QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种QLED器件，包括第一电极、用于定义像素区域的隔离bank，设置在所述像素区域的光学层、以及覆盖所述隔离bank和所述光学层的第二电极，其中，所述隔离bank中含有高热导材料，所述高热导材料的热导率≥10WK

QLED device and method for making same

The invention provides a QLED device that includes a first electrode, a pixel area defined for the isolation of bank, which provided in the optical layer, the pixel region and a second electrode, covering the isolation of bank and the optical layer, the isolated bank contains a high thermal conductivity, high thermal conductivity and the thermal conductivity the rate of more than 10WK

【技术实现步骤摘要】
QLED器件及其制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
技术介绍
无机纳米晶的量子点发光材料不仅具有出射光颜色饱和、波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，适合制备高性能显示器件。此外，从制备工艺角度看，量子点发光材料可以在非真空条件下采用旋涂、印刷、打印设备等溶液加工方式制备成膜。所以，以量子点薄膜制备的量子点发光二极管(QLED)成为下一代显示技术的有力竞争者。通常的，QLED器件包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极。根据第一电极和第二电极的相对位置，即背电极和顶电极，QLED的结构可以分为传统和反型器件两周。其中，空穴注入层、空穴传输层用于从外电路向发光层提供可迁移空穴，电子传输层用于提供可迁移电子。电子-空穴在量子点中形成激子，激子通过辐射复合输出光子，进而发光。随着QLED器件运行中产生的光效率衰减，一个外量子效率大于10％的蓝光器件，在1000cdm-2输出亮度下随着电流效率的衰减以及驱动电压的升高，其发光区域的发热功率可超过200mWcm-2。热源主要可以来自非辐射复合、薄膜和界面电阻效应、未出射光再吸收等。喷墨打印是大规模制备QLED矩阵的有效方法之一。每一个喷出的墨滴须要被隔离装置(bank)限定在预设的区域内用以定义像素。隔离材料至少满足：可见波段内吸收系数低、电绝缘、适应光刻图案化处理、能通过表面处理调节表面能和对溶剂的浸润性等。通常使用的bank材料为聚酰亚胺(polyimide)，其在室温下的热导率通常为0.1WK-1m-1。由于隔离材料在面板平面内占据不可忽略的面积，且在垂直面板方向贯穿整个厚度并直接接触两个电极，所以隔离材料在像素器件的散热过程中有很重要作用，使用热导率很低的材料不利于像素散热。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件，由于隔离bank材料散热效果不佳，影响QLED器件散热效率和工作寿命的问题。本专利技术是这样实现的，一种QLED器件，包括第一电极、用于定义像素区域的隔离bank，设置在所述像素区域的光学层、以及覆盖所述隔离bank和所述光学层的第二电极，其中，所述隔离bank中含有高热导材料，所述高热导材料的热导率≥10WK-1m-1。以及，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供第一电极，在所述第一电极表面沉积bank材料层，其中，所述bank材料层含有高导热材料，所述高热导材料的热导率≥10WK-1m-1；将所述bank材料层依次进行光刻、抛光、表面处理，得到用于定义像素区域的隔离bank；在所述像素区域内沉积光学层，在所述隔离bank和所述光学层表面覆盖第二电极。本专利技术提供的QLED器件，采用热导率≥10WK-1m-1的高热导材料作为定义像素区域的隔离bank，提高了QLED像素区域的散热效率，降低了像素区域的工作温度，减缓发光器件发光效率的衰减，进而有利于提高QLED器件的寿命，特别是发光像素区域的寿命。本专利技术提供的QLED器件的制备方法，只需在现有的工艺基础上，在所述第一电极上沉积含有高导热材料的bank材料层，进一步依次进行光刻、抛光、表面处理，即可得到散热效率高、工作寿命长的QLED器件。本专利技术提供的QLED的制备方法，方法简单，可控性强。附图说明图1是本专利技术实施例提供的QLED器件的纵向剖面示意图；图2是本专利技术实施例提供的QLED器件的俯视图；图3是本专利技术实施例提供的QLED器件局部的像素矩阵图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。