高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器，包括由上平白玻璃硬质板、下平白玻璃硬质板和透明玻璃框所构成的真空室；在上平白玻璃硬质板上有阳极氧化物电极膜层、与阳极氧化物电极膜层相连的阳极拓展宽银层以及制备在阳极氧化物电极膜层上面的荧光粉层；在下平白玻璃硬质板上有高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构；位于真空室内的消气剂和分立方柱附属元件。具有制作成本低廉、制作工艺稳定可靠、发光灰度可调节性能优异、发光亮度高的优点。

【技术实现步骤摘要】
高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器
本专利技术属于纳米科学与
、显示
、光电子科学与
、集成电路科学与
、微电子科学与
以及真空科学与
的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器的显示器制作及其制作工艺。
技术介绍
场发射发光显示器是一种新型的显示装置，其优异的显示图像质量已经得到了众多科研人员的认可。在场发射发光显示器的研发过程中，阴极电子源一直是制约发光显示器研究的关键因素；自从碳纳米管被发现、并被成功应用于场发射发光显示器中后，对场发射发光显示器的研发得到了快速前进。在真空环境下，只要在碳纳米管表面形成足够大的电场强度，碳纳米管就会源源不断的向外提供电子。正是利用这一特点，碳纳米管才被制作成场发射发光显示器中优异的冷阴极。在三极结构的场发射发光显示器中，有阳极、阴极和门极三个电极。缘于门极和阴极的距离很近，故门极的工作电压很低。但是，不可否认，正是由于门极结构的加入，使得场发射发光显示器的制作变得复杂。在目前的三极结构场发射发光显示器中，还有许多难以解决的技术难题存在。例如，其一，门极结构问题。当在门极上施加适当工作电压后，或者所施加的门极工作电压过高，从而极度增大了发光显示器的功率损耗，或者碳纳米管根本就不进行场电子发射，造成发光显示器的彻底报废，这些情况都与门极结构有着直接的关联。其二，碳纳米管层面积问题。若无一定数量的碳纳米管提供所发射的电子，是无法形成发光显示器正常工作所需要的阳极电流的，因而就要求碳纳米管层具有一定的制作面积；去除掉无法发射电子的无效碳纳米管以外，能够进行正常场电子发射的碳纳米管的数量必须足够的多。这样就对碳纳米管的制作工艺、制作结构、后处理措施等方面都提出了更高的要求。其三，碳纳米管层结构问题。碳纳米管层的基本功能就是为场发射发光显示器提供电子；碳纳米管所提供的电子越多，发光显示器的显示图像性能指标也就越好。但究竟采取什么举措才能让碳纳米管层进行大量电子发射，还需要进行行之有效的探索。此外，在场发射发光显示器的研发过程中，发光显示器的制作成本也是不得不考虑的问题之一。若过多使用专用的、昂贵的制作设备，使得场发射发光显示器的制作费用居高不下，那么场发射发光显示器也是难以进行大规模生产的。
技术实现思路
专利技术目的：为了克服现有技术中存在的缺陷和不足，本专利技术提供一种制作成本低廉的、制作工艺稳定可靠的、发光灰度可调节性能优异的、发光亮度高的带有高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器的显示器制作及其制作工艺。技术方案：为解决上述技术问题，本专利技术提供的高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器，包括由上平白玻璃硬质板、下平白玻璃硬质板和透明玻璃框所构成的真空室；在上平白玻璃硬质板上有阳极氧化物电极膜层、与阳极氧化物电极膜层相连的阳极拓展宽银层以及制备在阳极氧化物电极膜层上面的荧光粉层；在下平白玻璃硬质板上有高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构；位于真空室内的消气剂和分立方柱附属元件。