具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法技术

本发明专利技术提出了一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法，在半导体沟道层上和介质层之间形成有漂移区，能够使形成的高压无结场效应器件具有较高的击穿电压，并且在半导体沟道层表面形成有渐变的注入杂质，能够使器件的开启速率更快，此外，形成的高压无结场效应器件具有高迁移率，具有较好的性能及可靠性。

High voltage free field effect device with graded channel and method of forming the same

The invention provides a high pressure gradient has no channel junction field-effect device and its forming method, a drift region formed between the semiconductor channel layer and dielectric layer, to enable the formation of a high-pressure junction field effect devices with high breakdown voltage, and impurity injection gradient in the semiconductor channel layer formed on the surface of the device can make the opening rate faster, in addition, the formation of high pressure junction field effect devices with high mobility, with good performance and reliability.

【技术实现步骤摘要】
具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法。
技术介绍
作为第三代半导体材料的典型代表宽禁带半导体，氮化镓(GaN)具有许多硅(Si)材料所不具备的优异性能，GaN是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料，在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步，特别是大直径硅基GaN外延技术的逐步成熟并商用化GaN功率半导体技术有望成为高性能低功耗技术解决方案，从而GaN的功率器件受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。与传统的MOSFET不同，无结场效应晶体管(JunctionlessTransistor,JLT)由源区、沟道、漏区，栅氧化层及栅极组成，从源区至沟道和漏区，其杂质掺杂类型相同，没有PN结，属于多数载流子导电的器件。通过栅极偏置电压使器件沟道内的多数载流子累积或耗尽，从而可以调制沟道电导进而控制沟道电流。当栅极偏置电压大到将沟道靠近漏极某一截面处的载流子耗尽掉，在这种情况下，器件沟道电阻变成准无限大，器件处于关闭状态。由于避开了不完整的栅氧化层与半导体沟道界面，载流子受到界面散射影响有限，提高了载流子迁移率。此外，无结场效应晶体管属于多数载流子导电器件，器件响应速度快,且沿沟道方向，靠近漏极的电场强度比常规反型沟道的MOS晶体管要来得低，因此，器件的性能及可靠性得以大大提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法，能够获得具有高迁移率的高压无结场效应器件。为了实现上述目的，本专利技术提出了一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，在所述衬底的表面形成具有鳍状结构的缓冲层；在所述缓冲层及鳍状结构表面上沉积半导体沟道层；在所述鳍状结构两侧的半导体沟道层上形成漂移区；在所述鳍状结构表面上半导体沟道层中形成渐变的注入杂质；在所述漂移区及暴露出的半导体沟道层上形成介质层；在所述鳍状结构两侧的介质层表面形成金属栅极，所述金属栅极高度低于所述鳍状结构的高度；在鳍状结构两侧暴露出的介质层表面及金属栅极的两侧形成侧墙；依次刻蚀位于鳍状结构及缓冲层表面暴露出的介质层和漂移区，暴露出源漏区域的所述半导体沟道层；在暴露出的源漏区域的半导体沟道层内进行掺杂，形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成源漏电极。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，在所述鳍状结构表面上半导体沟道层中形成渐变的注入杂质的步骤包括：在所述漂移区及暴露出的半导体沟道层上形成α-Si薄膜；对所述α-Si薄膜进行高温退火处理，使部分α-Si渐变注入在所述半导体沟道层的表面；去除剩余的α-Si薄膜。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述高温退火的温度范围为1000摄氏度～2000摄氏度。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述α-Si在所述半导体沟道层内的浓度由外及内呈递减趋势。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述α-Si薄膜采用ALD、LPCVD或MOCVD工艺形成。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述具有鳍状结构的缓冲层的形成步骤包括：在所述衬底上形成所述缓冲层；在所述缓冲层表面形成图案化的光阻；以所述图案化的光阻作为掩膜，干法刻蚀所述缓冲层，形成鳍状结构。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述缓冲层的材质为AlN。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述缓冲层采用MOCVD、ALD或者MBE工艺形成。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述半导体沟道层的材质为N-型GaN。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述漂移区的材质为氧化硅或者氮化硅。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述漂移区的形成步骤包括：在所述半导体沟道层表面形成一层薄膜层；采用化学机械研磨及回刻蚀工艺处理所述薄膜层，保留位于所述鳍状结构两侧的半导体沟道层表面的薄膜层，形成漂移区。