一种阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括提供一衬底基板；在衬底基板上制作栅极金属层，栅极金属层包括间隔设置的栅线和公共电极信号线；在栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形；在钝化层和栅极绝缘层上开设用于连接公共电极信号线的过孔。通过在栅线上方形成保护图形，使得在刻蚀过程中，需要刻透钝化层、保护图形和栅极绝缘层才会使栅线露出，而公共电极信号线上方没有设置保护图形，在刻蚀过程中，只需刻透钝化层和栅极绝缘层就会将公共电极信号线露出，因此在形成过孔的过程中可以保证在公共电极信号线露出时，栅线不露出，从而避免栅线与公共电极信号线出现短接。

Array substrate and manufacturing method thereof

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method thereof, belonging to the field of semiconductor technology. The manufacturing method includes providing a substrate; making a gate metal layer on a substrate, a gate metal layer includes a gate line spaced and the common electrode signal line; a gate insulating layer, an active layer, a source drain electrode layer, a passivation layer and a protection pattern is formed on the gate metal layer; in the passivation layer and the gate insulation layer opened for vias connecting the common electrode signal line. The formation of protective pattern through above the gate line, the etching process, need to carve the passivation layer and the gate insulating layer, the protection graph will make the gate line is exposed, and above the common electrode signal line is not set to protect the graphics in the etching process, only carved through the passivation layer and the gate insulating layer will be the common electrode signal line exposed, the hole may be exposed in the process to ensure a common electrode signal line, a gate line is not exposed, so as to avoid the gate line and the common electrode signal line short circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示面板由于众多优点成为被广泛应用的一种显示器件。液晶显示面板主要包括阵列基板、彩膜基板及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层和钝化层。其中，栅极金属层通常包括栅线和公共电极信号线，在完成钝化层的制作后，需要在公共电极信号线上方制作过孔，以连接公共电极信号线和之后制作在钝化层上的公共电极。在现有的制作过程中，为了提高生产效率，在制作过孔时通常通过一步刻蚀将钝化层和栅极绝缘层刻透。由于栅线和公共电极信号线之间的间距很小，而过孔的直径大于该间距，例如，该间距通常只有6μm，而过孔的直径约为9μm，这就使得在制作过程中，如果过孔设计的位置出现轻微的偏移或是过孔直径稍大，就可能使得栅线上方的栅极绝缘层被完全刻透，从而使栅线与过孔连通。在这种情况下，ITO膜层作为公共电极沉积后，栅线和公共电极信号线都将通过过孔与(ITO)公共电极连接，从而出现栅线与公共电极信号线短接的情况，导致阵列基板显示异常。
技术实现思路
为了解决在制作用于连接公共电极信号线和公共电极的过孔时，可能出现栅线与公共电极信号线短接的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法和阵列基板。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制作栅极金属层，所述栅极金属层包括栅线和公共电极信号线，所述栅线和公共电极信号线间隔设置；在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形；在所述钝化层和所述栅极绝缘层上开设用于连接所述公共电极信号线的过孔；其中，所述保护图形在所述衬底基板上的正投影和所述过孔在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述保护图形在所述衬底基板上的正投影和所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠。进一步地，所述保护图形与所述有源层同层设置，或者，所述保护图形与所述源漏极层同层设置，或者，所述保护图形设置在所述钝化层上，或者，所述保护图形设置在所述栅极金属层上。优选地，当所述保护图形与所述有源层同层设置时，在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形，包括：在所述栅极金属层上形成所述栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源层材料；刻蚀所述有源层材料，以形成所述有源层和所述保护图形；在所述有源层和所述保护图形上依次形成所述源漏极层和所述钝化层。优选地，当所述保护图形与所述源漏极层同层设置时，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形，包括：在所述栅极金属层上依次形成所述栅极绝缘层、所述有源层；在所述有源层上形成源漏极层材料；刻蚀所述源漏极层材料，以形成所述源漏极层和所述保护图形；在所述源漏极层和所述保护图形上形成所述钝化层。可选地，当所述保护图形设置在所述钝化层上时，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形，包括：依次在所述栅极金属层上形成所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极层和所述钝化层；刻蚀所述钝化层，以在所述钝化层上形成所述保护图形。