一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法技术

本发明专利技术提供了一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将蓝光芯片上表面分为A区域、B区域、C区域三个区域，先在蓝光芯片表面涂上荧光胶A和光刻胶，对B区域、C区域进行曝光，对A区域进行显影，去除显影部分的光刻胶A，去除曝光区域的荧光胶A；S2：在蓝光芯片表面涂上荧光胶B与光刻胶，对B曝光进行显影，然后去胶；S3：在蓝光芯片表面涂抹荧光胶C和光刻胶，对A区域、B区域进行曝光，对C区域进行显影，去胶。本可实现微小化，同颗芯片做到已um为单位的小区域RGB单色光发光区域，已满足如今清晰度越来越高的液晶面板的要求。

Single chip LED micro multi-color light emitting treatment method

The invention provides a single LED chip micro color light processing method, which is characterized in that the method comprises the following steps: S1 the blue chip surface is divided into A area, B area and the C area in three areas, first in the blue chip coated with fluorescent glue A and photoresist on B region C, regional exposure, developing area of A, A developing part of the photoresist removal, removal of exposure fluorescent glue A region; S2: in the blue chip coated with fluorescent glue B and photoresist, development of B exposure, and then to glue; S3: apply fluorescent glue and photoresist in C the blue chip surface, the A area, B area exposure, developing area of C, to glue. This can achieve miniaturization, and the same chip has been um unit RGB light emitting area of monochromatic area, has now met the increasingly high definition of the requirements of the LCD panel.

