表面处理工艺系统及其体积可调的物理气相沉积室结构技术方案

本实用新型专利技术提供了一种表面处理工艺系统及其体积可调的物理气相沉积室结构，该腔室结构包括顶盖、基底以及至少三个侧壁；所述顶盖和所述基底分别设于所述侧壁的两端，所述顶盖、所述基底以及所述侧壁之间均为密封连接，以形成密封的腔室结构，所述至少三个侧壁之间相互活动连接，通过调节所述至少三个侧壁之间的位置关系来实现改变所述腔室结构的体积。相对于现有技术，本实用新型专利技术提供的表面处理工艺系统及其体积可调的物理气相沉积室结构，可实现腔室体积的自动调节，节省人力和时间。

【技术实现步骤摘要】
表面处理工艺系统及其体积可调的物理气相沉积室结构
本专利技术涉及面板级扇出工艺设备的
，具体是涉及一种表面处理工艺系统及其体积可调的物理气相沉积室结构。
技术介绍
目前的fanout工艺，而对于PanelfanoutPVD的设备，由于panel的尺寸不同，需要的调节真空腔体的shield(屏蔽)位置，以更好的维持真空度，等离子体均匀性，颗粒度等性能。这样需要频繁的开真空腔体，然后等待抽真空到可工作区间，这样的过程可能需要几个小时甚至更长。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种表面处理工艺系统及其体积可调的物理气相沉积室结构，以解决现有技术中PVD的设备真空腔调节过程复杂且耗时较长的技术问题。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种体积可调的用于物理气相沉积工艺的腔室结构，所述腔室结构包括顶盖、基底以及至少三个侧壁；所述顶盖和所述基底分别设于所述侧壁的两端，所述顶盖、所述基底以及所述侧壁之间均为密封连接，以形成密封的腔室结构，所述至少三个侧壁之间相互活动连接，通过调节所述至少三个侧壁之间的位置关系来实现改变所述腔室结构的体积。根据本技术一优选实施例，所述侧壁的数量为4个，相邻侧壁之间通过滑动轨道连接。根据本技术一优选实施例，所述4个侧壁中的至少一个与所述顶盖和/或所述基底固定连接。根据本技术一优选实施例，所述4个侧壁中的一个与所述顶盖和/或所述基底固定连接。根据本技术一优选实施例，所述腔室结构还包括至少一个驱动电机，所述驱动电机用于驱动所述侧壁中的至少一个移动，被驱动的所述侧壁带动至少一个与之相邻的侧壁移动。根据本技术一优选实施例，所述驱动电机为两个，所述驱动电机分别用于带动相邻的两侧壁进行移动。根据本技术一优选实施例，所述侧壁的数量为3个，其中两个侧壁为一体结构，另外一个侧壁分别与所述一体结构两侧壁的两端通过滑动轨道连接。根据本技术一优选实施例，所述腔室结构还包括一个驱动电机，所述一体结构的两侧壁或者另外一个侧壁与所述顶盖和/或所述基底固定连接，驱动电机用于驱动非固定连接的侧壁进行移动。为解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供一种物理气相沉积室，所述物理气相沉积室包括物理气相沉积设备以及上述实施例中任一项所述的腔室结构，其中，所述物理气相沉积设备设于所述腔室结构内。为解决上述技术问题，本专利技术实施例进一步提供一种用于面板级扇出表面处理的工艺系统，所述工艺系统包括上述实施例中所述的物理气相沉积室，所述物理气相沉积室用于对面板级扇出进行表面处理。相对于现有技术，本专利技术提供的表面处理工艺系统及其体积可调的物理气相沉积室结构，可实现腔室体积的自动调节，节省人力和时间。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术用于面板级扇出表面处理的工艺系统一实施例的组成结构框图；图2是本专利技术实施例中载台结构第一实施例的结构俯视图；图3是图2实施例中载台结构的另一工作状态的结构俯视图；图4是本专利技术实施例中载台结构第二实施例的结构俯视图；图5是图4实施例中载台结构的另一工作状态的结构俯视图；图6是本专利技术物理气相沉积室第一实施例的腔室结构俯视剖视图；图7是图6实施例中腔室结构另一状态的俯视剖视图；图8是图6实施例中腔室结构的侧视图；图9是本专利技术物理气相沉积室第二实施例的腔室结构俯视剖视图；图10是图9实施例中腔室结构另一状态的俯视剖视图；以及图11是图1实施例中搬运装置的结构示意简图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本专利技术，但不对本专利技术的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本专利技术的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，图1是本专利技术用于面板级扇出表面处理的工艺系统一实施例的组成结构框图，该工艺系统包括但不限于以下结构单元：脱气塔100、装卸载单元200、载台300、搬运装置400、射频蚀刻室500以及物理气相沉积室600。