半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置包括引线框架、装设在引线框架上的半导体芯片、覆盖引线框架及半导体芯片的密封树脂。引线框架具有柱状的端子。端子具有第1端面、与第1端面为相反侧的第2端面、以及在第1端面与第2端面之间沿纵方向延伸的侧面。在侧面设有阶差部，形成与第2端面为相反侧且具有凹凸部的阶差面。在端子中，从第1端面朝向第2端面延伸且包括阶差面的第1部分被密封树脂覆盖，从第1部分延伸至第2端面的第2部分从密封树脂突出。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法、引线框架及其制造方法。
技术介绍
现已有在引线框架上装设半导体芯片，并用树脂进行密封的半导体装置。作为一例可以举出，柱状或角柱状的端子部的一端侧被树脂部密封，另一端侧从树脂部露出的半导体装置。在该半导体装置中，端子部的一端侧在树脂部内通过接合线与半导体芯片连接，端子部的另一端被镀膜覆盖并能够与外部连接。在该半导体装置的制造工序中，通过从金属制板材的下面侧开始进行蚀刻，形成端子部。<现有技术文献><专利文献>专利文献1：(日本)特开2001-24135号公报
技术实现思路
<本专利技术要解决的课题>然而，如上述半导体装置那样从金属制板材的下面侧开始进行蚀刻来形成端子部的情况下，无法在端子部设置防脱离结构(锚)。因此，端子部有可能从树脂部脱落。鉴于以上问题开发了本专利技术，其目的在于提供一种端子部从树脂部脱落的可能性降低的半导体装置。<解决上述课题的手段>本专利技术的半导体装置包括引线框架、装设在引线框架上的半导体芯片、覆盖引线框架及半导体芯片的密封树脂。引线框架具有柱状的端子。端子具有第1端面、与第1端面为相反侧的第2端面、以及在第1端面与第2端面之间沿纵方向延伸的侧面。在侧面设有阶差，形成与第2端面为相反侧且具有凹凸的阶差面。在端子中，从第1端面朝向第2端面延伸且包括阶差面的第1部分被密封树脂覆盖，从第1部分延伸至第2端面的第2部分从密封树脂突出。<专利技术的效果>根据以上公开的技术，能够提供一种端子部从树脂部脱落的可能性降低的半导体装置。附图说明图1A是例示第1实施方式的半导体装置的平面图。图1B是例示第1实施方式的半导体装置的剖面图。图1C是例示第1实施方式的半导体装置的局部扩大剖面图。图1D是例示第1实施方式的半导体装置的局部扩大平面图。图2是说明S比率的图。图3A是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的平面图(其1)。图3B是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的剖面图(其1)。图4A是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的平面图(其2)。图4B是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的剖面图(其2)。图4C是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图(其2)。图4D是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大平面图(其2)。图5A是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的平面图(其3)。图5B是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的剖面图(其3)。图5C是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图(其3)。图5D是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大平面图(其3)。图6A是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的平面图(其4)。图6B是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的剖面图(其4)。图6C是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图(其4)。图6D是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大平面图(其4)。图7A是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的图(其5)。图7B是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的图(其5)。图7C是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的图(其5)。图8A是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的平面图(其6)。图8B是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的剖面图(其6)。图9A是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的图(其7)。图9B是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的图(其7)。图9C是例示第1实施方式的半导体装置的制造工序的图(其7)。图10A是例示第2实施方式的半导体装置的平面图。图10B是例示第2实施方式的半导体装置的剖面图。图10C是例示第2实施方式的半导体装置的局部扩大剖面图。图10D是例示第2实施方式的半导体装置的局部扩大平面图。图11A是例示第2实施方式的半导体装置的制造工序的平面图。图11B是例示第2实施方式的半导体装置的制造工序的剖面图。图11C是例示第2实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大平面图。图11D是例示第2实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图。图12A是例示第3实施方式的半导体装置的平面图。图12B是例示第3实施方式的半导体装置的剖面图。图12C是例示第3实施方式的半导体装置的局部扩大剖面图。