一种数据保护自毁系统技术方案

本实用新型专利技术涉及数据保护技术领域，具体来说是一种数据保护自毁系统，包括SSD硬盘、硬盘供电回路、自毁启动电路、自毁负压恒流电路及电源选择回路，硬盘供电回路将输入的硬盘电源进行整流滤波后作为SSD硬盘的正常供电回路，硬盘供电回路的输出端连接至电源选择回路，自毁负压恒流电路的输入端接有外部电源，自毁负压恒流电路将输入的外部电源进行限流后连接至电源选择回路，电源选择回路的输出端连接至SSD硬盘，在电源选择回路上另接有自毁启动电路。本系统使得正常使用时采用硬盘供电，自毁启动时自毁负压恒流电路产生负电压直接烧毁SSD内部存贮颗粒，能在紧急状况下快速销毁硬盘SSD中的数据。

【技术实现步骤摘要】
一种数据保护自毁系统[
]本技术涉及数据保护
，具体来说是一种数据保护自毁系统。[
技术介绍
]随着半导体技术的发展，大容量高速SSD也越来越普及，目前SSD持续读写速度最高达1.1GB/s,1GB/s，这是传统磁碟完全不能比的，SSD固态硬盘同HDD硬盘对比存在很多优势，SSD在国防、航空、工业、包括个人电脑上应用越来越广泛，这使得SSD数据安全备受关注。现有的已知的数据清除技术包括：1.使用驱动器内置的“擦除单元”命令，这是ATA时代的擦除命令，测试了12个SSD设备只有4个设备完成了擦除，可是事实上所有数据还是可以访问；2.覆盖写入整个磁盘，其是把所有数据改写成1或者0或者任意数—重复这个过程会花费很长时间，随着硬盘容量不但增大，覆盖重写会耗时更长；3.消磁法，消磁法对HHD起作用，对SSD却完全不起作用；而对于单一文件的清除：SSD设备如果总在同一个块上进行写入和重新写入操作，就会很快损坏，所以FTL会再所有可用的存储空间之间进行平衡，让写入负荷变得均衡，所以文件经过改写后会在硬盘中留下很多个片段，当擦除单个文件时，FTL无法找到文件之前所有的片段，所以SSD所有单一文件覆盖清除都是失败的，因为它只能覆盖当前片段，无法删除负荷均衡过程中的文件片段。综上所述，SSD数据快速擦除，用现有软件或命令根本不可能做到。为保护隐私、机密、成果不外泄，需要有一种快速可靠的销毁数据的方法，在紧急情况下能够快速销毁数据，保护技术成果或机要数据不外泄。[
技术实现思路
]本技术是根据上述的SSD固态硬盘采用传统的擦除或重写根本不能满足要求的问题，设计了一种数据保护自毁系统，在SSD接入计算机或其他设备之前增加自毁电路，直接烧毁SSD内部的存贮颗粒，从而保护其中的特种数据。为了解决上述问题，设计一种数据保护自毁系统，所述的数据保护自毁系统包括SSD硬盘、硬盘供电回路、自毁启动电路、自毁负压恒流电路及电源选择回路，所述的硬盘供电回路将输入的硬盘电源进行整流滤波后作为SSD硬盘的正常供电回路，硬盘供电回路的输出端连接至电源选择回路，自毁负压恒流电路的输入端接有外部电源，自毁负压恒流电路将输入的外部电源进行限流后连接至电源选择回路，所述的电源选择回路的输入端由硬盘供电回路及自毁负压恒流电路分别提供不同电源，电源选择回路的输出端连接至SSD硬盘，在电源选择回路上另接有自毁启动电路，电源选择回路正常使用时采用硬盘供电，自毁启动时由自毁启动电路驱动其中的MOS管通断，使得自毁负压恒流电路产生负电压，SSD硬盘的供电由原来的+5V变为-6V，从而直接烧毁SSD硬盘内的存储颗粒。所述的SSD硬盘包括电源、控制器、数据接口及若干存储颗粒，所述的电源分别连接并供电至控制器及各存储颗粒，各存储颗粒的数据端口通过数据总线连接至控制器，所述的控制器连接至数据接口，由外部的硬盘数据线通过数据接口进行数据传输。所述的自毁启动电路带有自毁开关，并采用双倍镜像电路控制自毁启动，所述的双倍镜像电路带有MOS管用以防止掉电触发，双倍镜像电路还设有三极管用以防止上电触发，从而限定自毁启动电路的初始状态，保证上电断电时数据保护自毁系统稳定在非自毁状态。