同步整流互锁电路制造技术

技术编号:15650165 阅读:193 留言:0更新日期:2017-06-17 03:06
本发明专利技术公开了一种同步整流互锁电路,包括第一互锁模块和第二互锁模块;所述第一互锁模块用于检测驱动同步整流回路的第一整流模块工作的第一驱动模块的第一控制输出端的电平,并根据所述第一控制输出端的电平,控制驱动所述同步整流回路的第二整流模块工作的第二驱动模块的第二控制输出端的电平异于所述第一控制输出端的电平;所述第二互锁模块用于检测所述第二控制输出端的电平,并根据所述第二控制输出端的电平,控制所述第一控制输出端的电平异于所述第二控制输出端的电平。采用本发明专利技术实施例,通过控制同步整流回路的两个驱动模块的控制整流模块工作的电平相异,即可避免同步整流回路中的两个MOSFET共通。

【技术实现步骤摘要】
同步整流互锁电路
本专利技术涉及同步整流
,具体涉及一种带互锁的同步整流电路。
技术介绍
同步整流电路一般是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET,金属-氧化物半导体场效应晶体管),来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。如图1所示,由于同步整流电路的变压器的原边传送的电源为交流电,因而作为整流输出的副边包括第一整流模块和第二整流模块,第一整流模块受控于第一驱动模块,第二整流模块受控于第二驱动模块,副边包括第一整流输入端和第二整流输入端,在第一整流输入端为高电平时第二整流输入端为低电平,而在第一整流输入端为低电平时第二整流输入端为高电平;因而,第一驱动模块在检测到第一整流输入端为低电平时,控制第一整流模块的专用功率MOSFET导通;与此同时,第二驱动模块检测到第二整流输入端为高电平,控制第二整流模块的专用功率MOSFET截止;反过来亦然。但是,上述同步整流电路的方案存在一个问题是:由于电路的延迟以及第一整流输入端和第二整流输入端的电压采样波形的震荡,可能导致上述电路的两个专用功率MOSFET的驱动都为高电平或都为低电平的情况出现,引起两个专用功率MOSFET共通,导致电压尖峰过高、损耗过大,甚至损坏MOSFET。。
技术实现思路
本专利技术实施例提出的同步整流互锁电路,通过控制同步整流回路的两个驱动模块的控制整流模块工作的电平相异,即可避免同步整流回路中的两个MOSFET共通。本专利技术实施例提供一种同步整流互锁电路,包括第一互锁模块和第二互锁模块;所述第一互锁模块用于检测驱动同步整流回路的第一整流模块工作的第一驱动模块的第一控制输出端的电平,并根据所述第一控制输出端的电平,控制驱动所述同步整流回路的第二整流模块工作的第二驱动模块的第二控制输出端的电平异于所述第一控制输出端的电平;其中,所述第一控制输出端用于控制所述第一驱动模块输出驱动所述第一整流模块工作的电平;所述第二控制输出端用于控制所述第二驱动模块输出驱动所述第二整流模块工作的电平;所述第二互锁模块用于检测所述第二控制输出端的电平,并根据所述第二控制输出端的电平,控制所述第一控制输出端的电平异于所述第二控制输出端的电平。在一种实施方式中,所述第一互锁模块包括第一串联二极管组、第一电容和第一开关管;所述第一串联二极管组的正极用于与所述第一控制输出端连接,所述第一串联二极管组的负极与所述第一开关管的控制端连接,所述第一电容的一端用于与所述第一控制输出端连接,所述第一电容的另一端与所述第一串联二极管组的负极连接,所述第一开关管的输入端用于与所述第二控制输出端连接,所述第一开关管的输出端与地连接;所述第二互锁模块包括第二串联二极管组、第二电容和第二开关管;所述第二串联二极管组的正极用于与所述第二控制输出端连接,所述第二串联二极管组的负极与所述第二开关管的控制端连接,所述第二电容的一端用于与所述第二控制输出端连接,所述第二电容的另一端与所述第二串联二极管组的负极连接,所述第二开关管的输入端用于与所述第一控制输出端连接,所述第二开关管的输出端与地连接。进一步地,所述第一互锁模块还包括连接于所述第一串联二极管组的负极与所述第一开关管的控制端之间的第一电阻,和连接于所述第一开关管的控制端与输出端之间的第二电阻;所述第二互锁模块还包括连接于所述第二串联二极管组的负极与所述第二开关管的控制端之间的第三电阻,和连接于所述第二开关管的控制端与输出端之间的第四电阻。优选地,所述第一开关管为N沟道MOS管;其中,所述第一开关管的控制端为N沟道MOS管的栅极,所述第一开关管的输入端为N沟道MOS管的漏极,所述第一开关管的输出端为N沟道MOS管的源极;所述第二开关管为N沟道MOS管;其中,所述第二开关管的控制端为N沟道MOS管的栅极,所述第二开关管的输入端为N沟道MOS管的漏极,所述第二开关管的输出端为N沟道MOS管的源极。优选地,所述第一串联二极管组由两个二极管串联而成;所述第二串联二极管组由两个二极管串联而成。进一步地,所述同步整流回路还包括均设置在变压器副边上的第一整流输入端、第二整流输入端、整流输出端和第三电容;所述第一整流模块包括第一专用功率MOSFET,所述第二整流模块包括第二专用功率MOSFET;所述第一整流输入端与所述第一专用功率MOSFET的漏极连接,所述第一专用功率MOSFET的源极与所述第三电容的第一端连接,所述第三电容的第二端与所述整流输出端连接;所述第二整流输入端与所述第二专用功率MOSFET的漏极连接,所述第二专用功率MOSFET的源极与所述第三电容的第一端连接,所述第三电容的第一端还与地连接;所述第一驱动模块的驱动检测端与所述第一整流输入端连接,所述第一驱动模块的驱动输出端与所述第一专用功率MOSFET的栅极连接;所述第二驱动模块的驱动检测端与所述第二整流输入端连接,所述第二驱动模块的驱动输出端与所述第二专用功率MOSFET的栅极连接。在一种实施方式中,所述第一驱动模块还包括第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管;所述第一三极管的发射极与所述第一驱动模块的驱动检测端连接,所述第一三极管的集电极与所述第一三极管的基极连接,所述第一驱动模块的电源输入端与所述第一三极管的基极连接,所述第一驱动模块的电源输入端还与所述第二三极管的集电极连接,所述第二三极管的发射极与地连接,所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极连接;所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接,所述第三三极管的集电极与所述第一驱动模块的电源输入端连接,所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的发射极连接,所述第四三极管的基极与所述第三三极管的基极连接,所述第四三极管的集电极与地连接,所述第三三极管的发射极与所述第一驱动模块的驱动输出端连接;以及,所述第二驱动模块还包括第五三极管、第六三极管、第七三极管和第八三极管;所述第五三极管的发射极与所述第二驱动模块的驱动检测端连接,所述第五三极管的集电极与所述第五三极管的基极连接,所述第二驱动模块的电源输入端与所述第五三极管的基极连接,所述第二驱动模块的电源输入端还与所述第六三极管的集电极连接,所述第六三极管的发射极与地连接,所述第六三极管的基极与所述第五三极管的基极连接;所述第七三极管的基极与所述第六三极管的集电极连接,所述第七三极管的集电极与所述第二驱动模块的电源输入端连接,所述第七三极管的发射极与所述第八三极管的发射极连接,所述第八三极管的基极与所述第七三极管的基极连接,所述第八三极管的集电极与地连接,所述第七三极管的发射极与所述第二驱动模块的驱动输出端连接。进一步地,所述第一驱动模块还包括连接于所述第一三极管的发射极与所述第一驱动模块的驱动检测端之间的第一二极管;其中,所述第一三极管的发射极与所述第一二极管的正极连接,所述第一二极管的负极与所述第一驱动模块的驱动检测端连接;所述第二驱动模块还包括连接于所述第五三极管的发射极与所述第二驱动模块的驱动检测端之间的第二二极管;其中,所述第五三极管的发射极与所述第二二极管的正极连接,所述第二二极管的负极与所述第二驱动模块的驱动检测端连接。进一步地,所述第一驱动模块还包括本文档来自技高网...
同步整流互锁电路

【技术保护点】
一种同步整流互锁电路,其特征在于,包括第一互锁模块和第二互锁模块;所述第一互锁模块用于检测驱动同步整流回路的第一整流模块工作的第一驱动模块的第一控制输出端的电平,并根据所述第一控制输出端的电平,控制驱动所述同步整流回路的第二整流模块工作的第二驱动模块的第二控制输出端的电平异于所述第一控制输出端的电平;其中,所述第一控制输出端用于控制所述第一驱动模块输出驱动所述第一整流模块工作的电平;所述第二控制输出端用于控制所述第二驱动模块输出驱动所述第二整流模块工作的电平;所述第二互锁模块用于检测所述第二控制输出端的电平,并根据所述第二控制输出端的电平,控制所述第一控制输出端的电平异于所述第二控制输出端的电平。

【技术特征摘要】
1.一种同步整流互锁电路,其特征在于,包括第一互锁模块和第二互锁模块;所述第一互锁模块用于检测驱动同步整流回路的第一整流模块工作的第一驱动模块的第一控制输出端的电平,并根据所述第一控制输出端的电平,控制驱动所述同步整流回路的第二整流模块工作的第二驱动模块的第二控制输出端的电平异于所述第一控制输出端的电平;其中,所述第一控制输出端用于控制所述第一驱动模块输出驱动所述第一整流模块工作的电平;所述第二控制输出端用于控制所述第二驱动模块输出驱动所述第二整流模块工作的电平;所述第二互锁模块用于检测所述第二控制输出端的电平,并根据所述第二控制输出端的电平,控制所述第一控制输出端的电平异于所述第二控制输出端的电平。2.如权利要求1所述的同步整流互锁电路,其特征在于,所述第一互锁模块包括第一串联二极管组、第一电容和第一开关管;所述第一串联二极管组的正极用于与所述第一控制输出端连接,所述第一串联二极管组的负极与所述第一开关管的控制端连接,所述第一电容的一端用于与所述第一控制输出端连接,所述第一电容的另一端与所述第一串联二极管组的负极连接,所述第一开关管的输入端用于与所述第二控制输出端连接,所述第一开关管的输出端与地连接;所述第二互锁模块包括第二串联二极管组、第二电容和第二开关管;所述第二串联二极管组的正极用于与所述第二控制输出端连接,所述第二串联二极管组的负极与所述第二开关管的控制端连接,所述第二电容的一端用于与所述第二控制输出端连接,所述第二电容的另一端与所述第二串联二极管组的负极连接,所述第二开关管的输入端用于与所述第一控制输出端连接,所述第二开关管的输出端与地连接。3.如权利要求2所述的同步整流互锁电路,其特征在于,所述第一互锁模块还包括连接于所述第一串联二极管组的负极与所述第一开关管的控制端之间的第一电阻,和连接于所述第一开关管的控制端与输出端之间的第二电阻;所述第二互锁模块还包括连接于所述第二串联二极管组的负极与所述第二开关管的控制端之间的第三电阻,和连接于所述第二开关管的控制端与输出端之间的第四电阻。4.如权利要求2或3所述的同步整流互锁电路,其特征在于,所述第一开关管为N沟道MOS管;其中,所述第一开关管的控制端为N沟道MOS管的栅极,所述第一开关管的输入端为N沟道MOS管的漏极,所述第一开关管的输出端为N沟道MOS管的源极;所述第二开关管为N沟道MOS管;其中,所述第二开关管的控制端为N沟道MOS管的栅极,所述第二开关管的输入端为N沟道MOS管的漏极,所述第二开关管的输出端为N沟道MOS管的源极。5.如权利要求2或3所述的同步整流互锁电路,其特征在于,所述第一串联二极管组由两个二极管串联而成;所述第二串联二极管组由两个二极管串联而成。6.如权利要求1所述的同步整流互锁电路,其特征在于,所述同步整流回路还包括均设置在变压器副边上的第一整流输入端、第二整流输入端、整流输出端和第三电容;所述第一整流模块包括第一专用功率MOSFET,所述第二整流模块包括第二专用功率MOSFET;所述第一整流输入端与所述第一专用功率MOSFET的漏极连接,所述第一专用功率MOSFET的源极与所述第三电容的第一端连接,所述第三电容的第二端与所述整流输出端连接;所述第二整流输入端与所述第二专用功率MOSFET的漏极连接,所述第二专用功率MOSFET的源极与所述第三电容的第一端连接,所述第三电容的第一端还与地连接;所述第一驱动模块的驱动检测端与所述第一整流输入端连接,所述第一驱动模块的驱动输出端与所述第一专用功率MOSFET的栅极连接;所述第二驱动模块的驱动检测端与所述第二整流输入端连接,所述第二驱动模块的驱动输出端与所述第二专用功率MOSFET的栅极连接。7.如权利要求6所述的同步整流互锁电路,其特征在于,所述第一驱动模块还包括第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管;所述第一三极管的发射极与所述第一驱动模块的驱动检测端连接,所述第一三极管的集电极与所述第一三极管的基极连接,所述第一驱动模块的电源输入端与所述第一三极管的基极连接,所述第一驱动模块的电源输入端还与所述第二三极管的集电极连接,所述第二三极管的发射极与地连接,所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极连接;所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接,所述第三三极管的集电极与所述第一驱动模块的电源输入端连接,所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的发射极连接,所述第四三极管的基极与所述第三三极管的基极连接,所述第四三极管的集电极与地连接,所述第三三极管的发射极与所述第一驱动模块的驱动输出端连接;以及,所述第二驱动模块还包括第五三极管、第六三极管、第七三极管和第八三极管;所述第五三极管的发射极与所述第二驱动模块的驱动检测端连接,所述第五三极管的集电极与所述第五三极管的基极连接,所述第二驱动模块的电源输入端与所述第五三极管的基极连接,所述第二驱动模块的电源输入端还与所述第六三极管的集电极连接,所述第六三极管的发射极与地连接,所述第六三极管的基极与所述第五三极管的基极连接;所述第七三极管的基极与所述第六三极管的集电极连接,所述第七三极管的集电...

【专利技术属性】
技术研发人员:温益军
申请(专利权)人:广州视源电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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