阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板，包括：基底、绝缘层、微电子机械系统开关和像素电极；所述微电子机械系统开关包括：栅极、源极和漏极；所述栅极设置在所述基底的第一表面上；所述绝缘层设置在所述基底的第一表面上，并覆盖所述栅极；所述源极、所述漏极和所述像素电极均设置在所述绝缘层的第一表面上；所述漏极和所述像素电极连接；其中，在所述栅极未加载电压的状态下，所述源极和所述漏极之间具有间隙；在所述栅极加载电压的状态下，所述源极和所述漏极接触。本发明专利技术还提供一种阵列基板的制作方法和显示装置。本发明专利技术的阵列基板在栅极未加载电压的状态下，源极和漏极之间具有间隙，不会产生漏电流。

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

The present invention provides an array substrate includes a substrate, an insulating layer, MEMS switch and pixel electrode; the MEMS switch includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode; the gate is arranged on the first surface of the substrate; the insulation layer is arranged on the first surface of the substrate, and covering the gate; the source electrode and the drain and the pixel electrodes are arranged on the first surface of the insulating layer; the drain electrode and the pixel electrode connection; among them, in the gate without load voltage state, the source and the the drain has a gap in the gate voltage; loading condition, the source electrode and the drain contact. The invention also provides a method for manufacturing an array substrate and a display device. The array substrate of the present invention has a gap between the source and drain in the state that the gate is not loaded, and no leakage current is generated.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
现有移动产品对功耗和显示效果的要求越来越高，为了实现降低功耗的目的，通过低频驱动可以有效降低功耗；为了实现提升显示效果的目的，通过高频驱动可以有效解决画面的拖影问题。若在移动产品上兼顾低功耗和高画质，则需要显示装置同时支持低频驱动和高频驱动。目前，TFT(薄膜晶体管，ThinFilmTransistor)显示装置采用TFT开关，其源极和漏极通过沟道层连接，该沟道层采用a-Si、LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅技术)和Oxide(氧化物)三种材料，分别采用a-Si、LTPS和Oxide背板技术控制像素的开关。其中a-Si技术不能支持高频驱动；LTPS可以满足高频驱动的充电需求，但100cm/m2的迁移率不能满足更高频率的充电需求，同时因为源极和漏极通过沟道层连接，漏电流严重，不能进行低频驱动以降低功耗；Oxide可以支持高频驱动，同时可支持低频驱动，但因为源极和漏极通过沟道层连接，无法完全解决漏电流问题，低频驱动的频率不能进一步降低。因此，现有技术的显示装置的像素开关无法较好地解决漏电流的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以解决现有技术的显示装置的阵列基板存在漏电流的问题。第一方面，本专利技术的技术方案提供一种阵列基板，包括：基底、绝缘层、微电子机械系统开关和像素电极；所述微电子机械系统开关包括：栅极、源极和漏极；所述栅极设置在所述基底的第一表面上；所述绝缘层设置在所述基底的第一表面上，并覆盖所述栅极；所述源极、所述漏极和所述像素电极均设置在所述绝缘层的第一表面上；所述漏极和所述像素电极接触；其中，在所述栅极未加载电压的状态下，所述源极和所述漏极之间具有间隙；在所述栅极加载电压的状态下，所述源极和所述漏极接触。进一步：所述源极包括悬空设置的第一部分源极和第二部分源极；所述第一部分源极和所述栅极在所述基底的正投影存在重叠区域；所述第二部分源极悬空位于所述漏极的第一表面上，使所述第二部分源极和所述漏极在所述基底的正投影存在重叠区域。进一步：所述源极在所述基底的正投影与所述像素电极在所述基底的正投影间隔第一距离。进一步：所述源极和所述漏极的材料均为金属导电材料或者半导体导电材料。第二方面，本专利技术的技术方案提供一种阵列基板的制作方法，包括：在基板的第一表面上制作栅极；在所述基板的第一表面上形成绝缘层，使所述绝缘层覆盖所述栅极；在所述绝缘层的第一表面上制作漏极和像素电极，使所述漏极和所述像素电极接触；在所述绝缘层的第一表面和所述漏极的第一表面上制作牺牲层；在所述绝缘层的第一表面和所述牺牲层的第一表面上制作源极，使所述栅极、所述源极和所述漏极形成微电子机械系统开关；去除所述牺牲层，得到所述阵列基板；其中，在所述栅极未加载电压的状态下，所述源极和所述漏极之间具有间隙；在所述栅极加载电压的状态下，所述源极和所述漏极接触。进一步，所述在所述绝缘层的第一表面上制作源极的步骤，包括：在第一牺牲层的第一表面上制作第一部分源极，使所述第一部分源极和所述栅极在所述基底的正投影存在重叠区域；其中，所述第一牺牲层位于所述绝缘层的第一表面上；在第二牺牲层的第一表面上制作第二部分源极，使所述第二部分源极和所述漏极在所述基底的正投影存在重叠区域，其中，所述第二牺牲层位于所述漏极的第一表面上；其中，所述源极包括所述第一部分源极和所述第二部分源极。进一步，所述在所述绝缘层的第一表面上制作源极的步骤，包括：将所述源极与所述像素电极间隔设置，使所述源极在所述基底的正投影与所述像素电极在所述基底的正投影间隔第一距离。进一步：所述源极和所述漏极的材料均为金属导电材料或者半导体导电材料。进一步，所述牺牲层材料包括：磷酸玻璃、二氧化硅、多晶硅或者多孔硅。第三方面，本专利技术的技术方案提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。这样，本专利技术实施例中，通过设置微电子机械系统开关，使得在栅极未加载电压的状态下，源极和漏极之间具有间隙，因而不会产生漏电流；而在栅极加载电压的状态下，栅极可吸引源极使源极和漏极接触，使得电路导通，安装有该阵列基板的显示装置可以显示图像。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例的阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例的阵列基板的制作方法的流程图；图3是本专利技术实施例的覆盖绝缘层后的阵列基板的结构示意图；图4是本专利技术实施例的制作漏极和像素电极后的阵列基板的结构示意图；图5是本专利技术实施例的制作牺牲层后的阵列基板的结构示意图；图6是本专利技术实施例的制作源极后的阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例公开了一种阵列基板。如图1所示，该阵列基板包括：基底101、绝缘层102、微电子机械系统开关和像素电极103。其中，微电子机械系统开关包括：栅极104、源极105和漏极106。栅极104设置在基底101的第一表面上。优选的，基底101可以是玻璃基底，也可以是聚合物透明基底，如PI、PET等。该栅极104的材料可以是金属导电材料或者半导体导电材料。绝缘层102设置在基底101的第一表面上，并覆盖栅极104，从而可将栅极104和源极105隔离，避免两者短路造成危险。源极105、漏极106和像素电极103均设置在绝缘层102的第一表面上。漏极106和像素电极103接触，从而可在电路导通的时候为像素供电。优选的，该像素电极103可采用ITO、金属等材料。在栅极104未加载电压的状态下，源极105和漏极106之间具有间隙。本实施例中该源极105和漏极106之间不具有现有技术的沟道层连接两者，因此，当超低频驱动时不会产生漏电流。在栅极104加载电压的状态下，可吸引源极105向栅极104移动，从而使源极105和漏极106接触，使电路导通。因此，通过设置微电子机械系统开关，可使该阵列基板在超低频驱动时，源极105和漏极106之间不会产生漏电流，避免损坏阵列基板。在一优选的实施例中，源极105包括悬空设置的第一部分源极1051和第二部分源极1052。本专利技术中的悬空设置指的是第一部分源极1051与绝缘层102隔有间隔，并且第二部分源极1052和漏极106隔有间隔。因此，该悬空设置的第一部分源极105和第二部分源极1052确保源极105和漏极106之间在结构上是具有间隙的。第一部分源极1051和栅极104在基底101的正投影存在重叠区域，从而使得在栅极104加载电压的状态下，栅极104可吸引第一部分源极1051向栅极104方向移动。第二部分源极1052悬空位于漏极106的第一表面上，使第二部分源极10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基底、绝缘层、微电子机械系统开关和像素电极；所述微电子机械系统开关包括：栅极、源极和漏极；所述栅极设置在所述基底的第一表面上；所述绝缘层设置在所述基底的第一表面上，并覆盖所述栅极；所述源极、所述漏极和所述像素电极均设置在所述绝缘层的第一表面上；所述漏极和所述像素电极接触；其中，在所述栅极未加载电压的状态下，所述源极和所述漏极之间具有间隙；在所述栅极加载电压的状态下，所述源极和所述漏极接触。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底、绝缘层、微电子机械系统开关和像素电极；所述微电子机械系统开关包括：栅极、源极和漏极；所述栅极设置在所述基底的第一表面上；所述绝缘层设置在所述基底的第一表面上，并覆盖所述栅极；所述源极、所述漏极和所述像素电极均设置在所述绝缘层的第一表面上；所述漏极和所述像素电极接触；其中，在所述栅极未加载电压的状态下，所述源极和所述漏极之间具有间隙；在所述栅极加载电压的状态下，所述源极和所述漏极接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述源极包括悬空设置的第一部分源极和第二部分源极；所述第一部分源极和所述栅极在所述基底的正投影存在重叠区域；所述第二部分源极悬空位于所述漏极的第一表面上，使所述第二部分源极和所述漏极在所述基底的正投影存在重叠区域。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述源极在所述基底的正投影与所述像素电极在所述基底的正投影间隔第一距离。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述源极和所述漏极的材料均为金属导电材料或者半导体导电材料。5.一种阵列基板的制作方法，包括：在基板的第一表面上制作栅极；在所述基板的第一表面上形成绝缘层，使所述绝缘层覆盖所述栅极；在所述绝缘层的第一表面上制作漏极和像素电极，使所述漏极和所述像素电极接触；在所述绝缘层的第一表面和所述漏极的第一表面上制作牺牲层；在所述绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨照坤，刘莎，冯翔，张强，胡伟频，杨瑞智，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11