所述的高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的衬底材料为玻璃，可以为钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是下平白玻璃硬质板；下平白玻璃硬质板上的印刷的绝缘浆料层形成浅黑隐蔽层；浅黑隐蔽层上的印刷的银浆层形成阴极拓展宽银层；阴极拓展宽银层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极多弯基下层；阴极多弯基下层为正圆柱体形，阴极多弯基下层的下表面为平面、位于阴极拓展宽银层上，阴极多弯基下层的上表面为平面、且阴极多弯基下层的上表面和下表面相互平行，阴极多弯基下层的外侧面为直立的圆筒面，阴极多弯基下层中心垂直轴线垂直于下平白玻璃硬质板，阴极多弯基下层上表面中心位于阴极多弯基下层中心垂直轴线上，阴极多弯基下层下表面中心位于阴极多弯基下层中心垂直轴线上，阴极多弯基下层的圆形上表面的圆半径等于阴极多弯基下层的圆形下表面的圆半径；阴极多弯基下层中存在方形孔，方形孔内印刷的银浆层形成阴极下层竖直延长层；阴极下层竖直延长层和阴极拓展宽银层相互连通；阴极多弯基下层上表面的印刷的银浆层形成阴极下层平面延长层；阴极下层平面延长层布满阴极多弯下层的上表面，阴极下层平面延长层和阴极下层竖直延长层相互连通；阴极拓展宽银层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极多弯基周围层；阴极多弯基周围层为类圆环体形、环绕着阴极多弯基下层，阴极多弯基周围层的下表面为平面、位于阴极拓展宽银层上，阴极多弯基周围层的上表面为向阴极多弯基周围层内部凹陷的倾斜曲面、靠近阴极多弯基下层上表面的部位的高度高而远离阴极多弯基下层上表面的部位的高度低，阴极多弯基周围层中心垂直轴线垂直于下平白玻璃硬质板，阴极多弯基周围层中心垂直轴线和阴极多弯基下层中心垂直轴线相重合，阴极多弯基周围层的外侧面为向阴极多弯基周围层内部凹陷的倾斜曲面、靠近阴极多弯基周围层上表面的部位相距阴极多弯基周围层中心垂直轴线近而远离阴极多弯基周围层上表面的部位相距阴极多弯基周围层中心垂直轴线远；阴极多弯基周围层上表面的印刷的银浆层形成阴极周围层连线层；阴极周围层连线层布满阴极多弯基周围层上表面，阴极周围层连线层的内端和阴极下层平面延长层相连接、阴极周围层连线层的外端延伸至阴极多弯基周围层上表面的外边缘；阴极周围层连线层和阴极下层平面延长层相互连通；阴极周围层连线层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极多弯基中间环层；阴极多弯基中间环层位于阴极周围层连线层上、且环绕着阴极多弯基下层，阴极多弯基中间环层中心垂直轴线垂直于下平白玻璃硬质板，阴极多弯基中间环层中心垂直轴线和阴极多弯基下层中心垂直轴线相重合，阴极多弯基中间环层的上表面为倾斜曲面、靠近阴极多弯基中间环层中心垂直轴线的部位的高度低而远离阴极多弯基中间环层中心垂直轴线的部位的高度高，阴极多弯基中间环层的外侧面为倾斜的曲面、靠近阴极多弯基中间环层上表面的部位相距阴极多弯基中间环层中心垂直轴线近而远离阴极多弯基中间环层上表面的部位相距阴极多弯基中间环层中心垂直轴线远；阴极多弯基中间环层上的印刷的银浆层形成阴极中间环层连线层；阴极中间环层连线层布满阴极多弯基中间环层上表面，阴极中间环层连线层的内端和阴极下层平民延长层相连接、阴极中间环层连线层的外端延伸至阴极多弯基中间环层上表面的外边缘；阴极中间环层连线层和阴极下层平面延长层相互连通；阴极下层平面延长层和阴极中间环层连线层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极多弯基上层；阴极多弯基上层位于阴极下层平面延长层和阴极中间环层连线层上，阴极多弯基上层中心垂直轴线垂直于下平白玻璃硬质板，阴极多弯基上层中心垂直轴线和阴极多弯基下层中心垂直轴线相重合，阴极多弯基上层的外侧面为倾斜的曲面、靠近阴极多弯基上层上表面的部位相距阴极多弯基上层中心垂直轴线近而远离阴极多弯基上层上表面的部位相距阴极多弯基上层中心垂直轴线远；阴极多弯基周围层和阴极多弯基中间环层