图12D是例示第3实施方式的半导体装置的局部扩大平面图。图13A是例示第3实施方式的半导体装置的制造工序的平面图。图13B是例示第3实施方式的半导体装置的制造工序的剖面图。图13C是例示第3实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大平面图。图14A是例示第4实施方式的半导体装置的平面图。图14B是例示第4实施方式的半导体装置的剖面图。图14C是例示第4实施方式的半导体装置的局部扩大剖面图。图14D是例示第4实施方式的半导体装置的局部扩大平面图。图15A是例示第4实施方式的半导体装置的制造工序的平面图。图15B是例示第4实施方式的半导体装置的制造工序的剖面图。图15C是例示第4实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大平面图。图15D是例示第4实施方式的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图。图16是例示变形例1的半导体装置的图。图17是例示变形例2的半导体装置的图。图18A是例示变形例2的半导体装置的制造工序的图。图18B是例示变形例2的半导体装置的制造工序的图。图18C是例示变形例2的半导体装置的制造工序的图。图19A是例示变形例3的半导体装置的图。图19B是例示变形例3的半导体装置的局部扩大剖面图。图20A是例示变形例3的半导体装置的制造工序的图。图20B是例示变形例3的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图。图21A是例示变形例4的半导体装置的图。图21B是例示变形例4的半导体装置的局部扩大剖面图。图22A是例示变形例4的半导体装置的制造工序的图。图22B是例示变形例4的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图。图23是例示变形例5的半导体装置的图。图24是例示变形例5的半导体装置的制造工序的图。图25是例示变形例6的半导体装置的图。图26A是例示变形例7的半导体装置的图。图26B是例示变形例7的半导体装置的局部扩大剖面图。图27A是例示变形例7的半导体装置的制造工序的图。图27B是例示变形例7的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图。图28A是例示变形例8的半导体装置的图。图28B是例示变形例8的半导体装置的局部扩大剖面图。图29A是例示变形例8的半导体装置的制造工序的图。图29B是例示变形例8的半导体装置的制造工序的局部扩大剖面图。图30A是说明杯剪切试验的试验用样本等的图。图30B是说明杯剪切试验的试验用样本等的图。图31是例示实施例1的杯剪切试验结果的图。图32是例示实施例2的杯剪切试验结果的图。图33是例示实施例3的杯剪切试验结果的图。符号说明1、1A-1G、2、3、4半导体装置10、10S引线框架11芯片垫11g、12引线12d、12e阶差面12T突起部12x、12y阶差部13、14、15金属膜17黏着材18高密度凹凸部20半导体芯片30金属线40树脂部50凸点300、310、320、330保护层300x本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：引线框架，具有柱状的端子；半导体芯片，被装设在所述引线框架；以及密封树脂，覆盖所述引线框架及所述半导体芯片，所述端子具有第1端面、与所述第1端面为相反侧的第2端面、以及在所述第1端面与所述第2端面之间沿纵方向延伸的侧面，在所述侧面设有阶差部，形成与所述第2端面为相反侧且具有凹凸部的阶差面，在所述端子中，从所述第1端面朝向所述第2端面延伸且包括所述阶差面的第1部分被所述密封树脂覆盖，从所述第1部分延伸至所述第2端面的第2部分从所述密封树脂突出。

【技术特征摘要】
2015.10.30 JP 2015-2148501.一种半导体装置，包括：引线框架，具有柱状的端子；半导体芯片，被装设在所述引线框架；以及密封树脂，覆盖所述引线框架及所述半导体芯片，所述端子具有第1端面、与所述第1端面为相反侧的第2端面、以及在所述第1端面与所述第2端面之间沿纵方向延伸的侧面，在所述侧面设有阶差部，形成与所述第2端面为相反侧且具有凹凸部的阶差面，在所述端子中，从所述第1端面朝向所述第2端面延伸且包括所述阶差面的第1部分被所述密封树脂覆盖，从所述第1部分延伸至所述第2端面的第2部分从所述密封树脂突出。2.如权利要求1所述的半导体装置，所述凹凸部的各凹部的平面形状是直径0.020mm以上0.060mm以下的圆形，或是与直径0.020mm以上0.060mm以下的外接圆相接的多边形，在平坦面形成有所述凹凸部的情况下，所述凹凸部的表面积相对于所述平坦面的表面积的比率为1.7以上。3.如权利要求1所述的半导体装置，所述端子的所述第1部分包括所述侧面的从所述阶差面朝向所述第2端面延伸的部分。4.如权利要求1所述的半导体装置，在所述端子的所述侧面还设有阶差部，形成另一阶差面，所述另一阶差面在横方向上位于比所述阶差面更为外侧的位置，所述端子的所述第1部分还包括所述另一阶差面。5.如权利要求1所述的半导体装置，所述引线框架还具有装设半导体芯片的芯片装设面，在所述芯片装设面还形成有所述凹凸部。6.一种引线框架，所述引线框架包括板材，所述板材的一个面的一部分突出以形成柱状的突起，该突起成为连接端子，在所述板材的所述一个面的所述突起的周围形成有凹凸部，所述突起以及所述凹凸部位于所述板材的所述一个面上的被密封树脂覆盖的区域。7.如权利要求6所述的引线框架，所述凹凸部的各凹部的平面形状是直径0.020mm以上0.060mm以下的圆形，或是与直径0.020mm以上0.060mm以下的外接圆相接的多边形，在平坦面形成有所述凹凸部的情况下，所述凹凸部的表面积相对于所述平坦面的表面积的比率为1.7以上。8.如权利要求6所述的引线框架，在所述板材的所述一个面设有阶差部，在所述突起的周围形成另一突起，在所述板材的所述一个面的所述另一突起形成有所述凹凸部。9.如权利要求8所述的引线框架，在所述板材的与所述一个面为相反侧的另一个面还形成有金属膜，所述金属膜覆盖所述另一个面的、从垂直于所述另一个面的方向观察时与所述突起及所述另一突起重叠的区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：林真太郎，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP