一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种功率分配移相器，包括输入端，功率分配及移相模块和多个输出端，其中，功率分配及移相模块采用低温共烧陶瓷多层集成电路；输入端与功率分配及移相模块相连接，用于接收外部电路输入的功率，并将所接收的功率传送到功率分配及移相模块；功率分配及移相模块的一端与输入端相连接，另一端与多个输出端相连接，用于接收输入端输入的功率，并将所接收的功率分配为至少两路的功率，并对所接收的功率进行移相；多个输出端与功率分配及移相模块相连接，用于输出分配后的至少两路功率。该功率分配移相器实现了功率分配移相器电路系统的小型化，集成化。

【技术实现步骤摘要】
一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器
本专利技术涉及微波
，尤其涉及一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配/合成移相器。
技术介绍
功率分配器(PowerDivider)是一种将一路输入信号功率分成两路或多路输出相等或者不相等功率的器件。而移相器(Phaser)能够对波的相位进行调整，在高频系统中，一般需要将发射功率或者接收功率按照一定比例分配到各个子单元，满足天线或者信号处理的要求，因此，功率分配移相器在微波毫米波等通信系统中得到了广泛的应用。目前的功率分配移相器一般为平面结构，而且为了实现功率分配器的平衡性和隔离度，电路往往比较复杂且占用的面积比较大，但是随着雷达等微波系统的快速发展，对小型化，集成化的功率分配移相器的需求越来越大。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器，实现了功率分配移相器电路系统的小型化，集成化，解决了现有技术中因采用平面结构而导致的面积大，集成度低的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例提供了一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器，包括输入端，功率分配及移相模块和多个输出端，其中，功率分配及移相模块采用低温共烧陶瓷多层集成电路，输入端与功率分配及移相模块相连接，用于接收外部电路输入的功率，并将所接收的功率传送到功率分配及移相模块；功率分配及移相模块的一端与输入端相连接，另一端与多个输出端相连接，用于接收输入端输入的功率，并将所接收的功率分配为至少两路的功率，并对所接收的功率进行移相；多个输出端与功率分配及移相模块相连接，用于输出分配后的至少两路功率。可选地，功率分配及移相模块中的电路元件呈折线分布。可选地，功率分配及移相模块中的电路元件均兼有功率分配及移相的作用。可选地，功率分配移相器将所接收的功率分配为四路输出功率。可选地，功率分配及移相模块包括一个巴伦，两个耦合器，其中，巴伦与输入端相连接，且与两个耦合器均连接，两个耦合器均与输出端相连接。可选地，功率分配移相器还包括至少两个负载，两个耦合器的一端分别与至少两个负载中的其中之一相连接，另一端与巴伦相连接。可选地，功率分配及移相模块包括三个耦合器，其中，第一耦合器与输入端相连接，且通过一个移相器与第二耦合器相连接，第二耦合器的一端与移相器连接，另一端与输出端相连接，第三耦合器的一端与第一耦合器相连接，另一端与输出端相连接。可选地，功率分配移相器还包括至少两个负载，第二耦合器和第三耦合器的一端分别与至少两个负载的其中之一相连接。可选地，功率分配及移相模块包括三个电桥，其中，第一电桥与输入端相连接，且通过一个移相器与第二电桥相连接，第二电桥的一端与移相器连接，另一端与输出端相连接，第三电桥的一端与第一电桥相连接，另一端与输出端相连接。可选地，功率分配移相器还包括至少两个负载，第二电桥和第三电桥的一端分别与至少两个负载中的其中之一相连接。综上，本专利技术实施例提供了一种利用低温共烧陶瓷技术制作的功率分配移相器，将多个电阻，传输线内埋到陶瓷内部，由这些内埋元件组成了多个功率分配模块和移相器，这些功率分配模块和移相器采用了低温共烧陶瓷的叠层结构，相比于现有技术，减少了因采用平面结构而导致的面积大，集成度低的问题，而且组成功率分配及移相模块的电路元件既具有功率分配的作用，又能够对接收到的功率进行移相，一定程度上减少了移相器的个数，极大地缩小了分配移相器的体积。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种功率分配移相器的结构图；图2为本专利技术实施例提供的一种四路输出的功率分配移相器的电路图；图3为本专利技术实施例提供的与图2相应的一种四路输出的功率分配移相器的功率分配及移相过程的示意图；图4为本专利技术实施例提供的与图2相应的一种四路输出的功率分配移相器的内部结构图；图5为本专利技术实施例提供的另一种四路输出的功率分配移相器的电路图；图6为本专利技术实施例提供的与图5相应的四路输出的功率分配移相器的内部结构图；图7为本专利技术实施例提供的另一种四路输出的功率分配移相器的电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。