Various embodiments of a hybrid ceramic disc for treating a shower head of a substrate are provided. Electrode ceramics hybrid ceramic spray tray may include embedded in the same disk inside and the perforation pattern. The electrode is fully encapsulated in the ceramic material relative to the perforation. In some embodiments, the heater elements can also be embedded in the hybrid ceramic flower spray tray. During use, the DC voltage source can be connected with the hybrid type ceramic disc electric spray head. The hybrid ceramic disc can be easily removed from the substrate to remove the showerhead so that it is easy to clean and replace the disc.
【技术实现步骤摘要】
混合型陶瓷喷淋头本申请是申请日为2012年3月2日、中国专利申请号为201280011733.4(对应国际申请号为PCT/US2012/027596)、专利技术名称为“混合型陶瓷喷淋头”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请案根据35U.S.C.§119(e)要求于2011年3月4日提出申请的美国临时专利申请案第61/449,537号及于2012年3月2日提出申请的美国专利申请案第13/411,369号的权利,这些申请案以引用方式并入本文中。
技术介绍
喷淋头组件通常用于半导体制作模块中以在沉积、蚀刻或其他工艺期间跨越晶片或衬底的表面分布工艺气体。喷淋头因磨损而必须经常更换,而定期更换喷淋头对半导体制造商而言在更换部分费用及设备停机时间方面两者都是巨大成本。某些半导体制作方法减小常用喷淋头的寿命,从而导致需要更频繁地更换。
技术实现思路
本专利技术公开了一种混合型陶瓷喷淋头,其包括嵌入式电极。在下文且贯穿本专利技术中描述了该喷淋头的各种实施方案。应理解,不应将下文所述的实施方案视为将本专利技术仅限制为所显示的实施方案。相反地,与本文中所概述的原理及概念相符的其他实施方案也可归属于本专利技术的范畴内。在某些实施方案中,提供了一种气体分布装置。该气体分布装置可包括用于衬底处理喷淋头的陶瓷花盘(faceplate)。该陶瓷花盘可包括第一图案的第一通孔,该第一图案的第一通孔被配置成当将该陶瓷花盘安装于该衬底处理喷淋头中且将该衬底处理喷淋头安装于衬底处理装置中时跨越衬底分布半导体工艺气体。该陶瓷花盘也可包括包括第二图案的第二通孔的电极。该电极可嵌入于该陶瓷花盘 ...
【技术保护点】
一种气体分布器,其包括:陶瓷花盘,其用于处理室的衬底处理喷淋头,所述陶瓷花盘包括第一图案的第一通孔;电极,其包括第二图案的第二通孔;以及多个支座,其中所述多个支座是导电的并且每一个与所述电极导电耦合,其中:所述电极嵌入于所述陶瓷花盘内,所述第二图案匹配所述第一图案,所述第一图案包括所有的当将所述陶瓷花盘安装于所述处理室的所述衬底处理喷淋头中时通过其使处理气体流动通过所述陶瓷花盘的通孔,每个第二通孔的大小大于对应的第一通孔,所述陶瓷花盘是圆形的并且具有多个盲孔,每个盲孔在所述电极端接并且由所述支座中不同的一个所占据,以及每个支座具有暴露的且没有由所述陶瓷花盘的陶瓷材料覆盖的背对所述电极的表面。
【技术特征摘要】
2011.03.04 US 61/449,5371.一种气体分布器,其包括:陶瓷花盘,其用于处理室的衬底处理喷淋头,所述陶瓷花盘包括第一图案的第一通孔;电极,其包括第二图案的第二通孔;以及多个支座,其中所述多个支座是导电的并且每一个与所述电极导电耦合,其中:所述电极嵌入于所述陶瓷花盘内,所述第二图案匹配所述第一图案,所述第一图案包括所有的当将所述陶瓷花盘安装于所述处理室的所述衬底处理喷淋头中时通过其使处理气体流动通过所述陶瓷花盘的通孔,每个第二通孔的大小大于对应的第一通孔,所述陶瓷花盘是圆形的并且具有多个盲孔,每个盲孔在所述电极端接并且由所述支座中不同的一个所占据,以及每个支座具有暴露的且没有由所述陶瓷花盘的陶瓷材料覆盖的背对所述电极的表面。2.如权利要求1所述的气体分布器,其中所述陶瓷花盘的陶瓷材料选自由氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅、氮化硼(BN)和...
【专利技术属性】
技术研发人员:穆罕默德·萨布里,拉姆吉斯汗·拉奥·林加帕里,卡尔·F·利泽,
申请(专利权)人:诺发系统公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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