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极下过渡电极层；阴极下过渡电极层为环状曲面、环绕着阴极多弯基周围层和阴极多弯基中间环层，阴极下过渡电极层的曲面下边缘位于阴极多弯基周围层外侧面上，阴极下过渡电极层的曲面下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器，包括真空室和位于真空室内的消气剂和分立方柱，所述真空室由上平白玻璃硬质板、下平白玻璃硬质板和透明玻璃框组成，其特征在于：在上平白玻璃硬质板上有阳极氧化物电极膜层、与阳极氧化物电极膜层相连的阳极拓展宽银层以及制备在阳极氧化物电极膜层上面的荧光粉层；在下平白玻璃硬质板上有高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构。

【技术特征摘要】
1.一种高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器，包括真空室和位于真空室内的消气剂和分立方柱，所述真空室由上平白玻璃硬质板、下平白玻璃硬质板和透明玻璃框组成，其特征在于：在上平白玻璃硬质板上有阳极氧化物电极膜层、与阳极氧化物电极膜层相连的阳极拓展宽银层以及制备在阳极氧化物电极膜层上面的荧光粉层；在下平白玻璃硬质板上有高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构。2.根据权利要求1所述的高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的发光显示器，其特征在于：所述下平白玻璃硬质板作为高下单边偏置独门控多弯底异环裙边多沿阴极结构的衬底，所述衬底的材料为钠钙玻璃或硼硅玻璃；下平白玻璃硬质板上的印刷的绝缘浆料层形成浅黑隐蔽层；浅黑隐蔽层上的印刷的银浆层形成阴极拓展宽银层；阴极拓展宽银层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极多弯基下层；阴极多弯基下层为正圆柱体形，阴极多弯基下层的下表面为平面、位于阴极拓展宽银层上，阴极多弯基下层的上表面为平面、且阴极多弯基下层的上表面和下表面相互平行，阴极多弯基下层的外侧面为直立的圆筒面，阴极多弯基下层中心垂直轴线垂直于下平白玻璃硬质板，阴极多弯基下层上表面中心位于阴极多弯基下层中心垂直轴线上，阴极多弯基下层下表面中心位于阴极多弯基下层中心垂直轴线上，阴极多弯基下层的圆形上表面的圆半径等于阴极多弯基下层的圆形下表面的圆半径；阴极多弯基下层中存在方形孔，方形孔内印刷的银浆层形成阴极下层竖直延长层；阴极下层竖直延长层和阴极拓展宽银层相互连通；阴极多弯基下层上表面的印刷的银浆层形成阴极下层平面延长层；阴极下层平面延长层布满阴极多弯下层的上表面，阴极下层平面延长层和阴极下层竖直延长层相互连通；阴极拓展宽银层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极多弯基周围层；阴极多弯基周围层为类圆环体形、环绕着阴极多弯基下层，阴极多弯基周围层的下表面为平面、位于阴极拓展宽银层上，阴极多弯基周围层的上表面为向阴极多弯基周围层内部凹陷的倾斜曲面、靠近阴极多弯基下层上表面的部位的高度高而远离阴极多弯基下层上表面的部位的高度低，阴极多弯基周围层中心垂直轴线垂直于下平白玻璃硬质板，阴极多弯基周围层中心垂直轴线和阴极多弯基下层中心垂直轴线相重合，阴极多弯基周围层的外侧面为向阴极多弯基周围层内部凹陷的倾斜曲面、靠近阴极多弯基周围层上表面的部位相距阴极多弯基周围层中心垂直轴线近而远离阴极多弯基周围层上表面的部位相距阴极多弯基周围层中心垂直轴线远；阴极多弯基周围层上表面的印刷的银浆层形成阴极周围层连线层；阴极周围层连线层布满阴极多弯基周围层上表面，阴极周围层连线层的内端和阴极下层平面延长层相连接、阴极周围层连线层的外端延伸至阴极多弯基周围层上表面的外边缘；阴极周围层连线层和阴极下层平面延长层相互连通；阴极周围层连线层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