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述薄膜层采用ALD、CVD、MOCVD或PVD工艺形成。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述介质层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化锆或氧化铪。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述金属栅极的材质为NiAu或CrAu。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述侧墙的材质为氮化硅。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，采用选择性刻蚀工艺依次刻蚀位于鳍状结构及缓冲层表面暴露出的介质层，暴露出源漏区域的所述半导体沟道层。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，采用离子注入或离子扩散工艺对所述半导体沟道层进行N+离子注入，形成源极和漏极。进一步的，在所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法中，所述源极和漏极的注入为硅原子。在本专利技术中，还提出了一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件，采用如上文所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法形成，包括：衬底、设有鳍状结构的缓冲层、具有渐变注入杂质的半导体沟道层、漂移区、介质层、金属栅极、侧墙、源极、漏极及源漏极电极，其中，所述设有鳍状结构的缓冲层形成在所述衬底上，所述具有渐变注入杂质的半导体沟道层形成在所述缓冲层表面，所述漂移区形成在位于所述鳍状结构两侧的所述半导体沟道层上，所述介质层形成在所述漂移区及鳍状结构表面的半导体沟道层上，暴露出鳍状结构顶部暴露出的半导体沟道层，所述金属栅极形成在位于鳍状结构两侧的介质层上，所述侧墙形成在鳍状结构两侧暴露出的介质层表面及金属栅极的两侧，所述源极形成在所述半导体沟道层内并位于金属栅极的两侧，所述漏极形成在鳍状结构顶部的半导体沟道层内，所述源漏极电极形成在所述源极和漏极上。与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要体现在：提出了一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，在半导体沟道层上和介质层之间形成有漂移区，能够使形成的高压无结场效应器件具有较高的击穿电压，并且在半导体沟道层表面形成有渐变的注入杂质，能够使器件的开启速率更快，此外，形成的高压无结场效应器件具有高迁移率，具有较好的性能及可靠性。附图说明图1为本专利技术一实施例中具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法的流程图；图2至图11为本专利技术一实施例中形成具有渐变沟道的高压无结场效应器件过程中的剖面示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，在所述衬底的表面形成具有鳍状结构的缓冲层；在所述缓冲层及鳍状结构表面上沉积半导体沟道层；在所述鳍状结构两侧的半导体沟道层上形成漂移区；在所述鳍状结构表面上半导体沟道层中形成渐变的注入杂质；在所述漂移区及暴露出的半导体沟道层上形成介质层；在所述鳍状结构两侧的介质层表面形成金属栅极，所述金属栅极高度低于所述鳍状结构的高度；在鳍状结构两侧暴露出的介质层表面及金属栅极的两侧形成侧墙；依次刻蚀位于鳍状结构及缓冲层表面暴露出的介质层和漂移区，暴露出源漏区域的所述半导体沟道层；在暴露出的源漏区域的半导体沟道层内进行掺杂，形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成源漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，在所述衬底的表面形成具有鳍状结构的缓冲层；在所述缓冲层及鳍状结构表面上沉积半导体沟道层；在所述鳍状结构两侧的半导体沟道层上形成漂移区；在所述鳍状结构表面上半导体沟道层中形成渐变的注入杂质；在所述漂移区及暴露出的半导体沟道层上形成介质层；在所述鳍状结构两侧的介质层表面形成金属栅极，所述金属栅极高度低于所述鳍状结构的高度；在鳍状结构两侧暴露出的介质层表面及金属栅极的两侧形成侧墙；依次刻蚀位于鳍状结构及缓冲层表面暴露出的介质层和漂移区，暴露出源漏区域的所述半导体沟道层；在暴露出的源漏区域的半导体沟道层内进行掺杂，形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成源漏电极。2.如权利要求1所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，在所述鳍状结构表面上半导体沟道层中形成渐变的注入杂质的步骤包括：在所述漂移区及暴露出的半导体沟道层上形成α-Si薄膜；对所述α-Si薄膜进行高温退火处理，使部分α-Si渐变注入在所述半导体沟道层的表面；去除剩余的α-Si薄膜。3.如权利要求2所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，所述高温退火的温度范围为1000摄氏度～2000摄氏度。4.如权利要求2所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，所述α-Si在所述半导体沟道层内的浓度由外及内呈递减趋势。5.如权利要求2所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，所述α-Si薄膜采用ALD、LPCVD或MOCVD工艺形成。6.如权利要求1所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，所述具有鳍状结构的缓冲层的形成步骤包括：在所述衬底上形成所述缓冲层；在所述缓冲层表面形成图案化的光阻；以所述图案化的光阻作为掩膜，干法刻蚀所述缓冲层，形成鳍状结构。7.如权利要求6所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为AlN。8.如权利要求6所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲层采用MOCVD、ALD或者MBE工艺形成。9.如权利要求1所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法，其特征在于，所述半导体沟道层的材质为N-型GaN。10.如权利要求1所述的具有渐变沟道的高压无结场效应器件的形成方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31