一种差异化控制蚀刻深度的方法技术

本发明专利技术提供了一种差异化控制蚀刻深度的方法，该方法包括：在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层；采用第一蚀刻剂对面板进行蚀刻，在设置有第一蚀刻阻档图案层的位置形成第一蚀刻深度，在未设置有第一蚀刻阻档图案层的位置形成第二蚀刻深度，且第二蚀刻深度深于第一蚀刻阻档图案层的底面；采用第二蚀刻剂将第一蚀刻阻档图案层蚀刻掉。通过上述方法，本发明专利技术使得在同一道光罩工艺中仅通过转换蚀刻剂即可蚀刻出不同的深度，减少了工艺耗时，降低了生产成本。

A method for controlling the etching depth by differentiation

The present invention provides a method for the differential control of etching depth, the method comprises: in a laminated panel of at least a first etching stop layer pattern layer; the first etching agent on the panel is arranged on the first etching, etching barrier layer position pattern forming a first etching depth, not in is provided with a first etching barrier pattern layer is formed at a position second and second etching depth, etching depth deeper than the first etching stop layer on the bottom surface of the pattern; using second etching agent will first etch stop etching pattern layer. By the method, the invention makes it possible to etch different depths only by converting an etchant in the same reticle process, thereby reducing process time and reducing production costs.

【技术实现步骤摘要】
一种差异化控制蚀刻深度的方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种差异化控制蚀刻深度的方法。
技术介绍
在面板制作中，蚀刻是需要经常用到的工艺，通常，为了达到电学接触、面板弯曲等目的，需要采用干法蚀刻或湿法蚀刻，蚀刻出不同深度的过孔。现有技术中，对于不同深度的过孔，一般需要采用几道光罩才能实现，这样会使得工艺耗时较长，增加了生产成本。
技术实现思路
本专利技术主要提供一种差异化控制蚀刻深度的方法，旨在解决不同深度的过孔采用多道光罩而使得工艺耗时较长的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种差异化控制蚀刻深度的方法，该方法包括：在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层；采用第一蚀刻剂对所述面板进行第一次蚀刻，使得所述面板在设置有所述第一蚀刻阻档图案层的位置形成第一蚀刻深度，在未设置有所述第一蚀刻阻档图案层的位置形成第二蚀刻深度，通过控制蚀刻时间使得所述第二蚀刻深度深于所述第一蚀刻阻档图案层的底面；采用第二蚀刻剂对所述面板进行第二次蚀刻，将所述第一蚀刻阻档图案层蚀刻掉。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术通过在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层；采用第一蚀刻剂对面板进行第一次蚀刻，使得面板在设置有第一蚀刻阻档图案层的位置形成第一蚀刻深度，在未设置有第一蚀刻阻档图案层的位置形成第二蚀刻深度，通过控制蚀刻时间使得第二蚀刻深度深于第一蚀刻阻档图案层的底面；采用第二蚀刻剂对面板进行第二次蚀刻，将第一蚀刻阻档图案层蚀刻掉的方法，使得未设有第一蚀刻阻档图案层的位置与设有第一蚀刻阻档图案层的位置形成深度差异化，进而使得在同一道光罩工艺中仅通过转换蚀刻剂即可蚀刻出不同的深度，减少了工艺耗时，降低了生产成本。附图说明图1是本专利技术提供的差异化控制蚀刻深度的方法第一实施例的流程示意图；图2是图1中层叠结构在步骤S12中的状态示意图；图3是图1中层叠结构在步骤S13中的状态示意图；图4是本专利技术提供的差异化控制蚀刻深度的方法第二实施例的流程示意图；图5是图4中层叠结构在步骤S22中的状态示意图；图6是图4中层叠结构在步骤S23中的状态示意图；图7是图4中层叠结构在步骤S24中的状态示意图；图8是图4中层叠结构在步骤S25中的状态示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术所提供的一种差异化控制蚀刻深度的方法做进一步详细描述。参阅图1和图2，本专利技术提供的差异化控制蚀刻深度的方法的第一实施例包括：S11：在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层110；为了便于说明，在本实施例中，层叠结构以柔性显示面板中的层叠结构为例，即该层叠结构包括由下至上的基板101、阻隔层102、缓冲层103、主动层104、覆盖主动层104的栅极绝缘层105、栅极图案层106、覆盖栅极图案层106的电容介电层107、电容电极图案层108及覆盖电容电极图案层108的绝缘层109。一般的，在柔性显示面板的层叠结构中，需要蚀刻出不同深度的待蚀刻孔，比如图1中所示的待蚀刻孔A1及待蚀刻孔B1，待蚀刻孔A1用于实现数据线与主动层104接触，因而需要蚀刻至主动层104的上表面，待蚀刻孔B1用于减轻面板弯曲时的应力，需要蚀刻至缓冲层103的上表面，因此，在本实施例中，待蚀刻孔A1的待蚀刻深度小于待蚀刻孔B1的待蚀刻深度。进一步地，在待蚀刻孔A1的位置设置第一蚀刻阻挡图案层110。可选的，在待蚀刻孔A1的位置，在电容介电层107的上表面形成与电容电极图案层108同层设置的第一蚀刻阻挡图案层110，且为了简化工艺，可在形成电容电极图案层108的同时采用同一道光刻工艺形成第一蚀刻阻挡图案层110。其中，层叠结构的材料为无机材料，比如SiNx或SiO2，第一蚀刻阻挡图案层108的材料为金属材料，比如Mo、Ti、A1l或TiA1l合金金属。S12：采用第一蚀刻剂对面板进行第一次蚀刻，使得面板在设置有第一蚀刻阻档图案层110的位置形成第一蚀刻深度，在未设置有第一蚀刻阻档图案层110的位置形成第二蚀刻深度，通过控制蚀刻时间使得第二蚀刻深度深于第一蚀刻阻档图案层110的底面；具体地，采用第一蚀刻剂对面板进行第一次蚀刻，在待蚀刻孔A1及待蚀刻孔B1的位置会同时被蚀刻，如图2中箭头所示，当待蚀刻孔A1的位置处蚀刻到第一蚀刻阻挡图案层110的上表面时，由于蚀刻剂不能蚀刻第一蚀刻阻挡图案层110而停止蚀刻，形成第一待蚀刻深度，而待蚀刻孔B1由于未设置第一蚀刻阻挡图案层110而会继续蚀刻，此时，通过控制蚀刻时间，使得待蚀刻孔B1的位置蚀刻到超过第一蚀刻阻挡图案层110底面的位置，形成第二蚀刻深度，且在本实施例中，可通过控制蚀刻时间使超过第一蚀刻阻挡图案层110底面的深度等于主动层104的厚度。其中，当采用干法蚀刻时，第一蚀刻剂可以是包括但不限于CF4与O2的混合气体或C2FH5、A1r与H2的混合气体；当采用湿法蚀刻时，第一蚀刻剂可以是包括但不限于HF或B1OE的液体。S13：采用第二蚀刻剂对面板进行第二次蚀刻，将第一蚀刻阻档图案层110蚀刻掉。具体地，采用第二蚀刻剂对面板进行第二次蚀刻，如图3中箭头所示，由于第二蚀刻剂不能蚀刻无机材料的层叠结构，只能对金属材料的第一蚀刻阻挡图案层110进行蚀刻，而使得在待蚀刻孔B1的位置不进行蚀刻，待蚀刻孔A1的位置继续蚀刻，直至将第一蚀刻阻挡图案层蚀刻掉，由于在步骤S12中，第二蚀刻深度深于第一蚀刻阻档图案层110的底面，而使得待蚀刻孔B1的蚀刻深度要大于待蚀刻孔A1的蚀刻深度。其中，当采用干法蚀刻时，第二蚀刻剂可以是包括但不限于SF6与O2的混合气体、Cl2与O2的混合气体或Cl2与B1F3的混合气体；当采用湿法蚀刻时，第二蚀刻剂可以是包括但不限于H3PO4、HNO3或HCOOH的液体。进一步地，在本实施例中，为了使得待蚀刻孔A1与主动层104接触，待蚀刻孔B1与缓冲层103接触，可重复使用第一蚀刻剂对面板进行蚀刻，直至待蚀刻孔A1蚀刻到与主动层104接触、待蚀刻孔B1蚀刻到与缓冲层103接触，且由于步骤S12中，可通过控制蚀刻时间使超过第一蚀刻阻挡图案层110底面的深度等于主动层104的厚度，使得在继续蚀刻时，待蚀刻孔A1与待蚀刻孔B1可同时分别与主动层104及缓冲层103接触，此时即可完成待蚀刻孔A1与待蚀刻孔B1的蚀刻。参阅图4及图5，本专利技术提供的差异化控制蚀刻深度的方法的第二实施例包括：S21：在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻挡图案层210及第二蚀刻阻档图案层211；其中，第二蚀刻阻挡图案层211所在的层位于第一蚀刻阻挡图案层210所在的层的下方，且第二蚀刻阻挡图案层211的图案的数量少于第一蚀刻阻挡图案层210的图案的数量。如图5所示，本实施例中，柔性显示面板的层叠结构中的待蚀刻孔以待蚀刻孔A2、待蚀刻孔B2及待蚀刻孔C为例，其中，待蚀刻A2、待蚀刻孔B2与上述第一实施例中的待蚀刻孔A1、待蚀刻孔B1相同，待蚀刻孔C用于实现更大曲率半径的弯折，需要蚀刻至基板201。具体地，在待蚀刻孔A2的位置设置第一蚀刻阻挡图案层210及第二蚀刻阻挡图案层211，在待蚀刻孔B2的位置设置第一蚀刻阻挡图案层210，设置第一蚀刻阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种差异化控制蚀刻深度的方法，其特征在于，所述方法包括：在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层；采用第一蚀刻剂对所述面板进行第一次蚀刻，使得所述面板在设置有所述第一蚀刻阻档图案层的位置形成第一蚀刻深度，在未设置有所述第一蚀刻阻档图案层的位置形成第二蚀刻深度，通过控制蚀刻时间使得所述第二蚀刻深度深于所述第一蚀刻阻档图案层的底面；采用第二蚀刻剂对所述面板进行第二次蚀刻，将所述第一蚀刻阻档图案层蚀刻掉。

