一种高透过率的OnCell的电容触摸屏及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种高透过率的OnCell的电容触摸屏，依次包括TFT基板、二氧化钛膜层、二氧化硅膜层和ITO透过导电膜层，所述的ITO透过导电膜层的厚度为1000~2000埃米。本发明专利技术通过增加二氧化钛膜层和二氧化硅膜层使得手机屏幕达到一体黑的美观的同时，提高了显示屏幕视窗的透过率。

【技术实现步骤摘要】
一种高透过率的OnCell的电容触摸屏及其制备方法
本专利技术涉及电容屏领域，更具体地，涉及一种高透过率的OnCell的电容触摸屏。
技术介绍
随着近年智能手机行业的高速发展，触摸屏技术也成为众多用户和开发者关注的热门技术，在众多触控技术中，G+G,、OGS、In-cell等等都有其不足之处。而Oncell由于其制程简单，成本低，良率高等等优点，这两年来已经越来越成为触控产业新的主导技术方向。目前，在国内外，在oncell触控方面的发展水平还处于少数几家已经实现规模量产，多数行业大公司正在布局开发阶段。主要受限于前期众多触摸屏sensor技术的选择问题，显示屏厂家一起联合触摸屏厂家共同推动这项产品技术路线。传统触摸屏的G+G结构是由两片玻璃对贴组成(一片玻璃做为触摸传感器，一片玻璃做为视窗保护盖板玻璃)这样增加了触摸屏的厚度和重量。OGS是直接把触摸传感器直接做在视窗保护盖板玻璃。但制程工序复杂导致良率不高以及玻璃的强度相对单独的盖板玻璃下降。In-cell是将触摸传感器直接集成到TFT液晶显示玻璃里面。工艺复杂导致良率低，成本高。现有的Oncell采用以TFT液晶显示玻璃(包括array面板玻璃和CF玻璃)贴盒减薄好后的CF玻璃背面制造触摸功能。同时起到液晶显示和触摸传感器的双重作用。该结构为TFT-CF/ITO，具有制程简单，成本低等优点。但由于基板为TFT贴盒玻璃，必须常温或低温镀ITO膜。导致电阻率偏高，必须镀较厚的ITO膜层才能达到驱动灵敏的功能。而ITO镀厚了带来了两个问题：第一，整个显示屏的透过率偏低。第二，显示屏有ITO的可视区和周围的BM边框的色差过大，导致整个屏幕的外观不美观。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种提高透过率，改善显示屏有ITO的可视区和周围的BM边框的色差。本专利技术首先提供一种高透过率的OnCell的电容触摸屏，依次包括TFT基板、二氧化钛膜层、二氧化硅膜层和ITO透过导电膜层，所述的ITO透过导电膜层的厚度为1000~2000埃米。所述的二氧化钛膜层厚度为100~300埃米。所述的二氧化硅膜层厚度为200~300埃米。当电容触摸屏与视窗保护盖板贴合后，可视区和边框区的颜色都趋于黑色。所述的TO透过导电膜层的电阻值为15~60欧姆/口。更进一步提供一种上述的高透过率的OnCell的电容触摸屏的制备方法，对TFT基板的CF玻璃背面进行功能层镀膜加工，依次镀一层TiO2膜层，TiO2膜层上再镀一层SiO2膜层、SiO2膜层上再镀一层ITO透明导电膜层。现有的Oncell采用以TFT液晶显示玻璃贴盒减薄好后的CF玻璃背面制造触摸功能。该结构为TFT-CF/ITO，具有制程简单，成本低等优点。但由于基板为TFT贴盒玻璃，必须常温或低温镀ITO膜。导致电阻率偏高，必须镀较厚的ITO膜层才能达到驱动灵敏的功能。这样会导致整个显示屏的透过率偏低，大概为78-83%，而通过本专利技术的技术在ITO膜下增加功能层，达到一个增透减反的作用，使得玻璃整个表面的透光率可增加到86％以上。同时为了降低电阻值，把ITO膜厚加厚，会使显示屏有ITO的可视区和周围的BM边框的色差过大，导致整个屏幕的外观不美观，无法满足中高端手机对屏幕外观的要求。通过在玻璃增加二氧化钛膜层和二氧化硅膜层，就可以在保证和提高现有功能的前提下，使之和视窗保护盖板贴盒后，可视区和边框区的颜色趋于接近，达到整个手机屏幕一体黑的美观效果。与现有技术相比，本专利技术具有如下优点：1.通过本专利技术的技术在ITO膜下增加功能层，达到一个增透减反的作用，使得玻璃整个表面的透光率可增加到86％以上。2.同时由于为了降低电阻值，把ITO膜厚加厚，会使显示屏有ITO的可视区和周围的BM边框的色差过大，导致整个屏幕的外观不美观，无法满足中高端手机对屏幕外观的要求。通过在玻璃增加二氧化钛膜层和二氧化硅膜层，就可以在保证和提高现有功能的前提下，使之和视窗保护盖板贴盒后，可视区和边框区的颜色趋于接近，达到整个手机屏幕一体黑的美观效果。