晶片的加工方法和加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于提供晶片的加工方法和加工装置，能够维持所限制的脉冲激光光线的最大重复频率，并且在多个部位同时地形成通孔。根据本发明专利技术，该晶片的加工方法具有如下的步骤：椭圆轨道生成步骤，将4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道；激光光线照射步骤，一边描绘该椭圆轨道一边从晶片的背面向与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线；以及椭圆轨道定位步骤，对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置，一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地加工进给一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而实施通孔加工。

Method and apparatus for processing wafer

The subject of the present invention is to provide a wafer processing method and a processing device capable of maintaining the maximum repetition frequency of a limited pulsed laser beam and forming vias at multiple points simultaneously. According to the invention, the wafer processing method comprises the following steps: the elliptic orbit generation step elliptical orbit 4 devices as a group generated by 4 electrodes each including a circular pad device arranged on the same position, the laser light irradiation; step, while depicting the elliptical orbit from the side of the wafer back to the position corresponding to the irradiation of the 4 electrode pad of pulsed laser light; and an elliptical orbit positioning step, the localization of the elliptical orbit to the elliptical orbit and then through the processing of the 4 electrode pad should be corresponding to the position, side of the wafer and the pulsed laser light irradiation unit relative to the feed side in turn the implementation of the laser light irradiation step and the elliptical orbit positioning step and the implementation of through hole processing.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法和加工装置
本专利技术涉及晶片的加工方法和加工装置，与配设于半导体晶片等被加工物上的器件的电极垫对应地形成激光加工孔。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上由呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线而划分出多个区域，在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。并且，通过沿着间隔道对半导体晶片进行切断而对形成有器件的区域进行分割从而制造出一个个的半导体芯片。为了实现装置的小型化、高功能化，提出了如下的模块构造：对多个器件进行层叠，并将设置于所层叠的器件上的电极垫(也称为焊盘)连接。该模块构造采用如下的结构(例如参照专利文献1。)：对半导体晶片中的设置有电极垫的部位照射激光光线而形成达到该电极垫的通孔(激光加工孔)，在该通孔(激光加工孔)中埋入与电极垫连接的铝等导电性材料。专利文献1：日本特开2008-062261号公报为了形成上述通孔，必须向一个部位多次照射脉冲激光光线，为了实现生产效率的提高，需要提高脉冲激光光线的重复频率。但是，存在如下的问题：当以较高的重复频率向一个部位连续地照射脉冲激光光线时，因热积存而在晶片上产生裂纹，器件的品质降低。
技术实现思路
并且，还存在如下的情况：虽然根据要制造的器件而不同，但为了不会因通孔加工而产生裂纹而对用于加工的脉冲激光光线的重复频率进行限制(例如，为10kHz)。因此，本专利技术要解决的技术性课题在于，提供晶片的加工方法和加工装置，既维持受限制的脉冲激光光线的最大重复频率，也能够在多个部位同时地形成通孔。为了解决上述主要的技术性课题，根据本专利技术，提供一种晶片的加工方法，多个器件由分割预定线划分而形成于该晶片的正面上，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：位置信息存储步骤，与各器件在该晶片中的位置信息一同，对各器件上所形成的多个电极垫在各器件中的位置信息进行存储；椭圆轨道生成步骤，将彼此两两相邻的4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道；激光光线照射步骤，一边描绘该椭圆轨道一边利用脉冲激光光线照射单元对与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线；以及椭圆轨道定位步骤，对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置，在该晶片的加工方法中，一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地进行加工进给，一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而对该晶片实施通孔加工，该通孔加工用于形成与该电极垫对应的通孔。优选在该激光光线照射步骤中，在该椭圆轨道被定位成通过该4个电极垫的状态下实施将多个脉冲激光光线照射到与该4个电极垫对应的位置的通孔加工。能够通过对构成一个群组的该4个器件执行该激光光线照射步骤，在激光光线的照射为第1次的2个器件中局部性地实施通孔加工，在已经局部性地执行了通孔加工而激光光线的照射为第2次的另外的2个器件中对剩余的未加工的部分实施通孔加工，由此完成对于该另外的2个器件的所有的电极垫的通孔加工，将通过实施该激光光线照射步骤而与所有的电极垫对应地完成了通孔加工的2个器件从该群组中分离，由局部性地进行了通孔加工的2个器件和在加工进给方向上相邻的未加工的2个器件结成新的群组，将该椭圆轨道定位于新的群组所包含的4个器件，而依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤。尤其优选通过对配设于各器件的多个电极垫依次赋予编号而分成奇数编号的第一电极垫组和偶数编号的第二电极垫组而设定该位置信息，在对构成一个群组的该4个器件执行该激光光线照射步骤的情况下，在该激光光线照射步骤中，对于该4个器件的该第一电极垫组和第二电极垫组中的未加工的任意一方的电极垫组，一边描绘椭圆轨道一边照射脉冲激光光线，由此完成与2个器件的所有的电极垫对应的通孔加工，并将完成了对所有的电极垫的通孔加工的2个器件从该群组中分离，由只对第一电极垫组和第二电极垫组中的任意一方进行了通孔加工的2个器件和在加工进给方向上相邻的未加工的2个器件结成新的群组，将该椭圆轨道定位于新的群组所包含的4个器件，对第一电极垫组、第二电极垫组中的未加工的电极垫组实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤，依次完成对2个器件的通孔加工。另外，优选在该晶片的外周，在无法由彼此两两相邻的4个器件结成群组的情况下，由不足4个的器件结成群组，并停止对器件欠缺的区域的激光光线的照射。此外，为了解决上述主要的技术性课题，根据本专利技术，提供一种加工装置，其构成为包含：保持单元，其在由X轴、Y轴规定的平面上对晶片进行保持，多个器件由分割预定线划分而形成于该晶片的正面上；以及激光光线照射单元，其对保持在该保持单元上的晶片照射激光光线而实施加工，其中，该加工装置具有如下的单元：位置信息存储单元，其与各器件在该晶片中的位置信息一同，对各器件上所形成的多个电极垫的位置信息进行存储；椭圆轨道生成单元，其将彼此两两相邻的4个器件作为一个群组而根据该电极垫的位置信息生成通过配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道；椭圆轨道定位单元，其将该椭圆轨道定位于与应该加工的该4个电极垫对应的位置；以及激光光线照射单元，其一边描绘该椭圆轨道一边对与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线，该加工装置一边对晶片与脉冲激光光线相对地进行加工进给一边使该激光光线照射单元和该椭圆轨道定位单元进行动作而形成通孔。能够是该激光光线照射单元包含：振荡器，其以4的倍数的重复频率M振荡出脉冲激光光线；以及聚光器，其将该振荡器振荡出的脉冲激光光线聚光到该保持单元所保持的晶片上，该椭圆轨道生成单元配设在该振荡器与该聚光器之间，由X轴谐振扫描器和Y轴谐振扫描器构成，该X轴谐振扫描器以重复频率M的1/4的重复频率使激光光线的照射方向在X轴方向上摆动，该Y轴谐振扫描器以重复频率M的1/4的重复频率使激光光线的照射方向在Y轴方向上摆动，该椭圆轨道生成单元生成向各电极垫分配脉冲激光光线的椭圆轨道，该各电极垫的位置信息存储于该位置信息存储单元，该椭圆轨道定位单元由X轴扫描器和Y轴扫描器构成，该X轴扫描器使该椭圆轨道生成单元所生成的椭圆轨道在X轴方向上移动，该Y轴扫描器使该椭圆轨道在Y轴方向上移动，该椭圆轨道定位单元根据存储于该位置信息存储单元的电极垫的位置信息而将该椭圆轨道定位成通过加工对象的4个电极垫，另外，优选该X轴谐振扫描器所生成的正弦曲线的相位相对于该Y轴谐振扫描器所生成的正弦曲线的相位偏移π/2。根据本专利技术的晶片的激光加工方法，具有如下的步骤：位置信息存储步骤，与各器件在该晶片中的位置信息一同，对各器件上所形成的多个电极垫在各器件中的位置信息进行存储；椭圆轨道生成步骤，将彼此两两相邻的4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道；激光光线照射步骤，一边描绘该椭圆轨道一边利用脉冲激光光线照射单元对与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线；以及椭圆轨道定位步骤，对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置，在该晶片的加工方法中，一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地进行加工进给，一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而对该晶片实施通孔加工，该通孔加工用于形成与该电极垫对应的通孔，由此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，多个器件由分割预定线划分而形成于该晶片的正面上，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：位置信息存储步骤，与各器件在该晶片中的位置信息一同，对各器件上所形成的多个电极垫在各器件中的位置信息进行存储；椭圆轨道生成步骤，将彼此两两相邻的4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道；激光光线照射步骤，一边描绘该椭圆轨道一边利用脉冲激光光线照射单元对与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线；以及椭圆轨道定位步骤，对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置，在该晶片的加工方法中，一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地进行加工进给，一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而对该晶片实施通孔加工，该通孔加工用于形成与该电极垫对应的通孔。

