单体的阴离子聚合方法技术

一种单体的阴离子聚合方法，其中包括（ａ）在≥５０℃温度下使单体与阳离子聚合引发剂进行间歇式反应，（ｂ）然后使步骤（ａ）的产物与附加的单体进行连续或半连续式反应．在此方法中，通过在步骤（ａ）的产物中连续或半连续地加入单体，同时保持（ａ）步骤中未反应单体与（ａ）步骤引发剂加料之摩尔比至少为１：１，使步骤（ｂ）开始．可以制得分子量分布窄的聚合物．（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单体的阴离子聚合法，包括下列步骤：（ａ）在至少５０℃温度下，以间歇方式使适于阴离子聚合的单体加料与阴离子聚合引发剂加料接触并反应，（ｂ）随后以连续或半连续方式使（ａ）步骤的产物与附加的单体接触并反应，以便继续此阴离子聚合反应，在此方法中，当（ａ）步骤中未反应单体与（ａ）步骤中引发剂加料之摩尔比保持至少为１∶１时，利用在间歇式步骤（ａ）的产品中加入单体的方法使连续式或半连续式步骤（ｂ）开始。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：阿瑟罗宾森比恩，
申请(专利权)人：国际壳牌研究有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]