柔性元件制造技术

在一实施例中，本发明专利技术提供一种柔性元件。柔性元件可包括柔性基板、缓冲层、光反射层以及元件层。缓冲层配置于柔性基板上。光反射层配置于柔性基板上，其中光反射层的反射波长例如为200nm～1100nm，且反射率大于80％，以及光反射层的应力方向与柔性基板的应力方向可为相同。元件层配置于光反射层以及缓冲层上。

Flexible component

In one embodiment, the present invention provides a flexible element. The flexible element may include a flexible substrate, a buffer layer, a light reflecting layer, and an element layer. The buffer layer is disposed on the flexible substrate. The light reflection layer is arranged on the flexible substrate, wherein the reflection wavelength of the light reflective layer such as 200nm ~ 1100nm, and the reflectivity is greater than 80%, and the light reflection layer stress direction and stress direction of the flexible substrate for the same. The component layer is arranged on the light reflecting layer and the buffer layer.

【技术实现步骤摘要】
柔性元件
本专利技术涉及一种柔性元件。
技术介绍
在半导体材料的制造过程中，可能会需要使用热退火工艺。高能量光照射式技术，例如红外线照射技术(IR-lamp)或快闪式照射技术(FLA)可适用于热退火工艺。高能量光照射式技术可具有低制造温度以及减少制造时间的特点。当使用高能量光照射式技术于制造柔性(flexible)元件时，在热退火过程中可能会造成柔性基板的焦化。柔性基板由可吸收特定波长光线的材料所制造而成，所述柔性基板的焦化可能是由于光线吸收所造成的。有鉴于上述情况，如何防止热退火时的基板焦化以提高半导体产品的品质，实为相关领域极欲解决的问题。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供一种柔性元件，可包括：柔性基板；缓冲层，配置于柔性基板上；光反射层，配置于柔性基板上，其中光反射层的反射波长例如为200nm～1100nm，反射率大于80％，且光反射层的应力方向与柔性基板的应力方向可为相同；以及元件层，配置于光反射层以及缓冲层上。在一实施例中，光反射层配置于缓冲层内。在一实施例中，光反射层是图案化光反射层，且图案化光反射层不与元件层的一栅电极重叠或是不与元件层的多晶硅层重叠。在一实施例中，还包含阻挡层，其中光反射层位于阻挡层上，且位于阻挡层以及缓冲层之间。在一实施例中，光反射层是图案化光反射层，且图案化光反射层不与元件层的栅电极重叠。在一实施例中，光反射层是图案化光反射层，且图案化光反射层不与元件层的多晶硅层重叠。在一实施例中，还包含光吸收膜，其中光吸收膜位于光反射层上方或位于光反射层下方。在一实施例中，光吸收膜具有多层结构，其中多层结构包括多个不同能隙材料的堆叠层。在一实施例中，光吸收膜的能隙范围在1.1eV～1.8eV之间。在一实施例中，光吸收膜位于缓冲层内，且与光反射层分离。在一实施例中，光吸收膜位于缓冲层内，且与光反射层接触。在一实施例中，光吸收膜是图案化光吸收膜，且图案化光吸收膜不与元件层的栅电极重叠或是不与元件层的多晶硅层重叠。在一实施例中，光吸收膜的材料包括非晶硅、微晶硅、钼、钛、铬、钨、锆、钒、铌、钽、铂、铜、金、锌、镉、铝、银、碳、锡或上述的组合。在一实施例中，光反射层是图案化光反射层且光吸收膜是图案化光吸收膜，其中图案化光反射层以及图案化光吸收膜具有相同的图案。在一实施例中，光反射层是图案化光反射层且光吸收膜是图案化光吸收膜，其中图案化光反射层以及图案化光吸收膜具有不同的图案。在一实施例中，光反射层包括金属层，包括有金属层及陶瓷层的堆叠层，包括有第一陶瓷层、金属层及第二陶瓷层的堆叠层，或上述的组合。在一实施例中，光反射层包括金属材料，金属材料包括铑、铝、钕化铝、铜、金、银、铝合金、铑合金或上述的组合。在一实施例中，光反射层还包括陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化物材料、氮化物材料或上述的组合，且陶瓷材料在波长范围为200nm～1100nm时具有大于30％的穿透率。在一实施例中，元件层，包括：多晶硅层，包括源极区、漏极区以及位于源极区以及漏极区之间的通道区；栅绝缘层，配置于多晶硅层上；以及栅电极，配置于栅绝缘层上。在一实施例中，还包括介电层，配置于元件层上。附图说明图1A为依据本专利技术实施例一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图1B为图1A的柔性元件于热退火工艺过后的产品的剖面示意图；图2为依据本专利技术实施例二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图3为依据本专利技术实施例三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图4为依据本专利技术实施例四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图5为依据本专利技术实施例五的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图6为依据本专利技术实施例六的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图7为依据本专利技术实施例七的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图8为依据本专利技术实施例八的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图9为依据本专利技术实施例九的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图10为依据本专利技术实施例十的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图11为依据本专利技术实施例十一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图12为依据本专利技术实施例十二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图13为依据本专利技术实施例十三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图14为依据本专利技术实施例十四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图15为依据本专利技术实施例十五的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图16为依据本专利技术实施例十六的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图17为依据本专利技术实施例十七的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图18为依据本专利技术实施例十八的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图19为依据本专利技术实施例十九的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图20为依据本专利技术实施例二十的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图21为依据本专利技术实施例二十一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图22为依据本专利技术实施例二十二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图23为依据本专利技术实施例二十三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；图24为依据本专利技术实施例二十四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。其中附图标记为：110：柔性基板120：阻挡层130：缓冲层130a：第一部分层130b：第二部分层140：光反射层145：光吸收膜150：元件层151：多晶硅层151CH：通道区151DR：漏极区151SR：源极区152：栅绝缘层153：栅电极160：介电层171：源极电极172：漏极电极L：光线具体实施方式本专利技术的实施例现在将详细地说明，并且以附图表示。若有可能，在附图及说明书中相同的元件符号用来代表相同或相似的部分。图1A为依据本专利技术实施例一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。请参考图1A，柔性元件可包括柔性基板110、阻挡层120、缓冲层130、光反射层140、元件层150以及介电层160。柔性基板110可包括有机材料，例如聚酰亚胺(PI)，但不限定于此。阻挡层120位于柔性基板110上，其中阻挡层120可以包括多个交替堆叠的氧化物材料层以及氮化物材料层。阻挡层120可用于阻挡水分以及氧气的渗透。缓冲层130位于柔性基板110上，其中缓冲层130例如是通过具有良好耐热性的材料所制成，但不限定于此。在本实施例中，光反射层140是位于柔性基板110上，更详细来说，其可位于缓冲层130内。缓冲层130以及光反射层140的制造方式例如为:在阻挡层120上设置第一部分层130a，接着在第一部分层130a的上方设置光反射层140，并将第二部分层130b设置于光反射层140上。于此，第一部分层130a以及第二部分层130b构成缓冲层130。如此，光反射层140可被认为是位于缓冲层130内。光反射层140可具有200nm～1100nm的反射波长以及大于80％的反射率，并且光反射层140的应力方向可与柔性基板110的应力方向相同。于此，应力方向指的是由光反射层140以及柔性基板110所接收的应力类型。举例而言，上述层可以接收具有正应力值的拉伸应力或是具有负应力值的压缩应力。在本实施例中，光反射层140以及柔性基板110二者皆是接收压缩应力，意即上述两者都具有相同的应力方向。此外，这两层所接收的总压缩应力小于-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性元件，其特征在于，包括：柔性基板；缓冲层，配置于该柔性基板上；光反射层，配置于该柔性基板上，其中该光反射层的反射波长为200nm～1100nm，反射率大于80％，且该光反射层的应力方向与该柔性基板的应力方向相同；以及元件层，配置于该光反射层以及该缓冲层上。