【技术特征摘要】
2015.11.27 JP 2015-2318251.一种晶片的加工方法，多个器件由分割预定线划分而形成于该晶片的正面上，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：位置信息存储步骤，与各器件在该晶片中的位置信息一同，对各器件上所形成的多个电极垫在各器件中的位置信息进行存储；椭圆轨道生成步骤，将彼此两两相邻的4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道；激光光线照射步骤，一边描绘该椭圆轨道一边利用脉冲激光光线照射单元对与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线；以及椭圆轨道定位步骤，对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置，在该晶片的加工方法中，一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地进行加工进给，一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而对该晶片实施通孔加工，该通孔加工用于形成与该电极垫对应的通孔。2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，在该激光光线照射步骤中，在该椭圆轨道被定位成通过该4个电极垫的状态下实施将多个脉冲激光光线照射到与该4个电极垫对应的位置的通孔加工。3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，通过对构成一个群组的该4个器件执行该激光光线照射步骤，在激光光线的照射为第1次的2个器件中局部性地实施通孔加工，在已经局部性地执行了通孔加工而激光光线的照射为第2次的另外的2个器件中对剩余的未加工的部分实施通孔加工，由此完成对于该另外的2个器件的所有的电极垫的通孔加工，将通过实施该激光光线照射步骤而与所有的电极垫对应地完成了通孔加工的2个器件从该群组中分离，由局部性地进行了通孔加工的2个器件和在加工进给方向上相邻的未加工的2个器件结成新的群组，将该椭圆轨道定位于新的群组所包含的4个器件，而依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤。4.根据权利要求3所述的晶片的加工方法，其中，通过对配设于各器件的多个电极垫依次赋予编号而分成奇数编号的第一电极垫组和偶数编号的第二电极垫组而设定该位置信息，在该激光光线照射步骤中，对于该4个器件的该第一电极垫组和第二电极垫组中的未加工的任意一方的电极垫组，一边描绘椭圆轨道一边照射脉冲激光光线，由此完成与2个器件的所有的电极垫对应的通孔加工，并将完成了对所有的电极垫的通孔加工的2个器件从该群组中分离，由只对第一电极垫组和第二电极垫组中的任意一方进行了通孔加工的2个器件和在加工进给方...

【专利技术属性】
技术研发人员：能丸圭司，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP