半绝缘多晶硅薄膜的制备方法技术

技术编号:15705705 阅读:142 留言:0更新日期:2017-06-26 15:14
本发明专利技术提供了一种半绝缘多晶硅薄膜的制备方法,包括如下步骤:以SiH

Method for preparing semi insulating polycrystalline silicon film

The invention provides a preparation method of semi insulating polycrystalline silicon film, which comprises the following steps: SiH

【技术实现步骤摘要】
半绝缘多晶硅薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种半绝缘多晶硅薄膜的制备方法,属于半导体

技术介绍
1959年,美国人M.M.阿塔拉研究了硅器件表面暴露在大气中的不稳定性问题,提出热生长二氧化硅(SiO2)膜具有良好的表面钝化效果。此后,二氧化硅膜得到广泛应用。60年代中期,人们发现二氧化硅膜不能完全阻挡有害杂质(如钠离子)向硅(Si)表面的扩散,严重影响MOS器件的稳定性。以后研究出多种表面钝化膜生长工艺,其中以磷硅玻璃(PSG)、低温淀积二氧化硅、化学汽相淀积氮化硅(Si3N4)、三氧化二铝(Al2O3)和聚酰亚胺等最为适用。直接同半导体接触的介质膜通常称为第一钝化层。常用介质是热生长的二氧化硅膜。在形成金属化层以前,在第一钝化层上再生长第二钝化层,主要由磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅等构成,能吸收和阻挡钠离子向硅衬底扩散。为使表面钝化保护作用更好并使金属化层不受机械擦伤,在金属化层上面再生长第三层钝化层。这第三层介质膜可以是磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅、化学气相淀积氮化硅、三氧化二铝或聚酰亚胺。这种多层结构钝化,是现代微电子技术中广泛采用的方式。对于钝化层的基本要求是:能长期阻止有害杂质对器件表面的沾污;热膨胀系数与硅衬底匹配;膜的生长温度低;钝化膜的组份和厚度均匀性好;针孔密度较低以及光刻后易于得到缓变的台阶。现有的半导体钝化膜基本上都属于绝缘膜,用它们做钝化层难以避免外加电场的影响和可动电荷的干扰,无法使半导体器件稳定工作,尤其对于反向击穿电压较高的半导体器件,问题更为突出。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足,提供一种半绝缘多晶硅薄膜的制备方法。本专利技术的半绝缘多晶硅薄膜的制备方法如下:以SiH4和N2O作为反应气体,N2作为携带气体,在LPCVD系统中进行半绝缘多晶硅薄膜沉积,所述的反应条件如下:1)温度:620-650℃;2)气压:66.5Pa;3)SiH4气体流量为100sccm—120sccm;4)SiH4与N2O的流量比为2-4:1。所述的LPCVD系统为卧式反应炉。本专利技术的半绝缘多晶硅薄膜的制备方法,制备的半绝缘多晶硅薄膜化学稳定性很好,特别适合于器件钝化。具体实施方式实施例1本专利技术的半绝缘多晶硅薄膜的制备方法如下:以SiH4和N2O作为反应气体,N2作为携带气体,在LPCVD系统中进行半绝缘多晶硅薄膜沉积,所述的反应条件如下:1)温度:620℃;2)气压:66.5Pa;3)SiH4气体流量为100sccm;4)N2O气体流量为50sccm;所述的LPCVD系统为卧式反应炉。实施例2本专利技术的半绝缘多晶硅薄膜的制备方法如下:以SiH4和N2O作为反应气体,N2作为携带气体,在LPCVD系统中进行半绝缘多晶硅薄膜沉积,所述的反应条件如下:1)温度:640℃;2)气压:66.5Pa;3)SiH4气体流量为120sccm;4)N2O气体流量为30sccm;所述的LPCVD系统为卧式反应炉。实施例3本专利技术的半绝缘多晶硅薄膜的制备方法如下:以SiH4和N2O作为反应气体,N2作为携带气体,在LPCVD系统中进行半绝缘多晶硅薄膜沉积,所述的反应条件如下:1)温度:650℃;2)气压:66.5Pa;3)SiH4气体流量为105sccm;4)N2O气体流量为35sccm;所述的LPCVD系统为卧式反应炉。本文档来自技高网...

【技术保护点】
半绝缘多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:以SiH

【技术特征摘要】
1.半绝缘多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:以SiH4和N2O作为反应气体,N2作为携带气体,在LPCVD系统中进行半绝缘多晶硅薄膜沉积;所述的反应条件如下:1)温度:620-650℃;2)气压...

【专利技术属性】
技术研发人员:周明
申请(专利权)人:南通明芯微电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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