结合图1-图3，本专利技术实施例提供了一种QLED器件，包括第一电极1、用于定义像素区域3’的隔离bank2，设置在所述像素区域3’的光学层3、以及覆盖所述隔离bank2和所述光学层3的第二电极4，其中，所述隔离bank2中含有高热导材料，所述高热导材料的热导率≥10WK-1m-1。如图1所示，提供了本专利技术实施例所述QLED器件的纵向剖面示意图；如图2所示，提供了本专利技术实施例所述QLED器件的纵向剖面示意图，由如可见，所述隔离bank2形成在QLED区域的外围，用于界定QLED器件的像素区域3’；如图3所示，提供了本专利技术实施例所述QLED器件局部的纵向剖面示意图。本专利技术实施例提供的QLED器件，采用热导率≥10WK-1m-1的高热导材料作为定义像素区域3’的隔离bank2，提高了QLED像素区域3’的散热效率，降低了像素区域3’的工作温度。由于QLED器件发光效率的衰减随温度成指数变化，降低像素的工作温度可以提高显示器件的工作寿命。因此，采用热导率≥10WK-1m-1的高热导材料作为定义像素区域3’的隔离bank2，有利于提高QLED器件的寿命。本专利技术实施例中，所述隔离bank2定义出来的像素区域3’，优选为倒梯形，从而有利于所述光学层在喷墨打印过程中形成厚度均匀、且与相邻的像素区域不会产生颜色干扰的的功能层，更优选为等边的倒梯形。当然，应当理解，所述像素区域3’不限于倒梯形结构。本专利技术实施例中，所述隔离bank2中可以含有一种高热导材料，也可以含有两种或两种以上的高热导材料。优选的，所述高热导材料包括氮化物、氧化物、钙钛矿结构铁电材料、碳单质中的至少一种。优选的所述高热导材料，不仅具有优异的导热效果，而且能够保证其可见波段内具有低吸收系数和电绝缘性。此外，所述隔离材料用于喷墨打印时，需要能够有效阻隔墨水扩散，定义溶液挥发后形成像素的形状，即像素区域3’。此外，本专利技术实施例优选的所述高热导材料，还能通过表面处理调节表面能和对溶剂的浸润性，从而适于喷墨打印制备膜层均匀、且与相邻的像素区域不会产生颜色干扰的所述光学层3。具体优选的，所述氮化物包括但不限于氮化铝、氮化硅。具体优选的，所述氧化物包括但不限于氧化镁、氧化铝、氧化铍。具体优选的，所述碳单质包括但不限于金刚石、石墨烯、碳纳米管。作为一种具体优选情形，所述隔离bank2由两层或两层以上bank薄膜叠加形成，其中，所述bank薄膜中含有一种或一种以上的所述高热导材料，且不同的所述bank薄膜中的高热导材料相同或不同。具体的，所述隔离bank2可以由多层组成材料相同的bank薄膜构成，也可以由组成材料各不相同的bank薄膜构成。当然，可以理解，当所述bank薄膜的层数＞3层时，可以允许部分所述bank薄膜的组成材料相同，部分所述bank薄膜的组成材料不同。作为另一种具体优选情形，所述隔离bank2由高热导材料和低热导材料制成，所述低热导材料的热导率≤1WK-1m-1。所述隔离bank2中，通过掺杂所述低热导材料，可以提高bank材料光刻性能，从而克服单独使用所述高热导材料制备隔离bank2时存在的光刻加工性能不佳的问题。进一步优选的，以所述隔离bank2的总重量为100％计，所述高热导材料的重量百分含量≤20％。该优选的所述高热导材料的重量百分含量，可以赋予混合材料良好的光刻加工性能。若所述高热导材料的重量百分含量＞20％，则仍然难以有效改善混合材料的光刻加工性能。作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种QLED器件，其特征在于，包括第一电极、用于定义像素区域的隔离bank，设置在所述像素区域的光学层、以及覆盖所述隔离bank和所述光学层的第二电极，其中，所述隔离bank中含有高热导材料，所述高热导材料的热导率≥10WK

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件，其特征在于，包括第一电极、用于定义像素区域的隔离bank，设置在所述像素区域的光学层、以及覆盖所述隔离bank和所述光学层的第二电极，其中，所述隔离bank中含有高热导材料，所述高热导材料的热导率≥10WK-1m-1。2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述高热导材料包括氮化物、氧化物、钙钛矿结构铁电材料、碳单质中的至少一种。3.如权利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述氮化物包括氮化铝、氮化硅；和/或所述氧化物包括氧化镁、氧化铝、氧化铍；和/或所述碳单质包括金刚石、石墨烯、碳纳米管。4.如权利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，所述隔离bank由两层或两层以上bank薄膜叠加形成，其中，所述bank薄膜中含有一种或一种以上的所述高热导材料，且不同的所述bank薄膜中的高热导材料相同或不同。5.如权利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，所述隔离bank由高热导材料和低热导材料制成，所述低热导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈崧，钱磊，杨一行，曹蔚然，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44