The invention provides a quantum dot film, the quantum dots film includes sequentially disposed the first barrier layer, quantum dot layer and second layer, wherein, the quantum dot layer containing quantum dots and metal nanoparticles, and the total weight of the quantum dot layer is 100% meters, weight percent the content of the metal nano particles is 0.1 5%. The preparation method of quantum dot film, which comprises the following steps: providing QDs solution and metal nanoparticle solution and curable polymer precursor, a hybrid configuration of quantum dots glue; provide the first barrier layer, forming quantum dots glue layer on the first barrier layer is deposited on the surface of the quantum dots in second resistance glue. The formation of the quantum barrier layer surface by quantum dot dispensing, pre film products; the products of quantum dot film pre curing treatment, quantum dot films.
【技术实现步骤摘要】
量子点膜及其制备方法
本专利技术属于平板显示
,尤其涉及一种量子点膜及其制备方法。
技术介绍
近年来,随着显示技术的快速发展,半导体量子点材料受到了广泛的关注。量子点材料色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点,使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。其中,量子点膜是最其重要的应用形式之一。显示器背光模组单元中,由LED光源发出的蓝光经过量子点膜转换成绿色和红色的光,与透过的蓝光一起混合成白光,达到高色域显示要求。但红光和绿光的发光效率还不高,因此如何提高量子点膜中红色和绿色量子点的光致发光效率一直是研究的热点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属纳米颗粒增强发光的量子点膜及其制备方法,旨在解决量子点膜中红色和绿色量子点的光致发光效率低的问题。本专利技术是这样实现的,一种量子点膜,所述量子点膜包括依次层叠设置的第一阻隔层、量子点层和第二阻隔层,其中,所述量子点层含有量子点和金属纳米颗粒,且以所述量子点层的总重量为100%计,所述金属纳米颗粒的重量百分含量为0.1-5%。以及,一种量子点膜的制备方法,包括如下步骤:提供量子点溶液、金属纳米颗粒溶液和固化聚合物前体,混合配置成量子点胶水;提供第一阻隔层,在所述第一阻隔层表面沉积所述量子点胶水形成量子点胶水层,在所述量子点胶水层表面形成第二阻隔层,得到量子点膜预制品;将所述量子点膜预制品进行固化处理,得到量子点膜。本专利技术提供的量子点膜,在量子点膜中掺入特定含量的金属纳米颗粒,通过所述金属纳米颗粒表面的等离子体共振增强作用,提高所述量子点膜中红色和绿色量子点的光致发光 ...
【技术保护点】
一种量子点膜,其特征在于,所述量子点膜包括依次层叠设置的第一阻隔层、量子点层和第二阻隔层,其中,所述量子点层含有量子点和金属纳米颗粒,且以所述量子点层的总重量为100%计,所述金属纳米颗粒的重量百分含量为0.1‑5%。
【技术特征摘要】
1.一种量子点膜,其特征在于,所述量子点膜包括依次层叠设置的第一阻隔层、量子点层和第二阻隔层,其中,所述量子点层含有量子点和金属纳米颗粒,且以所述量子点层的总重量为100%计,所述金属纳米颗粒的重量百分含量为0.1-5%。2.如权利要求1所述的量子点膜,其特征在于,所述金属纳米颗粒为金、银、铜、铂中的至少一种。3.如权利要求1所述的量子点膜,其特征在于,所述金属纳米颗粒为球形、棒状、片状,或所述金属纳米颗粒为核壳结构,所述核壳结构以所述金属纳米颗粒为核,所述金属纳米颗粒表面包覆壳层,所述壳层为无机壳层或高分子有机壳层。4.如权利要求3所述的量子点膜,其特征在于,所述壳层为二氧化硅、二氧化钛、碳、聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种。5.如权利要求1-4任一所述的量子点膜,其特征在于,所述量子点层的厚度为50-200um;和/或所述第一阻隔层、所述第二阻隔层的厚度单独为10-500um。6.如权利要求1-4任一所述的量子点膜,其特征在于,所述第一阻隔层由PET、PP、PVDF、PVA、...
【专利技术属性】
技术研发人员:李龙基,曹蔚然,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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