13完全错开，此时第二取片槽22被隐藏在上载台11或者晶片底部，从而可以减小取片槽对晶片边缘处的沉积速率的影响，进而可以提高薄膜厚度的均匀性。优选的，上载台11通过相对于下载台21正转而使第二取片槽22与第一取片槽13相重合；上载台11通过相对于下载台21反转而使第二取片槽22与第一取片槽13完全错开。这种旋转方式需要旋转的角度较小，效率较高。需要说明的是，所谓正转是指上载台11相对于下载台21围绕旋转轴31沿顺时针或逆时针的方向旋转，而反转与正转的方向相反。也就是说，若正转是上载台11相对于下载台21顺时针旋转，则反转是上载台11相对于下载台21逆时针旋转；反之，若正转是上载台11相对于下载台21逆时针旋转，则反转是上载台11相对于下载台21顺时针旋转。当然，在实际应用中，上载台11还可以采用始终相对于下载台21正转或反转的方式来实现第二取片槽22与第一取片槽13的重合和完全错开。容易理解，当上载台11相对于下载台21沿一个方向(顺时针或逆时针)旋转指定角度时，第二取片槽22与第一取片槽13相互重合；当上载台11继续沿该方向旋转一定的角度时，第二取片槽22与第一取片槽13完全错开。在本实施例中，在上载台11的中心位置处设置有中心通孔，即，该中心通孔的轴线与上载台11的轴向中心线重合。旋转轴31竖直向下穿过该中心通孔，并与下载台21固定连接。在这种情况下，可以通过旋转上载台11，使其与下载台21相对旋转。也就是说，上载台11相对于旋转轴31具有相对旋转运动，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载台机构，用于承载晶片，其特征在于，包括上载台、下载台和旋转轴，其中，所述上载台和下载台相互叠置；在所述上载台上设置有贯穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽内，且由所述下载台的上表面承载；并且，在所述上载台上，且位于所述片位槽的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽；在所述下载台的上表面设置有第二取片槽；所述上载台和下载台可围绕所述旋转轴相对旋转，以使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合或者完全错开。

【技术特征摘要】
1.一种载台机构，用于承载晶片，其特征在于，包括上载台、下载台和旋转轴，其中，所述上载台和下载台相互叠置；在所述上载台上设置有贯穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽内，且由所述下载台的上表面承载；并且，在所述上载台上，且位于所述片位槽的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽；在所述下载台的上表面设置有第二取片槽；所述上载台和下载台可围绕所述旋转轴相对旋转，以使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合或者完全错开。2.根据权利要求1所述的载台机构，其特征在于，所述上载台通过相对于所述下载台正转而使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合；所述上载台通过相对于所述下载台反转而使所述第二取片槽与所述第一取片槽完全错开。3.根据权利要求1所述的载台机构，其特征在于，在所述上载台的中心位置处设置有中心通孔，所述旋转轴竖直向下穿过所述中心通孔，并与所述所述下载台固定连接；通过旋转所述上载台，使其与所述下载台相对旋转。4.根据权利要求1所述的载台机构，其特征在于，在所述下载台的中心位置处设置有中心通孔，所述旋转轴竖直向上穿过所述中心通孔，并与所述上载台固定连接；通过旋转所述旋转轴，使所述上载台与所述下载台相对旋转。5.根据权利要求4所述的载台机构，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾士亮，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11