所述的自毁启动电路内设有芯片U1作为电源管理芯片，所述的芯片U1的型号为LTC4352IMS，芯片U1的1号管脚与3号管脚相连后接至+5V电源，芯片U1的2号管脚与7号管脚之间接有电容C2，芯片U1的4号管脚串联电阻R9后分别接至芯片U1的7号管脚和9号管脚，芯片U1的5号管脚接有电阻R7后作为自毁电路的使能端，芯片U1的8号管脚接至+5V电源后连接至电源选择回路，芯片U1的10号管脚与12号管脚分别连接电容C1的两端，芯片U1的11号管脚分别连接至MOS管Q3的4号管脚和MOS管Q4的4号管脚，所述的MOS管Q3的1号、2号、3号管脚相连并与MOS管Q4的1号、2号、3号管脚相连，MOS管Q3的5号、6号、7号、8号、9号管脚相连并连接至+5V电源，MOS管Q4的5号、6号、7号、8号、9号管脚相连并连接+5V电源，+5V电源另抽出一端连接至MOS管Q5的5号管脚，MOS管的5号、6号、7号、8号、9号管脚并联，MOS管Q5的1号、2号、3号管脚相连并与MOS管Q6的1号、2号、3号管脚相连，MOS管Q6的5号、6号、7号、8号、9号管脚相连并连接至-6V电源，MOS管Q5的4号管脚和MOS管Q6的4号管脚相连并串联电阻R5后接至-6V电源，所述的芯片U1的4号管脚另抽出一端连接至MOS管Q7的3号管脚，MOS管Q7的3号管脚串联电阻R10后连接GND，MOS管Q7的1号管脚串联电阻R8后接GND，MOS管Q7的2号管脚连接至-6V电源，三极管Q11的集电极与MOS管Q7的1号管脚相连，三极管Q11的基极与电阻R17相连后接burn_1端，三极管Q11的射极连接电源-6V，在三极管Q11的射极与基极之间串联接有电阻R18，三极管Q12的集电极与MOS管Q7的1号管脚相连，三极管Q12的基极与电阻R19相连后接burn_2端，三极管Q12的射极接地，三极管Q11的射极与基极之间串联接有电阻R20，所述的双倍镜像电路由自毁开关SW6驱动，自毁开关SW6的4号端接DIS_SIG1信号端,自毁开关SW6的2号端接DIS_SIG2信号端,DIS_SIG1信号端连接电阻R24后接至电阻R14，电阻R14另一端接至MOS管Q8的1号管脚，MOS管Q8的1号管脚另抽出一端串联电阻R15后接至-6V电源，MOS管Q8的2号管脚连接-6V电源，MOS管Q8的3号管脚串联电容C4后连接至-6V电源，并抽出一端连接电阻R11后与电容C3相连，三极管Q9的基极串联电阻R12与MOS管Q8的3号管脚相连，三极管Q9的集电极与三极管Q10的集电极相连，三极管Q9的射极连接-6V电源，三极管Q10的基极串联电阻R13和电阻R16连接-6V电源，三极管Q10的射极连接电源-6V，三极管Q10的集电极串联电容C5后连接至-6V电源，DIS_SIG2信号端依次串联电阻R28、电阻R25后连接至MOS管Q13的1号管脚，MOS管Q13的1号管脚另抽出一端串联电阻R27后连接电源-6V，MOS管Q13的2号管脚连接电源-6V，MOS管Q13的3号管脚串联电阻R22后与三极管Q14的基极相连，MOS管Q13的3号管脚另引出一端串联电容C7后连接至-6V电源，三极管Q14的集电极与三极管Q15的集电极相连，三极管Q14的射极连接电源-6V，在电阻R22及三极管Q14的射极两端并联接有电阻R21、电容C6、电阻R26，所述的三极管Q15的基极串联电阻R23后接至电容C6与电阻R26之间的连接点，三极管Q15的射极连接电源-6V，MOS管Q13的3号管脚抽出一端串联R50后连接至三极管Q24的基极，三极管Q24的射极连接-6V电源，三极管Q24的集电极串联电阻R51、电阻R52后连接电源+5V，在电阻R51、电阻R52之间抽出一端串联电阻R53后接至MOS管Q25的1号管脚，MOS管Q25的2号管脚接地，MOS管Q25的3号管脚串联电阻R54连接电源+5V，MOS管Q23的1号管脚连接电阻R49后接sburn_star信号端，M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据保护自毁系统，其特征在于所述的数据保护自毁系统包括SSD硬盘、硬盘供电回路、自毁启动电路、自毁负压恒流电路及电源选择回路，所述的硬盘供电回路将输入的硬盘电源进行整流滤波后作为SSD硬盘的正常供电回路，硬盘供电回路的输出端连接至电源选择回路，自毁负压恒流电路的输入端接有外部电源，自毁负压恒流电路将输入的外部电源进行限流后连接至电源选择回路，所述的电源选择回路的输入端由硬盘供电回路及自毁负压恒流电路分别提供不同电源，电源选择回路的输出端连接至SSD硬盘，在电源选择回路上另接有自毁启动电路，电源选择回路正常使用时采用硬盘供电，自毁启动时由自毁启动电路驱动其中的MOS管通断，使得自毁负压恒流电路产生负电压，SSD硬盘的供电由原来的+5V变为‑6V，从而直接烧毁SSD硬盘内的存储颗粒。

【技术特征摘要】