优选地，当所述保护图形设置在所述钝化层上时，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形，包括：依次在所述栅极金属层上形成所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极层和所述钝化层；在所述钝化层上形成一层保护材料；去除部分所述保护材料，以形成所述保护图形。可选地，所述保护材料为金属、非晶硅、氮化硅、树脂、光刻胶中的一种。可选地，当所述保护图形设置在所述栅极金属层上时，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形，包括：在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；刻蚀所述栅极绝缘层，以在所述栅极绝缘层上形成所述保护图形；在具有所述保护图形的所述栅极绝缘层上依次形成所述有源层、所述源漏极层和所述钝化层。可选地，当所述保护图形设置在所述栅极金属层上时，在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形包括：在所述栅极金属层上形成一层保护材料；去除部分所述保护材料，以形成所述保护图形；在所述保护图形和所述栅极金属层上依次形成所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极层和所述钝化层。进一步地，所述保护材料为氮化硅、树脂、光刻胶中的一种。优选地，所述保护图形在所述衬底基板的正投影为圆形或多边形。优选地，所述保护图形的厚度为所述栅极绝缘层厚度的一半。另一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用前述的任一种制造方法制成。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在栅线上方形成保护图形，并且使得保护图形在衬底基板上的正投影和过孔在衬底基板上的正投影部分重叠，且保护图形在所述衬底基板上的正投影和栅线在衬底基板上的正投影部分重叠，从而在形成过孔的过程中，需要刻透栅线上方的钝化层、保护图形和栅极绝缘层才会使栅线露出，而公共电极信号线上方没有设置保护图形，在形成过孔的过程中，只需要刻透公共电极信号线上方的钝化层和栅极绝缘层就会将公共电极信号线露出，因此在形成过孔的过程中可以保证在公共电极信号线露出时，栅线不露出，从而可以避免栅线与公共电极信号线出现短接。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图2a是本专利技术实施例提供的一种形成有栅极金属层的衬底基板的结构示意图；图2b是本专利技术实施例提供的一种形成有栅极绝缘层的衬底基板的结构示意图；图2c是本专利技术实施例提供的一种形成有有源层材料的衬底基板的结构示意图；图2d是本专利技术实施例提供的一种形成有源层和保护图形后的衬底基板的俯视图；图2e是本专利技术实施例提供的一种形成有有源层的衬底基板的结构示意图；图2f是本专利技术实施例提供的一种形成有有源层的衬底基板的结构示意图；图2g是本专利技术实施例提供的一种形成有钝化层的衬底基板的结构示意图；图2h是本专利技术实施例提供的一种形成有钝化层的衬底基板的结构示意图；图2i是本专利技术实施例提供的一种形成有过孔的衬底基板的结构示意图；图2j是本专利技术实施例提供的一种形成有ITO的衬底基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图3a是本专利技术实施例提供的一种形成有钝化层的衬底基板的结构示意图；图3b是本专利技术实施例提供的一种形成有钝化层的衬底基板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图4a是本专利技术实施例提供的一种形成有钝化层的衬底基板的结构示意图；图4b是本专利技术实施例提供的一种形成有保护图形的衬底基板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图5a是本专利技术实施例提供的一种形成有钝化层的衬底基板的结构示意图；图5b是本专利技术实施例提供的一种形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制作栅极金属层，所述栅极金属层包括栅线和公共电极信号线，所述栅线和公共电极信号线间隔设置；在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形；在所述钝化层和所述栅极绝缘层上开设用于连接所述公共电极信号线的过孔；其中，所述保护图形在所述衬底基板上的正投影和所述过孔在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述保护图形在所述衬底基板上的正投影和所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制作栅极金属层，所述栅极金属层包括栅线和公共电极信号线，所述栅线和公共电极信号线间隔设置；在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形；在所述钝化层和所述栅极绝缘层上开设用于连接所述公共电极信号线的过孔；其中，所述保护图形在所述衬底基板上的正投影和所述过孔在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述保护图形在所述衬底基板上的正投影和所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保护图形与所述有源层同层设置，或者，所述保护图形与所述源漏极层同层设置，或者，所述保护图形设置在所述钝化层上，或者，所述保护图形设置在所述栅极金属层上。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，当所述保护图形与所述有源层同层设置时，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形，包括：在所述栅极金属层上形成所述栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源层材料；刻蚀所述有源层材料，以形成所述有源层和所述保护图形；在所述有源层和所述保护图形上依次形成所述源漏极层和所述钝化层。4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，当所述保护图形与所述源漏极层同层设置时，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形，包括：在所述栅极金属层上依次形成所述栅极绝缘层、所述有源层；在所述有源层上形成源漏极层材料；刻蚀所述源漏极层材料，以形成所述源漏极层和所述保护图形；在所述源漏极层和所述保护图形上形成所述钝化层。5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，当所述保护图形设置在所述钝化层上时，所述在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形，包括：依次在所述栅极金属层上形成所述栅极绝缘层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖志莲，赵海生，肖红玺，裴晓光，刘冲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11