半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制实例，本发明专利技术的各种方面提供一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括抗氧化层的信号再分布结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法对相关申请案的交叉参考/以引用的方式并入本申请案参考以下申请案、主张其优先权且主张其权益：2015年12月9日在韩国知识产权局申请且题为“半导体装置及其制造方法(SEMICONDUCTORDEVICEANDFABRICATINGMETHODTHEREOF)”的韩国专利申请案第10-2015-0174902号，所述韩国专利申请案的内容在此以引入的方式全部并入本文中。
本申请案涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
目前的半导体装置和用于制造半导体装置的方法不适当，例如，导致过多成本、可靠性降低或封装大小过大。通过比较常规和传统方法与如在本申请案的其余部分中参看图式阐述的本专利技术，此类方法的另外的限制和缺点将对所属领域的技术人员变得显而易见。
技术实现思路
本专利技术的各种方面提供一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制实例，本专利技术的各种方面提供一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括抗氧化层的信号再分布结构。附图说明图1到5是说明根据本专利技术的实施例的制造半导体装置的方法的横截面图。图6到10是说明根据本专利技术的另一实施例的半导体装置的制造的方法的横截面图。图11到15是说明根据本专利技术的再一实施例的半导体装置的制造的方法的横截面图。图16到19是说明根据本专利技术的再一实施例的半导体装置的制造的方法的横截面图。图20到24是说明根据本专利技术的再一实施例的半导体装置的制造的方法的横截面图。具体实施方式以下论述通过提供实例来呈现本专利技术的各种方面。此类实例是非限制性的，并且因此本专利技术的各种方面的范围应不必受所提供的实例的任何特定特性限制。在以下论述中，短语“举例来说”、“例如”和“示范性”是非限制性的且通常与“借助于实例而非限制”、“例如且不加限制”和类似者同义。如本文中所使用，“和/或”意指通过“和/或”接合的列表中的项目中的任何一或多者。作为实例，“x和/或y”意指三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。换句话说，“x和/或y”意指“x和y中的一或两者”。作为另一实例，“x、y和/或z”意指七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。换句话说，“x、y和/或z”意指“x、y和z中的一或多者”。本文中所使用的术语仅出于描述特定实例的目的，且并不希望限制本专利技术。如本文中所使用，除非上下文另有清晰指示，否则单数形式也希望包含复数形式。将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“具有”和类似者当在本说明书中使用时，指定所陈述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。应理解，尽管本文中可使用术语第一、第二等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，例如，在不脱离本专利技术的教示内容的情况下，下文论述的第一元件、第一组件或第一区段可被称为第二元件、第二组件或第二区段。类似地，例如“上部”、“下部”、“侧部”和类似者的各种空间术语可用于以相对方式将一个元件与另一元件区分开来。然而，应理解，组件可以不同方式定向，例如，在不脱离本专利技术的教示的情况下，半导体装置可以侧向转动使得其“顶”表面水平地朝向且其“侧”表面垂直地朝向。在图式中，为了清晰起见，可放大层、区域和/或组件的厚度或大小。因此，本专利技术的范围应不受此厚度或大小限制。另外，在图式中，相似参考数字可贯穿论述指相似元件。此外，还应理解，当元件A被提及为“连接到”或“耦合到”元件B时，元件A可以直接连接到元件B或间接连接到元件B(例如，插入元件C(和/或其它元件)可存在于元件A与元件B之间)。本专利技术的各种方面涉及一种半导体装置和一种其制造(manufacturing或fabricating)方法，所述半导体装置可通过防止分层出现在形成于半导体裸片的表面(例如，顶表面等)上的再分布层上来增加所述半导体装置的可靠性。根据近来朝向轻型化、细小和紧凑型产品的趋势，并入到电子产品内的半导体装置常需要具有增加的功能性和减小的大小。为了满足此需求，已提议半导体装置的多种封装技术。为此目的，近年来，已开发不使用衬底在半导体裸片的顶表面上直接形成布线层且形成传导性球的芯片规模封装(CSP)。由于小型化已实现半导体裸片的大小的减小，因此芯片规模封装逐渐吸引了相当大的注意力。本专利技术的各种方面提供一种半导体装置和一种其制造方法，所述半导体装置可通过防止分层出现在形成于半导体裸片的表面(例如，顶表面等)上的再分布层上来增加所述半导体装置的可靠性。根据本专利技术的一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：半导体裸片，其包含在其一个表面上的传导垫；第一再分布层，其形成于所述半导体裸片的所述一个表面上；和第二再分布层，其形成于上所述第一再分布层上且电连接到所述传导垫，其中抗氧化层形成于所述第二再分布层的顶表面上。所述抗氧化层可从所述第二再分布层的氧化物层形成。所述第二再分布层的材料可与所述第一再分布层的材料不同。