1.一种数据保护自毁系统，其特征在于所述的数据保护自毁系统包括SSD硬盘、硬盘供电回路、自毁启动电路、自毁负压恒流电路及电源选择回路，所述的硬盘供电回路将输入的硬盘电源进行整流滤波后作为SSD硬盘的正常供电回路，硬盘供电回路的输出端连接至电源选择回路，自毁负压恒流电路的输入端接有外部电源，自毁负压恒流电路将输入的外部电源进行限流后连接至电源选择回路，所述的电源选择回路的输入端由硬盘供电回路及自毁负压恒流电路分别提供不同电源，电源选择回路的输出端连接至SSD硬盘，在电源选择回路上另接有自毁启动电路，电源选择回路正常使用时采用硬盘供电，自毁启动时由自毁启动电路驱动其中的MOS管通断，使得自毁负压恒流电路产生负电压，SSD硬盘的供电由原来的+5V变为-6V，从而直接烧毁SSD硬盘内的存储颗粒。2.如权利要求1所述的一种数据保护自毁系统，其特征在于所述的SSD硬盘包括电源、控制器、数据接口及若干存储颗粒，所述的电源分别连接并供电至控制器及各存储颗粒，各存储颗粒的数据端口通过数据总线连接至控制器，所述的控制器连接至数据接口，由外部的硬盘数据线通过数据接口进行数据传输。3.如权利要求1所述的一种数据保护自毁系统，其特征在于所述的自毁启动电路带有自毁开关，并采用双倍镜像电路控制自毁启动，所述的双倍镜像电路带有MOS管用以防止掉电触发，双倍镜像电路还设有三极管用以防止上电触发，从而限定自毁启动电路的初始状态，保证上电断电时数据保护自毁系统稳定在非自毁状态。4.如权利要求3所述的一种数据保护自毁系统，其特征在于所述的自毁启动电路内设有芯片U1作为电源管理芯片，所述的芯片U1的型号为LTC4352IMS，芯片U1的1号管脚与3号管脚相连后接至+5V电源，芯片U1的2号管脚与7号管脚之间接有电容C2，芯片U1的4号管脚串联电阻R9后分别接至芯片U1的7号管脚和9号管脚，芯片U1的5号管脚接有电阻R7后作为自毁电路的使能端，芯片U1的8号管脚接至+5V电源后连接至电源选择回路，芯片U1的10号管脚与12号管脚分别连接电容C1的两端，芯片U1的11号管脚分别连接至MOS管Q3的4号管脚和MOS管Q4的4号管脚，所述的MOS管Q3的1号、2号、3号管脚相连并与MOS管Q4的1号、2号、3号管脚相连，MOS管Q3的5号、6号、7号、8号、9号管脚相连并连接至+5V电源，MOS管Q4的5号、6号、7号、8号、9号管脚相连并连接+5V电源，+5V电源另抽出一端连接至MOS管Q5的5号管脚，MOS管的5号、6号、7号、8号、9号管脚并联，MOS管Q5的1号、2号、3号管脚相连并与MOS管Q6的1号、2号、3号管脚相连，MOS管Q6的5号、6号、7号、8号、9号管脚相连并连接至-6V电源，MOS管Q5的4号管脚和MOS管Q6的4号管脚相连并串联电阻R5后接至-6V电源，所述的芯片U1的4号管脚另抽出一端连接至MOS管Q7的3号管脚，MOS管Q7的3号管脚串联电阻R10后连接GND，MOS管Q7的1号管脚串联电阻R8后接GND，MOS管Q7的2号管脚连接至-6V电源，三极管Q11的集电极与MOS管Q7的1号管脚相连，三极管Q11的基极与电阻R17相连后接burn_1端，三极管Q11的射极连接电源-6V，在三极管Q11的射极与基极之间串联接有电阻R18，三极管Q12的集电极与MOS管Q7的1号管脚相连，三极管Q12的基极与电阻R19相连后接burn_2端，三极管Q12的射极接地，三极管Q11的射极与基极之间串联接有电阻R20，所述的双倍镜像电路由自毁开关SW6驱动，自毁开关SW6的4号端接DIS_SIG1信号端,自毁开关SW6的2号端接DIS_SIG2信号端,DIS_SIG1信号端连接电阻R24后接至电阻R14，电阻R14另一端接至MOS管Q8的1号管脚，MOS管Q8的1号管脚另抽出一端串联电阻R15后接至-6V电源，MOS管Q8的2号管脚连接-6V电源，MOS管Q8的3号管脚串联电容C4后连接至-6V电源，并抽出一端连接电阻R11后与电容C3相连，三极管Q9的基极串联电阻R12与MOS管Q8的3号管脚相连，三极管Q9的集电极与三极管Q10的集电极相连，三极管Q9的射极连接-6V电源，三极管Q10的基极串联电阻R13和电阻R16连接-6V电源，三极管Q10的射极连接电源-6V，三极管Q10的集电极串联电容C5后连接至-6V电源，DIS_SIG2信号端依次串联电阻R28、电阻R25后连接至MOS管Q13的1号管脚，MOS管Q13的1号管脚另抽出一端串联电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯，
申请(专利权)人：上海控易电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31