具体而言，载台300用于承载并固定面板级扇出，载台300与搬运装置400共同构成面板级扇出表面处理工艺过程中的搬运单元，该搬运装置400用于在装卸载单元200、射频蚀刻室500以及物理气相沉积室600之间搬运载台300。需要说明的是，本专利技术实施例中的工艺系统优选用于矩形结构的面板级扇出。请一并参阅图2和图3，图2是本专利技术实施例中载台结构第一实施例的结构俯视图，图3是图2实施例中载台结构的另一工作状态的结构俯视图；在进行射频蚀刻以及物理气相沉积等表面处理工艺中，面板级扇出固定在载台300上，为了使没有被面板级扇出覆盖的载台表面在表面处理过程中不受污染，本专利技术实施例中的载台300设置遮挡结构，用以遮挡载台300上表面，避免在溅射等表面处理过程中载台表面被溅射上金属材料，造成载台表面污染，进而使面板级扇出的背面受到污染，另外，由于载台表面存在溅射层，会使载台表面不平，或者说存在高度差，进而无法与面板级扇出的背面紧密贴合，影响面板级扇出的安装及表面处理效果。该实施例中的载台300包括用于承载并固定面板级扇出的载台底座310以及盖设于载台底座310上表面的三个遮挡单元320。进一步地，由于需要进行表面处理的面板级扇出尺寸不同，且每次安装在载台300上的位置也可能不同，因此本专利技术实施例中的遮挡单元320还可设计成遮挡位置及遮挡面积可调的结构，以使载台底座310上表面非遮挡区域的面积与面板级扇出的面积相适应，使载台底座310上表面完全被覆盖的状态，即：要么被面板级扇出覆盖，要么被遮挡单元320覆盖，保证载台底座310上表面在表面处理过程中不会被污染。每一遮挡单元320均可以包括一支撑杆321以及与支撑杆321连接的遮挡板322，相邻支撑杆321之间活动连接，通过调节支撑杆321的位置，带动遮挡板322延展或者收缩，以实现对载台底座310上表面的遮挡位置和遮挡面积的变化，或者说遮挡位置与遮挡面积中的一者发生变化。其中，该遮挡板322可为软质材料制成，譬如塑料、尼龙布料等等，以使遮挡板322在收缩状态时，可以卷设在支撑杆321上或者卷设在载台底座310侧边的其他转轴结构上。这样的结构相对于直板结构的遮挡板来讲，可以节省空间，且重量会更小。在本实施例中，遮挡单元320的数量为三个，由于本专利技术实施例中的载台300主要用于矩形结构的扇出，因此遮挡单元320留出的载台上表面也为矩形，预留矩形的未遮挡区域还有一个不动的边，本实施例中在载台底座310的边沿位置处还可以设置有一个固定杆(图中标注330)，该固定杆330与相邻两遮挡单元320的支撑杆321分别滑动连接，以形成一四边形的区域。滑动连接结构可以为滑动轨道(图中标注340)等结构。进一步地，该载台300还可以包括驱动电机350，驱动电机350用于带动支撑杆321移动，驱动电机350的设置数量可以与支撑杆321的数量相同，即：每一驱动电机350对应驱动一个支撑杆321(图中所示结构形式)，或者只本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种体积可调的用于物理气相沉积工艺的腔室结构，其特征在于，所述腔室结构包括顶盖、基底以及至少三个侧壁；所述顶盖和所述基底分别设于所述侧壁的两端，所述顶盖、所述基底以及所述侧壁之间均为密封连接，以形成密封的腔室结构，所述至少三个侧壁之间相互活动连接，通过调节所述至少三个侧壁之间的位置关系来实现改变所述腔室结构的体积。

【技术特征摘要】
1.一种体积可调的用于物理气相沉积工艺的腔室结构，其特征在于，所述腔室结构包括顶盖、基底以及至少三个侧壁；所述顶盖和所述基底分别设于所述侧壁的两端，所述顶盖、所述基底以及所述侧壁之间均为密封连接，以形成密封的腔室结构，所述至少三个侧壁之间相互活动连接，通过调节所述至少三个侧壁之间的位置关系来实现改变所述腔室结构的体积。2.根据权利要求1所述的腔室结构，其特征在于，所述侧壁的数量为4个，相邻侧壁之间通过滑动轨道连接。3.根据权利要求2所述的腔室结构，其特征在于，所述4个侧壁中的至少一个与所述顶盖和/或所述基底固定连接。4.根据权利要求3所述的腔室结构，其特征在于，所述4个侧壁中的一个与所述顶盖和/或所述基底固定连接。5.根据权利要求1-4任一项所述的腔室结构，其特征在于，所述腔室结构还包括至少一个驱动电机，所述驱动电机用于驱动所述侧壁中的至少一个移动，被驱动的所述侧壁带动至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32