阵列基板的制作方法及阵列基板技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板，在阵列基板的制作方法中，通过采用O

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法及阵列基板
本专利技术涉及平板显示
，特别是涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
技术介绍
随着平板显示的发展，高分辨率，低能耗的面板需求不断被提出。其中AMOLED(有源矩阵有机发光二极管)面板因其色域广、对比度高、分辨率高、轻薄、功耗低、响应速度快及具有柔韧性等LCD(液晶显示屏)难以做到的优点，得到了市场和行业内的高度关注AMOLED面板的阵列基板包括LTPSTFT(低温多晶硅薄膜晶体管)、钝化层、平坦化层和阳极等，LTPSTFT包括具有高迁移率的多晶硅半导体层和源/漏极，源/漏极与多晶硅半导体层连接，AMOLED阳极通过钝化层过孔和平坦化层灰化实现与源/漏极的搭接，通过向多晶硅半导体层和源/漏极提供电流，进而驱动AMOLED的阳极。然而，在传统的制作阵列基板的过程中，通常采用氧气对平坦化层进行灰化，由于源/漏极的表面材质为金属，在灰化过程中，氧气的存在导致源/漏极表面的金属部分被氧化成金属氧化物，从而导致源/漏极与AMOLED的阳极的搭接电阻偏大，进而导致含有上述方法制作的阵列基板的屏幕在使用时出现发热、色彩显示不均及功耗高等不良问题，其中，搭接电阻为源/漏极与AMOLED的阳极接触时产生的电阻。
技术实现思路
基于此，有必要提供针对采用传统方法制得的阵列基板中源/漏极与AMOLED的阳极的搭接电阻偏大，进而导致含有上述方法制作的屏幕在使用时出现发热、色彩显示不均及功耗高等技术问题，提供一种阵列基板的制作方法及采用上述阵列基板的制作方法获得的阵列基板。一种阵列基板的制作方法，包括：在包括源极和漏极的薄膜晶体管上形成具有第一过孔的钝化层，所述第一过孔用于暴露所述源极或所述漏极；在所述钝化层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行黄光曝光显影处理，得到含有第二过孔图案的平坦化层；采用O2和氧化抑制剂对所述含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，得到含有第二过孔的平坦化层，所述第二过孔与所述第一过孔对齐；在所述含有第二过孔的平坦化层上形成阳极电极，所述阳极电极依次穿过所述第二过孔及所述第一过孔并与所述源极或所述漏极连接。在其中一个实施例中，所述氧化抑制剂包括N2。在其中一个实施例中，所述氧化抑制剂包括Cl2、Br2和BCl3中的至少一种。在其中一个实施例中，所述采用O2和氧化抑制剂对所述含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，包括如下步骤：采用O2对所述含有第二过孔图案的平坦化层进行第一次灰化处理；采用氧化抑制剂对完成第一次灰化处理的所述含有第二过孔图案的平坦化层进行第二次灰化处理。在其中一个实施例中，所述平坦化层的材质为有机绝缘材料。在其中一个实施例中，所述平坦化层的厚度为1.5μm～3.5μm。在其中一个实施例中，所述对所述平坦化层进行黄光曝光显影处理，得到含有第二过孔图案的平坦化层之后，所述采用O2和氧化抑制剂对所述含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，得到含有第二过孔的平坦化层之前，还包括如下步骤：在200℃～400℃温度范围内，对所述含有第二过孔图案的平坦化层进行高温静置。在其中一个实施例中，所述源极和所述漏极均包括相互叠置的钛层/铝层/钛层。在其中一个实施例中，所述源极和所述漏极的材质均为钛。一种阵列基板，采用如上述任意一项所述阵列基板的制作方法制作得到。上述阵列基板的制作方法及其阵列基板，在阵列基板的制作方法中，通过采用O2和氧化抑制剂对含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，去除黄光曝光及显影工艺后残留的平坦化层材质，较好地避免了源极或漏极表面的金属部分在灰化处理过程中被氧化成金属氧化物的情况出现，从而能够较好地避免源极或漏极与阳极电极的搭接电阻偏大，导致含有上述方法制作的阵列基板的屏幕在使用时出现发热、色彩显示不均及功耗高等不良问题。附图说明图1为一实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图；图2为一实施例的阵列基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。