低温共烧陶瓷(LowTemperatureCo-firedCeramic，LTCC)技术是一种电子封装技术，其能够将多个电容、电阻、耦合器等组件埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，因为该技术在集成封装，设计多样性和灵活性等方面的优点，被用来制造各种微波元件，考虑到目前的功率分配移相器具有尺寸大、集成度低等缺点，本申请实施例将低温共烧陶瓷技术应用于制作功率分配移相器上，通过低温共烧陶瓷的多层结构实现功率分配及移相，大大缩小了产品的尺寸，实现了功率分配移相器电路系统的小型化。需要说明的是，虽然本申请描述的是功率分配移相器，但是功率分配移相器可以和功率合成移相器之间做倒置变换，因此，和本申请实施例相关的功率合成移相器也在本申请的保护范围内。为了实现功率分配移相器的电路系统小型化，如图1所示，本申请实施例提供了一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器，包括输入端，功率分配及移相模块和多个输出端，其中，输入端与功率分配及移相模块相连接，功率分配及移相模块的一端与输入端相连接，另一端与多个输出端相连接，多个输出端与功率分配及移相模块相连接。输入端与外部电路相连接，接收外部电路的输入功率，该外部电路可以是高频系统的功率发射电路或者功率接收电路，输出端也与外部电路连接，这里的外部电路可以是高频系统的各个子单元，这样，就把高频系统的发射功率或者接收功率按照功率分配的比例分配到各个子单元中。这里的输入端和输出端可以分别位于陶瓷基板的底面和顶面，即，可以是输入端位于陶瓷基板的底面，输出端位于陶瓷基板的顶面，也可以是输入端位于陶瓷基板的顶面，输出端位于陶瓷基板的底面。为了减小功率分配移相器的体积，本申请中的功率分配及移相模块采用低温共烧陶瓷多层集成电路。本申请实施例以四路输出功率的功率分配移相器为例进行阐述。如图2所示，功率分配移相器中的功率分配及移相模块包括一个巴伦，两个耦合器，其中，巴伦与输入端IN相连接，且与两个耦合器均连接，两个耦合器均与输出端相连接，该功率分配移相器共有四个输出端OUT1，OUT2，OUT3，OUT4,其中耦合器1与输出端OUT1和OUT2相连接，耦合器2与输出端OUT3和OUT4相连接。且耦合器1与负载1和巴伦均连接，耦合器2与负载2和巴伦均连接。由于巴伦可以对输入波进行180度移相，耦合器可以对输入波进行90度移相，因此，耦合器1和耦合器2以及巴伦在上述的功率分配移相器中起到功率分配以及移相的作用。结合图2，以功率分配器将输入信号功率分成输出相等功率为例，如图3所示，假设输入端IN接收了功率为20W的波，经过巴伦后，分成两路功率为10W，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器，其特征在于，包括输入端，功率分配及移相模块和多个输出端，其中，所述功率分配及移相模块采用低温共烧陶瓷多层集成电路；所述输入端与所述功率分配及移相模块相连接，用于接收外部电路输入的功率，并将所接收的功率传送到所述功率分配及移相模块；所述功率分配及移相模块的一端与所述输入端相连接，另一端与所述多个输出端相连接，用于接收所述输入端输入的功率，并将所接收的功率分配为至少两路的功率，并对所接收的功率进行移相；所述多个输出端与所述功率分配及移相模块相连接，用于输出分配后的至少两路功率。

【技术特征摘要】
2017.01.17 CN 20171002862331.一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器，其特征在于，包括输入端，功率分配及移相模块和多个输出端，其中，所述功率分配及移相模块采用低温共烧陶瓷多层集成电路；所述输入端与所述功率分配及移相模块相连接，用于接收外部电路输入的功率，并将所接收的功率传送到所述功率分配及移相模块；所述功率分配及移相模块的一端与所述输入端相连接，另一端与所述多个输出端相连接，用于接收所述输入端输入的功率，并将所接收的功率分配为至少两路的功率，并对所接收的功率进行移相；所述多个输出端与所述功率分配及移相模块相连接，用于输出分配后的至少两路功率。2.根据权利要求1所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配及移相模块中的电路元件呈折线分布。3.根据权利要求1所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配及移相模块中的电路元件均兼有功率分配及移相的作用。4.根据权利要求1所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配移相器为四路输出功率的功率分配移相器。5.根据权利要求1～4任一所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配及移相模块包括一个巴伦，两个耦合器，其中，所述巴伦与所述输入端相连接，且与所述两个耦合器均连接，所述两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：石家庄创天电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13