一种Ti制造技术

本发明专利技术提供一种Ti

A kind of Ti

The present invention provides a Ti

【技术实现步骤摘要】
一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜
本专利技术涉及锂硫电池领域，特别涉及一种锂硫电池隔膜。
技术介绍
锂硫电池是以金属锂为负极，单质硫为正极的电池体系。锂硫电池的具有两个放电平台（约为2.4V和2.1V），但其电化学反应机理比较复杂。锂硫电池具有比能量高（2600Wh/kg）、比容量高（1675mAh/g）、成本低等优点，被认为是很有发展前景的新一代电池。但是目前其存在着活性物质利用率低、循环寿命低和安全性差等问题，这严重制约着锂硫电池的发展。造成上述问题的主要原因有以下几个方面：（1）单质硫是电子和离子绝缘体，室温电导率低（5×10-30S·cm-1），由于没有离子态的硫存在，因而作为正极材料活化困难；（2）在电极反应过程中产生的高聚态多硫化锂Li2Sn（8＞n≥4）易溶于电解液中，在正负极之间形成浓度差，在浓度梯度的作用下迁移到负极，高聚态多硫化锂被金属锂还原成低聚态多硫化锂。随着以上反应的进行，低聚态多硫化锂在负极聚集，最终在两电极之间形成浓度差，又迁移到正极被氧化成高聚态多硫化锂。这种现象被称为飞梭效应，降低了硫活性物质的利用率。同时不溶性的Li2S和Li2S2沉积在锂负极表面，更进一步恶化了锂硫电池的性能；（3）反应最终产物Li2S同样是电子绝缘体，会沉积在硫电极上，而锂离子在固态硫化锂中迁移速度慢，使电化学反应动力学速度变慢；（4）硫和最终产物Li2S的密度不同，当硫被锂化后体积膨胀大约79%，易导致Li2S的粉化，引起锂硫电池的安全问题。上述不足制约着锂硫电池的发展，这也是目前锂硫电池研究需要解决的重点问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜，包括商用Celgard隔膜和其表面的Ti3C2Tx/PVDF层组成，所述的Ti3C2Tx/PVDF层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/PVDF层中Ti3C2Tx与PVDF的质量比为1：0.01-0.1。本专利技术提供一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜的制备方法如下：（1）将Ti3AlC2陶瓷粉末放入氢氟酸中腐蚀，腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理，然后将沉淀物烘干，得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；（2）将PVDF加入到N-甲基吡咯烷酮中，搅拌溶解，形成PVDF溶液；（3）将Ti3C2Tx粉体加入到PVDF溶液中机械搅拌均匀，形成的浆料，再将浆料涂覆到Celgard隔膜上，真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜。步骤（1）中氢氟酸的浓度为20%-50%，腐蚀的时间为4-24小时;步骤（2）中PVDF与N-甲基吡咯烷酮的质量比为1:10-100，搅拌时间为1-12小时；步骤（3）中Ti3C2Tx与PVDF的质量比为1：0.01-0.1，搅拌时间为1-12小时；本专利技术具有如下有益效果：Ti3C2Tx上的T为-F基团或-OH基团，均为强极性基团，能对充放电过程中形成的多硫化物形成强烈的化学吸附，能有效的阻止多硫化物穿过隔膜到达负极，减少飞梭效应的发生，提高锂硫电池的寿命。附图说明图1是本专利技术的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜结构示意图。图2是本专利技术的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜制备流程图。图3是本专利技术的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜的循环寿命图。其中，1为Ti3C2Tx/PVDF层，2为Celgard隔膜。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术的较优的实施例作进一步的详细说明：实施例1（1）将Ti3AlC2陶瓷粉末放入质量浓度为20％的氢氟酸中腐蚀24h，腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理，然后将沉淀物烘干，得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；（2）将1gPVDF加入到100gN-甲基吡咯烷酮中，搅拌1小时使其溶解，形成PVDF溶液；（3）将100gTi3C2Tx粉体加入到PVDF溶液中机械搅拌12小时使其混合均匀，形成的浆料，再将浆料涂覆到Celgard隔膜上，真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜。实施例2（1）将Ti3AlC2陶瓷粉末放入质量浓度为50％的氢氟酸中腐蚀4h，腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理，然后将沉淀物烘干，得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；（2）将1gPVDF加入到10gN-甲基吡咯烷酮中，搅拌12小时使其溶解，形成PVDF溶液；（3）将10gTi3C2Tx粉体加入到PVDF溶液中机械搅拌1小时使其混合均匀，形成的浆料，再将浆料涂覆到Celgard隔膜上，真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜。实施例3（1）将Ti3AlC2陶瓷粉末放入质量浓度为30％的氢氟酸中腐蚀20h，腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理，然后将沉淀物烘干，得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；（2）将1gPVDF加入到50gN-甲基吡咯烷酮中，搅拌6小时使其溶解，形成PVDF溶液；（3）将50gTi3C2Tx粉体加入到PVDF溶液中机械搅拌6小时使其混合均匀，形成的浆料，再将浆料涂覆到Celgard隔膜上，真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜。实施例4（1）将Ti3AlC2陶瓷粉末放入质量浓度为40％的氢氟酸中腐蚀15h，腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理，然后将沉淀物烘干，得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；（2）将1gPVDF加入到80gN-甲基吡咯烷酮中，搅拌3小时使其溶解，形成PVDF溶液；（3）将30gTi3C2Tx粉体加入到PVDF溶液中机械搅拌3小时使其混合均匀，形成的浆料，再将浆料涂覆到Celgard隔膜上，真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜。实施例5（1）将Ti3AlC2陶瓷粉末放入质量浓度为35％的氢氟酸中腐蚀13h，腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理，然后将沉淀物烘干，得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；（2）将1gPVDF加入到30gN-甲基吡咯烷酮中，搅拌10小时使其溶解，形成PVDF溶液；（3）将80gTi3C2Tx粉体加入到PVDF溶液中机械搅拌9小时使其混合均匀，形成的浆料，再将浆料涂覆到Celgard隔膜上，真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜。锂硫电池的制备及性能测试；将硫单质材料、乙炔黑和PVDF按质量比70：20：10在NMP中混合，涂覆在铝箔上为电极膜，金属锂片为对电极，实施例1制备的复合隔膜做为隔膜，1mol/L的LiTFSI/DOL-DME(体积比1:1)为电解液，1mol/L的LiNO3为添加剂，在充满Ar手套箱内组装成扣式电池，采用Land电池测试系统进行恒流充放电测试。充放电电压范围为1-3V，电流密度为0.5C。对比例采用Celgard隔膜为锂硫电池隔膜，其他的条件与上述相同。图3是本专利技术实施例1制备的复合隔膜组装成锂硫电池的循环寿命图。从图中可以看出本专利技术制备的复合隔膜进行400次充放电后容量仍保有初始容量的63%，而对比例采用Celgard隔膜组装成锂硫电池，进行200次循环后容量进为初始容量的40%，说明该复合隔膜能有效抑制飞梭效应，提高硫电池的寿命。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ti

【技术特征摘要】
1.一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜，包括商用Celgard隔膜和其表面的Ti3C2Tx/PVDF层组成，所述的Ti3C2Tx/PVDF层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/PVDF层中Ti3C2Tx与PVDF的质量比为1：0.01-0.1。2.一种如权利要求1所述的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：步骤（1）将Ti3AlC2陶瓷粉末放入氢氟酸中腐蚀，腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理，然后将沉淀物烘干，得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；步骤（2）将PVDF加入到N-甲基吡咯烷酮中，搅拌...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟玲珑，
申请(专利权)人：深圳市佩成科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：广东,44