所述第二再分布层可由选自由以下各者组成的群组的至少一者制成：锡(Sn)、银(Ag)、镍(Ni)、钛(Ti)、钛钨合金(TiW)、铝(Al)和铬(Cr)(或铬合金)。金属间化合物可形成于所述第二再分布层与所述第一再分布层之间的界面处。所述抗氧化层可为包含金(Au)且形成于所述第二再分布层上的第三再分布层。所述第二再分布层可形成到2μm或更大的厚度。所述第一再分布层可由铜(Cu)制成。根据本专利技术的另一方面，提供一种制造半导体装置的方法，所述制造方法包含：在包含传导垫的半导体裸片的一个表面上形成待电连接到所述传导垫的第一再分布层，在所述第一再分布层上形成第二再分布层，和在所述第二再分布层的顶表面上形成抗氧化层，其中所述抗氧化层是通过氧化所述第二再分布层而形成。所述制造方法可进一步包含在所述抗氧化层上形成介电层，其中所述抗氧化层至少在由所述介电层覆盖的区中覆盖所述第一再分布层。所述抗氧化层可从所述第二再分布层的氧化物层形成。所述第二再分布层可使用选自由以下各者组成的群组的至少一者形成：锡(Sn)、银(Ag)、镍(Ni)、钛(Ti)、钛钨合金(TiW)、铝(Al)和铬(Cr)(或铬合金)。所述第二再分布层可经形成使得金属间化合物形成于所述第一再分布层与所述第二再分布层之间的界面处。所述第二再分布层可形成到2μm或更大的厚度。所述第一再分布层可由铜(Cu)制成。根据本专利技术的再一方面，提供一种制造半导体装置的方法，所述制造方法包含：在包含传导垫的半导体裸片的一个表面上形成待电连接到所述传导垫的第一再分布层，在所述第一再分布层上形成第二再分布层，和在所述第二再分布层的顶表面上形成抗氧化层，其中所述抗氧化层包含在所述第二再分布层上的使用单独的金属形成的第三再分布层。包含金(Au)的所述抗氧化层可形成于所述第二再分布层上。所述第二再分布层可形成到2μm或更大的厚度。所述第二再分布层可经形成使得金属间化合物形成于所述第一再分布层与所述第二再分布层之间的界面处。介电层可形成于所述抗氧化层上，其中通过所述介电层的至少一个区域暴露所述抗氧化层。如上所述，在根据本专利技术的实施例的半导体装置和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：半导体裸片，其包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的传导垫；第一介电层(DL)，其在所述第一裸片表面上且包括第一介电层开口，所述传导垫通过所述第一介电层开口而暴露；第一再分布层，其包括在所述第一介电层上且在所述第一介电层开口中的第一传导层，其中所述第一传导层通过所述第一介电层开口而电连接到所述传导垫；第二再分布层，其包括在所述第一传导层上的第二传导层；和在所述第二传导层上的抗氧化层。

【技术特征摘要】
2015.12.09 KR 10-2015-0174902;2016.05.08 US 15/1491.一种半导体装置，其包括：半导体裸片，其包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的传导垫；第一介电层(DL)，其在所述第一裸片表面上且包括第一介电层开口，所述传导垫通过所述第一介电层开口而暴露；第一再分布层，其包括在所述第一介电层上且在所述第一介电层开口中的第一传导层，其中所述第一传导层通过所述第一介电层开口而电连接到所述传导垫；第二再分布层，其包括在所述第一传导层上的第二传导层；和在所述第二传导层上的抗氧化层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二传导层覆盖全部的所述第一传导层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其包括在所述抗氧化层上且包括第二介电层开口的第二介电层，所述第二介电层开口从所述第一介电层开口侧向移位，且所述第二传导层的一部分通过所述第二介电层开口而暴露。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述抗氧化层覆盖全部的所述第二传导层，然排除所述第二传导层的通过所述第二介电层开口而暴露的所述部分。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其包括在所述第二传导层上且延伸穿过所述第二介电层开口的传导性球。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述抗氧化层覆盖全部的所述第二传导层。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述抗氧化层包括金(Au)。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其包括在所述抗氧化层上的第二介电层且包括第二介电层开口，所述第二介电层开口从所述第一介电层开口侧向移位，且所述抗氧化层的一部分通过所述第二介电层开口而暴露。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一传导层包括铜(Cu)，且所述第二传导层包括：锡(Sn)、银(Ag)、镍(Ni)、钛(Ti)、钛钨合金(TiW)、铝(Al)和/或铬(Cr)。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第二传导层与所述第一传导层之间的界面处形成金属间化合物。11.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供半导体裸片，其包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的传...

【专利技术属性】
技术研发人员：培中希，黄威廉，曹雷蒙，梁麦可，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US