凹面载板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种凹面载板，是对板式PECVD工艺中的硅片载板的结构改进，在载板上开设有用于装载硅片的槽，在槽的边沿具有用于托住硅片的承载面，承载面采用曲面形式，曲面布置在被承载硅片的至少两个侧边上，曲面与硅片的边缘之间为线接触。本实用新型专利技术把载板的硅片承载接触面从现有的平台阶面改进为凹面，进而将硅片边缘与载板接触由面接触变为线接触，能够极大地降低边缘效应的影响，同时避免绕镀的发生。

【技术实现步骤摘要】
凹面载板
本技术属于光伏产品的工艺设备
，涉及对板式PECVD镀膜、PERC电池背钝化和镀膜等太阳能电池片镀膜工艺中的载板的结构改进，具体涉及一种凹面载板。
技术介绍
在太阳能电池的硅片制造工艺中，硅片通过碳纤维载板装载，再进入板式PECVD生产线进行镀膜，可见载板装载是硅片成为电池片的生产工序中的一道必要工序。现有载板的结构如图1所示，其工作时载板托住硅片的部分是台阶面，台阶面上立面与平面的夹角为90°，而在生产过程中，硅片和载板上的承载面一直是接触的，经过高温以及相应的生产工艺后，在接触面位置，载板会对硅片所镀的膜层会产生一定的影响，比如边缘效应。经检索，中国专利文献CN205792426U公开了一种适用于PERC电池片的双面镀膜石墨框，如图1所示，包括内部中空的石墨边框1，石墨边框1的每个边框的顶面均设置有台阶3和斜面4，台阶3和斜面4由内至外设置，台阶3的竖直面的顶端连接斜面4的底端，多个斜面4形成上大下小的倒锥形开口结构，台阶3的竖直面的高度略大于硅片2的厚度，台阶3的宽度略大于硅片2的预留边缘宽度。其将石墨边框的宽度加宽，在此基础上，设置斜面4，斜面4的高度为平缓下降，从而可以形成长缓坡状的结构，再配合台阶3，使得台阶3的台阶面与斜面的底端的高度，也就是台阶3的竖直面的高度略大于硅片的厚度0.2mm，这样可以有效降低硅片的顶面与石墨边框的顶端的落差，进而在正面镀膜时，可以有效防止因突然抖动造成的硅片掉落，确保上下面镀膜正常，且上下镀膜均无绕射情况，也可以较好地缓解石墨边框本身的高度对硅片的正面边缘的影响。但在生产过程中，硅片和载板上的承载面一直是接触的，经过高温以及相应的生产工艺后，在接触面位置，对硅片所镀的膜层会产生边缘效应，影响产品质量对现有硅片载板结构的承载接触方式做进一步的改进，将其对硅片镀膜边缘部分的影响降到最低，就成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种凹面载板。技术方案：为解决上述技术问题，本技术提供的凹面载板，在载板上开设有用于装载硅片的槽，在槽的边沿具有用于托住硅片的承载面，所述承载面是曲面，所述曲面布置在被承载硅片的至少两个侧边上，所述曲面与硅片的边缘之间为线接触。具体地，所述曲面布置在硅片的四周。从而对硅片的四周更加稳定地托举。具体地，在所述曲面与的接触线的正交面上作法线，所述法线与硅片表面的夹角是46°~86°。具体地，所述夹角是75°。具体地，所述曲面的高度是硅片厚度的10~20倍。具体地，所述曲面的顶端与载板上表面具之间具有过渡面。具体地，所述过渡面是竖直面，竖直面与曲面衔接处形成的沉槽可以避免硅片位移。具体地，所述曲面相互对称，以被托举硅片的中线对称，将斜面对硅片施加的托举力分解为竖直分力与水平分力，竖直分力与硅片重力平衡，两对称斜面的水平分力大小相等，方向相反，从而相互抵消，保证硅片的受力处于平衡状态。有益效果：本技术克服了原有平台阶面承载的情况下，承载面的接触面较大，而采用线接触的方式，可以最大限度的减少相互间的接触，避免边缘效应的产生，提高了电池片的镀膜效率。除了上面所述的本技术解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的优点外，本技术的凹面载板所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的优点，将结合附图做出进一步详细的说明。附图说明图1是现有硅片载板的结构示意图；图2是本技术实施例1的结构示意图；图3是图2的整体结构示意图；图4是图3的A-A视图；图5是图4的局部放大图；图6是图2的局部放大图图中：石墨边框1，硅片2，台阶3，斜面4，凹面5，竖直面6。具体实施方式实施例1：本实施例的凹面载板如图2所示，具有与硅片2边缘相接触的凹面5，竖直面6，硅片1的边缘与凹面5形成线接触，极大减少硅片与载板的接触面积，最大限度地降低载板对镀膜生产过程产生的影响。斜托面的顶端与载板上表面具之间设置竖直面6作为过渡面，两者之间形成的沉槽可以避免硅片位移。如图3、图4和图5所示，在石墨边框1上具有矩阵排列的槽，每个槽的边缘均具有凹面5与竖直面6，用于同时承载多片硅片进行镀膜。如图6所示，硅片2与凹面5接触点的法线，与硅片2形成一个夹角C，经过实验工艺，夹角C在46°到86°范围内，能够取得较优效果；当C取75°时取得最优效果，能够极大减少边缘效应影响，且绕镀等其他可能出现的问题也不明显。经过几次不同工艺的调整验证，本技术的凹面形式在保证最小的接触面积的同时，对硅片边缘的托举稳定性也非常好。以上结合附图对本技术的实施方式做出详细说明，但本技术不局限于所描述的实施方式。对本领域的普通技术人员而言，在本技术的原理和技术思想的范围内，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变形仍落入本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种凹面载板，所述载板上开设有用于装载硅片的槽，在槽的边沿具有用于托住硅片的承载面，其特征在于：所述承载面是曲面，所述曲面布置在被承载硅片的至少两个侧边上，所述曲面与硅片的边缘之间为线接触。

【技术特征摘要】
1.一种凹面载板，所述载板上开设有用于装载硅片的槽，在槽的边沿具有用于托住硅片的承载面，其特征在于：所述承载面是曲面，所述曲面布置在被承载硅片的至少两个侧边上，所述曲面与硅片的边缘之间为线接触。2.根据权利要求1所述的凹面载板，其特征在于：所述曲面布置在硅片的四周。3.根据权利要求1所述的凹面载板，其特征在于：在所述曲面与的接触线的正交面上作法线，所述法线与硅片表面的夹角是46...

【专利技术属性】
技术研发人员：周桂宏，
申请(专利权)人：南京仁厚科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32