【技术特征摘要】
2015.12.10 US 62/265,434;2016.03.07 US 15/062,2221.一种柔性元件，其特征在于，包括：柔性基板；缓冲层，配置于该柔性基板上；光反射层，配置于该柔性基板上，其中该光反射层的反射波长为200nm～1100nm，反射率大于80％，且该光反射层的应力方向与该柔性基板的应力方向相同；以及元件层，配置于该光反射层以及该缓冲层上。2.如权利要求1所述的柔性元件，其特征在于，该光反射层配置于该缓冲层内。3.如权利要求2所述的柔性元件，其特征在于，该光反射层是图案化光反射层，且该图案化光反射层不与该元件层的一栅电极重叠或是不与该元件层的多晶硅层重叠。4.如权利要求1所述的柔性元件，其特征在于，还包含阻挡层，其中该光反射层位于该阻挡层上，且位于该阻挡层以及该缓冲层之间。5.如权利要求4所述的柔性元件，其特征在于，该光反射层是图案化光反射层，且该图案化光反射层不与该元件层的栅电极重叠。6.如权利要求4所述的柔性元件，其特征在于，该光反射层是图案化光反射层，且该图案化光反射层不与该元件层的多晶硅层重叠。7.如权利要求1所述的柔性元件，其特征在于，还包含光吸收膜，其中该光吸收膜位于该光反射层上方或位于该光反射层下方。8.如权利要求7所述的柔性元件，其特征在于，该光吸收膜具有多层结构，其中该多层结构包括多个不同能隙材料的堆叠层。9.如权利要求7所述的柔性元件，其特征在于，该光吸收膜的能隙范围在1.1eV～1.8eV之间。10.如权利要求7所述的柔性元件，其特征在于，该光吸收膜位于该缓冲层内，且与该光反射层分离。11.如权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏敬文，王泰瑞，姚晓强，张祖强，苏泊沅，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71