例如，一种阵列基板的制作方法，包括：在包括源极和漏极的薄膜晶体管上形成具有第一过孔的钝化层，第一过孔用于暴露源极或漏极；在钝化层上形成平坦化层；对平坦化层进行黄光曝光显影处理，得到含有第二过孔图案的平坦化层；采用O2和氧化抑制剂对含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，得到含有第二过孔的平坦化层，第二过孔与第一过孔对齐；在含有第二过孔的的平坦化层上形成阳极电极，阳极电极依次穿过第二过孔及第一过孔与源极或漏极连接。下面结合附图描述根据本专利技术实施例的阵列基板的制作方法。如图1所示，一实施例的阵列基板的制作方法包括如下步骤：S110，在包括源极和漏极的薄膜晶体管上形成具有第一过孔的钝化层。在本实施例中，S110具体包括如下步骤：步骤A，在包括源极和漏极的薄膜晶体管上沉积钝化层，钝化层用于保护薄膜晶体管，避免薄膜晶体管在后续工艺中被污染；步骤B，通过黄光制程、干刻制程对钝化层进行处理，在钝化层上形成第一过孔，得到具有第一过孔的钝化层，第一过孔用于暴露源极或漏极，换言之，第一过孔的位置对应于源极的位置或漏极的位置。例如，在步骤A中，采用LPCVD(低压力化学气相沉积法)在包括源极和漏极的薄膜晶体管上沉积钝化层，需要说明的是，相较于CVD(化学气相沉积法)，LPCVD由于传质速率较快，能够实现大面积快速沉积钝化层的目的。又如，在步骤A中，采用LCVD(激光化学气相沉积法)在包括源极和漏极的薄膜晶体管上沉积钝化层，需要说明的是，相较于CVD(化学气相沉积法)，在LCVD中，激光参与化学气相沉积，使得钝化膜的纯度、强度及韧性得到了很好的提高。又如，在步骤A中，采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)在包括源极和漏极的薄膜晶体管上沉积钝化层，需要说明的是，相较于CVD(化学气相沉积法)，采用PECVD获得的钝化膜，膜层厚度更加均匀，且工艺的重复性好。例如，在步骤B中，采用黄光曝光显影的黄光制程对钝化层进行图案化处理，获得含有第一过孔图案的钝化层，随后，对含有第一过孔图案的钝化层进行干刻，获得含有第一过孔的钝化层。又如，采用RIE(反应离子刻蚀)对含有第一过孔图案的钝化层进行干刻。又如，采用ICP(电感耦合等离子体刻蚀)对含有第一过孔图案的钝化层进行干刻。又如，采用PE(等离子体刻蚀)对含有第一过孔图案的钝化层进行干刻。又如，干刻的工艺参数如下：采用的气体为能够刻蚀钝化层材质的气体和O2，刻蚀钝化层材质的气流量为100sccm～500sccm，O2的气流量为100sccm～500sccm，射频功率为2000W～6000W，刻蚀时间为30s～120s。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在包括源极和漏极的薄膜晶体管上形成具有第一过孔的钝化层，所述第一过孔用于暴露所述源极或所述漏极；在所述钝化层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行黄光曝光显影处理，得到含有第二过孔图案的平坦化层；采用O

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在包括源极和漏极的薄膜晶体管上形成具有第一过孔的钝化层，所述第一过孔用于暴露所述源极或所述漏极；在所述钝化层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行黄光曝光显影处理，得到含有第二过孔图案的平坦化层；采用O2和氧化抑制剂对所述含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，得到含有第二过孔的平坦化层，所述第二过孔与所述第一过孔对齐；在所述含有第二过孔的平坦化层上形成阳极电极，所述阳极电极依次穿过所述第二过孔及所述第一过孔并与所述源极或所述漏极连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述氧化抑制剂包括N2。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述氧化抑制剂包括Cl2、Br2和BCl3中的至少一种。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用O2和氧化抑制剂对所述含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，包括如下步骤：采用O2对所述含有第二过孔图案的平坦化层进行第一次灰化处理；采用氧化抑...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海燕，张毅先，任思雨，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44