【技术特征摘要】
1.一种差异化控制蚀刻深度的方法，其特征在于，所述方法包括：在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层；采用第一蚀刻剂对所述面板进行第一次蚀刻，使得所述面板在设置有所述第一蚀刻阻档图案层的位置形成第一蚀刻深度，在未设置有所述第一蚀刻阻档图案层的位置形成第二蚀刻深度，通过控制蚀刻时间使得所述第二蚀刻深度深于所述第一蚀刻阻档图案层的底面；采用第二蚀刻剂对所述面板进行第二次蚀刻，将所述第一蚀刻阻档图案层蚀刻掉。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在层叠结构的面板中的至少一层设置第一蚀刻阻档图案层还包括：在所述层叠结构的面板中的至少一层设置第二蚀刻阻档图案层，其中所述第二蚀刻阻档图案层所在的层位于所述第一蚀刻阻档图案层所在的层的下方；所述采用第二蚀刻剂对所述面板进行第二次蚀刻，将所述第一蚀刻阻档图案层蚀刻掉之后进一步包括：采用所述第一蚀刻剂对所述面板进行第三次蚀刻，使得所述面板在设置有所述第二蚀刻阻档图案层的位置和在未设置有所述第二蚀刻阻档图案层的位置同步蚀刻直至蚀刻到未设置有所述第二蚀刻阻档图案层的位置的蚀刻深度深于所述第二蚀刻阻档图案层的底面；采用所述第二蚀刻剂对所述面板进行第四次蚀刻，将所述第二蚀刻阻档图案层蚀刻掉。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用所述第二蚀刻剂对所述面板进行第四次蚀刻，将所述第二蚀刻阻档图案层蚀刻掉之后进一步包括：采用所述第一蚀刻剂对所述面板进行第五次蚀刻。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述层叠结构包括由下至上的基板、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42