极多弯基中间环层；阴极多弯基中间环层位于阴极周围层连线层上、且环绕着阴极多弯基下层，阴极多弯基中间环层中心垂直轴线垂直于下平白玻璃硬质板，阴极多弯基中间环层中心垂直轴线和阴极多弯基下层中心垂直轴线相重合，阴极多弯基中间环层的上表面为倾斜曲面、靠近阴极多弯基中间环层中心垂直轴线的部位的高度低而远离阴极多弯基中间环层中心垂直轴线的部位的高度高，阴极多弯基中间环层的外侧面为倾斜的曲面、靠近阴极多弯基中间环层上表面的部位相距阴极多弯基中间环层中心垂直轴线近而远离阴极多弯基中间环层上表面的部位相距阴极多弯基中间环层中心垂直轴线远；阴极多弯基中间环层上的印刷的银浆层形成阴极中间环层连线层；阴极中间环层连线层布满阴极多弯基中间环层上表面，阴极中间环层连线层的内端和阴极下层平民延长层相连接、阴极中间环层连线层的外端延伸至阴极多弯基中间环层上表面的外边缘；阴极中间环层连线层和阴极下层平面延长层相互连通；阴极下层平面延长层和阴极中间环层连线层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极多弯基上层；阴极多弯基上层位于阴极下层平面延长层和阴极中间环层连线层上，阴极多弯基上层中心垂直轴线垂直于下平白玻璃硬质板，阴极多弯基上层中心垂直轴线和阴极多弯基下层中心垂直轴线相重合，阴极多弯基上层的外侧面为倾斜的曲面、靠近阴极多弯基上层上表面的部位相距阴极多弯基上层中心垂直轴线近而远离阴极多弯基上层上表面的部位相距阴极多弯基上层中心垂直轴线远；阴极多弯基周围层和阴极多弯基中间环层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极下过渡电极层；阴极下过渡电极层为环状曲面、环绕着阴极多弯基周围层和阴极多弯基中间环层，阴极下过渡电极层的曲面下边缘位于阴极多弯基周围层外侧面上，阴极下过渡电极层的曲面下边缘为圆环线形，阴极下过渡电极层的曲面上边缘位于阴极多弯基中间环层外侧面上，阴极下过渡电极层的曲面上边缘为带有斜直边椭圆头的环线形；阴极下过渡电极层和阴极周围层连线层相互连通；阴极多弯基中间环层和阴极多弯基上层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极上过渡电极层；阴极上过渡电极层为环状曲面、环绕着阴极多弯基中间环层和阴极多弯极上层；阴极上过渡电极层的曲面上边缘位于阴极多弯基上层外侧面上，阴极上过渡电极层的曲面上边缘为圆环线形，阴极上过渡电极层的曲面下边缘位于阴极多弯基中间环层外侧面上，阴极上过渡电极层的曲面下边缘为带有斜直边椭圆头的环线形；阴极上过渡电极层曲面下边缘中的斜直边椭圆头部位和阴极下过渡电极层曲面上边缘中的斜直边椭圆头部位交错排列；阴极上过渡电极层和阴极中间环层连线层相互连通；浅黑隐蔽层上的印刷的绝缘浆料层形成门极多弯基一层；门极多弯基一层的下表面为平面、位于浅黑隐蔽层上；门极多弯基一层中存在圆形孔，圆形孔中暴露出阴极多弯基周围层、阴极多弯基中间环层、阴极多弯基上层、阴极下过渡电极层和阴极上过渡电极层；门极多弯基一层圆形孔在门极多弯基一层上、下表面形成截面为中空圆面；门极多弯基一层上表面的印刷的银浆层形成门极单偏下电极层；门极单偏下电极层为向下凹陷的弧面形、位于门极多弯基一层上表面，门极单偏下电极层的前端和门极多弯基一层中圆形孔的内侧壁相平齐，门极单偏下电极层的后端远离门极多弯基一层圆形孔，门极单偏下电极层的前端高度低而后端高度高；门极单偏下电极层上的印刷的绝缘浆料层形成门极多弯基二层；门极多弯基二层上的印刷的银浆层形成门极单偏中电极层；门极单偏中电极层为倾斜直坡面形、位于门极多弯基二层上表面上，门极单偏中电极层的前端和圆形孔的内侧壁相平齐，门极单偏中电极层的后端远离圆形孔，门极单偏中电极层的前端高度低...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉魁，
申请(专利权)人：金陵科技学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32