一种大功率直流调速装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术是所述的一种大功率直流调速装置，包括功率单元、控制单元、柜体，其特征在于，功率单元设在柜体顶部，控制单元设于柜体中，且控制单元与功率单元间隔一定距离，功率单元中的主回路、控制单元中的控制回路以及柜体中的辅助回路通过线路连接。优选地，功率单元包括上下各一个支撑件，支撑件左右两侧各连接有一块侧板，上下支撑件内侧各设有一个母排a，两块侧板间设有六个串联的可控硅组件，各可控硅组件间设有间隔板，可控硅组件包括散热器、可控硅，可控硅夹在两个散热器中间，每片散热器前后面均有滑槽，滑槽内有带螺栓孔的塞条，塞条固定有母排b、母排c，母排c上固定有快熔，下支撑件上的母排a通过螺栓与母排c配合。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率直流调速装置
本技术涉及直流调速
，尤其涉及一种大功率直流调速装置。
技术介绍
直流调速装置广泛应用于钢、塑料、印刷、造纸、起重、采矿、石油天然气等行业中作为直流电机的驱动器，也可作为同步电机的励磁装置。目前国内控制单元置于与功率单元距离过近，甚至置于功率单元中，功率单元发热量较大，对控制单元影响严重，控制单元中的控制回路与功率单元中的主回路电磁干扰严重，影响设备整体性能，且控制回路与主回路元件间空间狭小，调试、维修困难。因此，需要在结构上做出改进。
技术实现思路
本技术旨在解决现有技术的不足，而提供一种大功率直流调速装置。本技术为实现上述目的，采用以下技术方案：所述的一种大功率直流调速装置，包括功率单元、控制单元、柜体，其特征在于，功率单元设在柜体顶部，控制单元设于柜体中，且控制单元与功率单元间隔一定距离，功率单元中的主回路、控制单元中的控制回路以及柜体中的辅助回路通过线路连接。优选地，功率单元包括上下各一个支撑件，支撑件左右两侧各连接有一块侧板，上下支撑件内侧各设有一个母排a，两块侧板间设有六个串联的可控硅组件，各可控硅组件间设有间隔板，可控硅组件包括散热器、可控硅，可控硅夹在两个散热器中间，每片散热器前后面均有滑槽，滑槽内有带螺栓孔的塞条，塞条固定有母排b、母排c，母排c上固定有快熔，下支撑件上的母排a通过螺栓与母排c配合。优选地，可控硅上有定位孔，销钉穿过散热器将可控硅定位，相邻两片散热器抱紧与可控硅形成一个整体。优选地，功率单元顶部设有散热单元。优选地，所述散热单元包括通风罩、风机，通风罩位于功率单元上，风机位于通风罩上。优选地，风机为轴流式风机。优选地，通风罩的上下法兰带有密封垫。优选地，柜体侧壁设有通风孔。优选地，所述柜体侧壁上的通风孔设有过滤网。控制板、电源板、脉冲板、励磁板及励磁回路共同构成装置控制单元，其中励磁回路集成到控制单元底部(见图2控制单元)。功率单元的主回路由两个三相半控整流桥电路反并联组成，可实现电机四象限运行，也可以作为极性可变、电压可调的整流电源(见图1功率单元)。主回路三相进线由铜排连接至功率单元。主回路由两路反并联三相半控整流桥组成，电力电子元件为可控硅。分别由六个快熔以及六组阻容吸收回路对其进行保护，六个快熔中有三个在交流侧，有三个在直流侧，其电气功能一样，都可以对相应的可控硅组件进行过流保护，而这种设计方式可以使整体结构更加科学、美观。三相主回路通过铜排分别与其中三个快熔串联，每个快熔分别由铜排串联一组可控硅组件，此三组可控硅组件出线端用铜排并联组成直流侧一极；同时三相主回路通过铜排分别与另外三组可控硅组件串联，每组可控硅组件出线端分别与所剩的三个快熔中的一个用铜排串联，三个快熔出线端用铜排并联组成直流侧另一极。而六组阻容吸收回路分别用高压线与六组可控硅组件进行并联，以对可控硅组件进行过压保护。在主回路进线端，安装两个电流互感器，电流互感器二次侧由双绞线接入至控制单元，对主回路电流进行检测。分别从三相交流进线以及直流出线的铜排上用高压线引出五路电路接至控制单元，对进线电源电压以及出线电源电压进行检测。主回路六个快熔分别带有常开辅助触点，将六个辅助触点用导线串联接至控制单元，对快熔故障进行检测。控制单元从电源板上用双绞线引出脉冲信号线，经脉冲放大板放大后引至相应的可控硅触发端，对可控硅的打开进行控制，从而控制直流电压。本技术的有益效果是：本技术将控制单元与功率单元分离，防止了功率单元散发的热量影响控制单元性能，同时避免了功率单元中主回路与控制单元中控制回路的电磁干扰，控制单元独立出来也方便对主回路和控制回路调试、维修；功率单元顶部设有散热单元，便于功率单元散热；柜体侧壁设有通风孔，散热单元形成由下向上的气流，冷空气经柜体侧壁上的通风口进入经过所有元件上升到散热单元，散热单元将吸收了大量热的空气排出，使大功率直流调速装置散热持续良好；可控硅组件组成一个整体，便于用户更换。