【技术实现步骤摘要】
一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法
本专利技术涉及到LED
，特别是一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法。
技术介绍
专利技术原因，多色小尺寸芯片的需求很高。在大功率照明领域，采用多个小芯片串并联的技术已经使用的很成熟也很广泛。和单一大功率芯片比起来，此工艺的芯片成本较低，整体的散热性也更好、光效更高、光衰更慢，可同时达到高效率及高功率的目标，虽然有工序较复杂、信赖性较低等隐忧，但也难以动摇它的地位。其次，在显示屏应用的领域,RGB多芯片封装是一个主流的工艺，随着象素的密度越高(即分辨率越高)，单位面积下单个象素点的尺寸就必须越来越小，在逐渐朝着”小间距化”方向发展的同时，所能使用的R、G、B三色芯片的尺寸也必须越来越小，藉此满足市场上高分辨率的要求。光刻的步骤主要有：前处理、旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影、坚膜、检查图形几个步骤。光刻通常分为以光子为光源的光刻技术、以粒子为光源的光刻技术以及物理接触式光刻技术。在上述光刻技术中，以光子为基础的光刻技术种类很多，其原理是当光照射到光刻胶上时，受到光照的部分发生降解反应而能被显影液溶解(正胶)，或发生交链反应而成为不溶物(负胶)，正胶显影后的图形与掩膜板上图形一致，负胶显影后的图形与掩膜板上互补。传统方法是利用小的R、G、B芯片封装，但该方法存在缺陷很明显。详细如下：小芯片无法做到微小化，常规小芯片规格也在6-8mil左右；每颗芯片采用打线或倒装方式封装，异常概率比较高，如何将小芯片完成合适的固晶，较难；如何在小芯片小pad上打好金线，也是个难题。容易出现打线异常；小芯片串并联封装，增加了整体出现异常的概率；小芯片固晶、焊线，需要每颗抓取花费时间长，对产能降低非常明显。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法，其包括以下步骤：S1：将蓝光芯片上表面分为A区域、B区域、C区域三个区域，先在蓝光芯片表面涂上荧光胶A和光刻胶，对B区域、C区域进行曝光，对A区域进行显影，去除显影部分的光刻胶A，去除曝光区域的荧光胶A；S2：在蓝光芯片表面涂上荧光胶B与光刻胶，对B曝光进行显影，对A区域、C区域进行曝光，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶B；S3：在蓝光芯片表面涂抹荧光胶C和光刻胶，对A区域、B区域进行曝光，对C区域进行显影，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶C；最后得到得到蓝光芯片搭配荧光胶A、荧光胶B、荧光胶C，所述A区域、B区域、C区域表面分别附有荧光胶A、荧光胶B、荧光胶C。较佳地，所述光刻胶A为使芯片发红光的荧光胶，所述光刻胶B使芯片发蓝光的荧光胶，所述光刻胶C为使芯片发绿光的荧光胶。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术可实现微小化，同颗芯片做到以um为单位的小区域RGB单色光发光区域，已满足如今清晰度越来越高的液晶面板的要求；利用大芯片、倒装或者CSP芯片，较少固晶、打线次数，和难度；减少因为固晶、打线次数，造成的异常怪率；避免小芯片固晶、焊线抓取次数，缩短制程时间，提升产能。当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明图1为本专利技术实施例提供的单颗LED芯片微小化多色发光处理方法流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了本专利技术提供了一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法，如图1所示，其包括以下步骤：S1：将蓝光芯片上表面分为A区域、B区域、C区域三个区域，先在蓝光芯片表面涂上荧光胶A和光刻胶，对B区域、C区域进行曝光，对A区域进行显影，去除显影部分的光刻胶A，去除曝光区域的荧光胶A；S2：在蓝光芯片表面涂上荧光胶B与光刻胶，对B曝光进行显影，对A区域、C区域进行曝光，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶B；S3：在蓝光芯片表面涂抹荧光胶C和光刻胶，对A区域、B区域进行曝光，对C区域进行显影，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶C；最后得到得到蓝光芯片搭配荧光胶A、荧光胶B、荧光胶C，所述A区域、B区域、C区域表面分别附有荧光胶A、荧光胶B、荧光胶C。本专利技术实施例提供的所述光刻胶A为使芯片发红光的荧光胶，所述光刻胶B使芯片发蓝光的荧光胶，所述光刻胶C为使芯片发绿光的荧光胶。光刻胶A、光刻胶B以及光刻胶C具体的荧光胶种类可以根据需要进行调整。本专利技术提供的单颗LED芯片微小化多色发光处理方法可实现微小化，同颗芯片做到已um为单位的小区域RGB单色光发光区域，已满足如今清晰度越来越高的液晶面板的要求；利用大芯片、倒装或者CSP芯片，较少固晶、打线次数，和难度；减少因为固晶、打线次数，造成的异常怪率；避免小芯片固晶、焊线抓取次数，缩短制程时间，提升产能。以上公开的本专利技术优选实施例只是用于帮助阐述本专利技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该专利技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本专利技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本专利技术。本专利技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将蓝光芯片上表面分为A区域、B区域、C区域三个区域，先在蓝光芯片表面涂上荧光胶A和光刻胶，对B区域、C区域进行曝光，对A区域进行显影，去除显影部分的光刻胶A，去除曝光区域的荧光胶A；S2：在蓝光芯片表面涂上荧光胶B与光刻胶，对B曝光进行显影，对A区域、C区域进行曝光，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶B；S3：在蓝光芯片表面涂抹荧光胶C和光刻胶，对A区域、B区域进行曝光，对C区域进行显影，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶C；最后得到得到蓝光芯片搭配荧光胶A、荧光胶B、荧光胶C，所述A区域、B区域、C区域表面分别附有荧光胶A、荧光胶B、荧光胶C。

【技术特征摘要】
1.一种单颗LED芯片微小化多色发光处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将蓝光芯片上表面分为A区域、B区域、C区域三个区域，先在蓝光芯片表面涂上荧光胶A和光刻胶，对B区域、C区域进行曝光，对A区域进行显影，去除显影部分的光刻胶A，去除曝光区域的荧光胶A；S2：在蓝光芯片表面涂上荧光胶B与光刻胶，对B曝光进行显影，对A区域、C区域进行曝光，去显影区域的光刻胶和曝光区域荧光胶B；S3：在蓝光芯片表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔杰，彭友，陈龙，丁磊，
申请(专利权)人：安徽芯瑞达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34