3.本专利技术适用于Oncell类的电容触摸屏设计，其在设计与制造成本上与现有技术相比，能够更好的达到手机外观美观的效果，满足中高端手机对屏幕的要求；在玻璃的上增加功能层，可提高产品的透光率，改善了产品的显示效果。具体实施方式下面对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征更易被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围作出更为清楚的界定。一种高透过率OnCell电容触摸屏，是以TFT液晶显示玻璃(包括array面板玻璃和CF玻璃)贴盒减薄好后的CF玻璃背面制造触摸功能。同时起到液晶显示和触摸传感器的双重作用。其包括TFT基板，依次层叠于TFT基板的二氧化钛膜层、二氧化硅膜层、ITO透过导电膜层。其制备工艺流程如下：S1、将贴盒减薄好后TFT液晶显示玻璃基板清洗干净；采用无滚刷工艺。S2、将清洗干净的玻璃基板装在基片架上送入镀膜线的真空腔体内；S3、对TFT玻璃基板的CF玻璃背面进行功能层镀膜加工，依次镀一层TiO2膜层，TiO2膜层上再镀一层Sio2膜层、Sio2膜层上再镀一层ITO透明导电膜层。其中TiO2厚度为200埃米；Sio2厚度为500埃米；ITO厚度为1500埃米；采用常温或低温镀膜工艺。S4、然后从镀膜机中取出，再次清洗;S5、ITO图案的形成：TFT玻璃基板经过镀了三层膜后，使在玻璃基板的最上面形成一层透明及厚度均匀的ITO膜层，其厚度为1500埃米；然后ITO膜层表面涂布一层厚度均匀的正性光阻材料，光阻涂布厚度为1µm~2µm；经过光阻预烤，曝光，显影，蚀刻，脱光阻膜，最终形成厚度为1500埃米及规则ITO图案或电极。以上方案中的TiO2膜层是采用中频反应磁控溅射的方式制备而成，工作真空度为0.3-0.5Pa，工作气体为高纯氩气，纯度为99.999％，氩气100-200sccm，中频反应溅射的反应气体为高纯氧气，纯度为99.999％，氧气占比例20-30％，靶功率在10KW-20KW，靶电压350V——550V，镀膜温度25-50°。膜层厚度在10nm-30nm之间。以上种方案中的SiO2膜是采用中频反应磁控溅射的方式制备而成，工作真空度为0.3-0.5Pa，工作气体为高纯氩气，纯度99.999％，氩气200-300sccm，中频反应溅射的反应气体为高纯氧气，纯度为99.999％，氧气占比例30-40％，靶功率在5KW-10KW，靶电压350V——450V，镀膜温度为25-50°。膜层厚度在20nm-80nm之间。以上种方案中的ITO导电膜是采用直流叠加射频溅射的方式制备而成，ITO靶材料由In2O3和SnO2组成，其质量比为85~95：5~15。工作真空度为0.3-0.5Pa，工作气体为高纯氩气，纯度为99.999％，氩气250-350sccm，反应气体为高纯氩氧混合气，纯度为99.999％，氧气占比例1-2％靶功率在5KW-10KW，靶电压100V—200V，镀膜温度为25-50°。膜层厚度在100nm-200nm之间。膜层电阻在15-60Ω之间。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属
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【技术保护点】
一种高透过率的OnCell的电容触摸屏，其特征在于，依次包括TFT基板、二氧化钛膜层、二氧化硅膜层和ITO透过导电膜层，所述的ITO透过导电膜层的厚度为1000~2000埃米。

【技术特征摘要】
1.一种高透过率的OnCell的电容触摸屏，其特征在于，依次包括TFT基板、二氧化钛膜层、二氧化硅膜层和ITO透过导电膜层，所述的ITO透过导电膜层的厚度为1000~2000埃米。2.根据权利要求1所述的高透过率的OnCell的电容触摸屏，其特征在于，所述的二氧化钛膜层厚度为100~300埃米。3.根据权利要求1所述的高透过率的OnCell的电容触摸屏，其特征在于，所述的二氧化硅膜层厚度为200~800埃米。4.根据权利要求1所述的高透过率的OnC...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺新平，
申请(专利权)人：惠州市宝明精工有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44