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的功率单元与散热单元的结构示意图；图3为本技术的功率单元的爆炸图；图4为本技术的可控硅组件爆炸图；图5为本技术的控制单元结构示意图；图6为本技术的母排b、母排c与可控硅组件组装爆炸图。图中：1-功率单元；2-控制单元；3-柜体；4-散热单元；5-通风罩；6-风机；7-散热器；8-可控硅；9-快熔；10-母排a；11-母排b；12-母排c；13-侧板；14-支撑件；15-可控硅组件；16-间隔板；17-滑槽；18-塞条。以下将结合本技术的附图进行详细叙述。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步说明：如图1至图6所示，所述的一种大功率直流调速装置，包括功率单元1、控制单元2、柜体3，其特征在于，功率单元1设在柜体3顶部，控制单元2设于柜体3中，且控制单元2与功率单元1间隔一定距离，功率单元1中的主回路、控制单元2中的控制回路以及柜体3中的辅助回路通过线路连接。优选地，功率单元1包括上下各一个支撑件14，支撑件14左右两侧各连接有一块侧板13，上下支撑件14内侧各设有一个母排a10，两块侧板13间设有六个串联的可控硅组件15，各可控硅组件15间设有间隔板16，可控硅组件15包括散热器7、可控硅8，可控硅8夹在两个散热器7中间，每片散热器7前后面均有滑槽17，滑槽17内有带螺栓孔的塞条18，塞条18固定有母排b11、母排c12，母排c12上固定有快熔9，下支撑件14上的母排a10通过螺栓与母排c12配合。优选地，可控硅8上有定位孔，销钉穿过散热器7将可控硅8定位，相邻两片散热器7抱紧与可控硅8形成一个整体。优选地，功率单元1顶部设有散热单元4。优选地，所述散热单元4包括通风罩5、风机6，通风罩5位于功率单元1上，风机6位于通风罩5上。优选地，风机6为轴流式风机。优选地，通风罩5的上下法兰带有密封垫。优选地，柜体3侧壁设有通风孔。优选地，所述柜体3侧壁上的通风孔设有过滤网。控制板、电源板、脉冲板、励磁板及励磁回路共同构成装置控制单元2，其中励磁回路集成到控制单元2底部(见图5控制单元)。功率单元1的主回路由两个三相半控整流桥电路反并联组成，可实现电机四象限运行，也可以作为极性可变、电压可调的整流电源(见图3功率单元)。主回路三相进线由铜排连接至功率单元1。主回路由两路反并联三相半控整流桥组成，电力电子元件为可控硅8。分别由六个快熔9以及六组阻容吸收回路对其进行保护，六个快熔9中有三个在交流侧，有三个在直流侧，其电气功能一样，都可以对相应的可控硅组件15进行过流保护，而这种设计方式可以使整体结构更加科学、美观。三相主回路通过铜排分别与其中三个快熔9串联，每个快熔9分别由铜排串联一组可控硅组件15，此三组可控硅组件15出线端用铜排并联组成直流侧一极；同时三相主回路通过铜排分别与另外三组可控硅组件15串联，每组可控硅组件15出线端分别与所剩的三个快熔9中的一个用铜排串联，三个快熔9出线端用铜排并联组成直流侧另一极。而六组阻容吸收回路分别用高压线与六组可控硅组件15进行并联，以对可控硅组件15进行过压保护。在主回路进线端，安装两个电流互感器，电流互感器二次侧由双绞线接入至控制单元2，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率直流调速装置，包括功率单元(1)、控制单元(2)、柜体(3)，其特征在于，功率单元(1)设在柜体(3)顶部，控制单元(2)设于柜体(3)中，且控制单元(2)与功率单元(1)间隔一定距离，功率单元(1)中的主回路、控制单元(2)中的控制回路以及柜体(3)中的辅助回路通过线路连接。

【技术特征摘要】
1.一种大功率直流调速装置，包括功率单元(1)、控制单元(2)、柜体(3)，其特征在于，功率单元(1)设在柜体(3)顶部，控制单元(2)设于柜体(3)中，且控制单元(2)与功率单元(1)间隔一定距离，功率单元(1)中的主回路、控制单元(2)中的控制回路以及柜体(3)中的辅助回路通过线路连接。2.根据权利要求1所述的一种大功率直流调速装置，其特征在于，功率单元(1)包括上下各一个支撑件(14)，支撑件(14)左右两侧各连接有一块侧板(13)，上下支撑件(14)内侧各设有一个母排a(10)，两块侧板(13)间设有六个串联的可控硅组件(15)，各可控硅组件(15)间设有间隔板(16)，可控硅组件(15)包括散热器(7)、可控硅(8)，可控硅(8)夹在两个散热器(7)中间，每片散热器(7)前后面均有滑槽(17)，滑槽(17)内有带螺栓孔的塞条(18)，塞条(18)固定有母排b(11)、母排c(12)，母排c(12)上固定有快熔(9)，下支撑件(14)上的母排a(10)通过螺栓与母排c(12)配合。3.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：高建军，王伟征，
申请(专利权)人：天津一重电气自动化有限公司，中国第一重型机械股份公司，
类型：新型
国别省市：天津,12