COA型阵列基板制造技术

本发明专利技术提供一种COA型阵列基板，同时采用了3T设计和DBS设计，每一像素单元中，共享薄膜晶体管的源极与相应金属公共电极线通过设置于第一过孔内的浮块电连接，所述浮块通过引入其所在第一过孔内的第一引线与所述DBS公共电极线电连接；本发明专利技术利用DBS公共电极线与浮块同电位的特性，将DBS公共电极线与浮块通过第一引线电连接，即在浮块所在的第一过孔内引入第一引线，从而通过第一引线的引流作用，在PI制程中方便PI液流入浮块所在的第一过孔内，进而在现有PI涂布设备的能力下，能够有效改善斜纹mura问题，提升产品品质，并节省了设备改造升级的费用。

【技术实现步骤摘要】
COA型阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种COA型阵列基板。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlightmodule)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列(ThinFilmTransistorArray，TFTArray)基板、一彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。另外，TFT阵列基板及CF基板上通常分别具有一层取向膜，该取向膜与液晶分子接触后，能够使得液晶分子产生一定方向的预倾角，从而给液晶分子提供一个承载的角度，取向膜的材料通常选用聚酰亚胺(Polyimide,PI)材料，由PI液涂布于基板上所形成。COA(Color-filteronArray)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术，能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显著提升显示开口率。而对于COA型阵列基板，为了实现上下两层间的连接，那么通常就需要在彩色滤光层上制作开口(CFopen)以形成过孔(Viahole)；然而随着产品设计多样化，CFopen设计越来越多，例如为了改善大视角显示模式下颜色失真的3T设计产品，不仅增加了CFopen数目，而且还增加了CFopen所对应的孔深。具体地，在3T像素结构设计时会将一个像素结构分为主像素区和次像素区两部分，并通过增加共享薄膜晶体管和关态电容来降低次像素区的电压，从而控制主像素区和次像素区的液晶旋转量差，以改善在广视角下颜色失真的现象。而上述将像素结构分为主像素区以及次像素区的设计一般又称为低色偏设计(LowColorShift，LCS)。具体地，通常采用上述3T设计的阵列基板中，每一个像素单元均包括：一个主像素区以及一个次像素区，所述主像素区具有主薄膜晶体管，所述次像素区具有次薄膜晶体管以及共享薄膜晶体管，所述共享薄膜晶体管的源极与公共电极(COM)线连接，与所述公共电极线形成关态电容；其中主像素区还具有主像素电极，主像素电极用于和彩膜基板上公共电极之间形成第一液晶电容，次像素区还具有次像素电极，次像素电极用于和彩膜基板上公共电极之间形成第二液晶电容。所述主薄膜晶体管的第一栅极和所述次薄膜晶体管的第二栅极均连接栅极线；所述主薄膜晶体管的第一源极和所述次薄膜晶体管的第二源极均连接数据线，所述主薄膜晶体管的第一漏极通过过孔连接主像素区的主像素电极，所述次薄膜晶体管的第二漏极通过过孔连接次像素区的次像素电极，从而分别用于控制主像素区以及次像素区的显示。所述主薄膜晶体管和所述次薄膜晶体管关闭时，所述共享薄膜晶体管导通，这时次像素电极上的一部分电荷通过共享薄膜晶体管转移到了关态电容上，从而使得次像素电极对应的第二液晶电容两端的电压低于第一液晶电容两端的电压，通过这种结构来降低了大视角色偏问题。那么在采用上述3T设计的COA型阵列基板的具体制作过程中，所述栅线、以及公共电极线皆属于一第一金属层，可同时形成于阵列基板上，所述数据线、主薄膜晶体管的源漏极、次薄膜晶体管的源漏极、及共享薄膜晶体管的源漏极则属于第二金属层，形成于所述第一金属层之后，彩色滤光层位于第一、第二金属层之上，形成于第一、第二金属层之后，而主像素电极、次像素电极则属于ITO透明导电层，形成于彩色滤光层之后，那么为了使像素电极与漏极连接，就需要在彩色滤光层上对应增加开口，并开设较浅的过孔，使得ITO透明导电层与第二金属层电连接，而为了使共享薄膜晶体管的源极电性连接至公共电极线，就需要在彩色滤光层上对应增加开口，并开设较深的过孔，通过在该深孔内设置氧化铟锡浮块(FloatingITO)，将第一金属层与第二金属层电连接。然而，由于像素结构内深孔的引入，则相应对PI涂布设备在性能上的要求也会增高，因为在PI涂布设备能力一般情况下(吐出每滴PI液滴最小量为75ng)，由于PI液表面张力的存在，在PI制程中会导致深孔附近出现PI液扩散不良，导致PI液堆积在深孔外围，进而会造成产品出现斜纹的亮度不均(mura)，严重影响产品品质，而对于浅孔，因为有像素电极的ITO引线进入浅孔内，所以PI液很容易进入浅孔内，从而无PI液堆积。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种COA型阵列基板，利用DBS公共电极线与浮块同电位的特性，将DBS公共电极线与浮块通过引线电连接，即在浮块所在的过孔内引入引线，从而通过引线的引流作用，在PI制程中方便PI液流入浮块所在的过孔内，从而能够有效改善斜纹mura问题，提升产品品质，并节省了设备改造升级的费用。为实现上述目的，本专利技术提供一种COA型阵列基板，包括多条栅极线、与所述多条栅极线交叉设置的多条数据线、与所述多条栅极线同层设置的多条金属公共电极线、设于所述多条栅极线与所述多条数据线上方的DBS公共电极线、设于所述多条数据线与所述DBS公共电极线之间的彩色滤光层、以及由所述多条栅极线与所述多条数据线限定的多个像素单元；所述DBS公共电极线包括多条分别对应位于所述多条数据线的上方并将其遮住的竖向DBS公共电极线；每个像素单元均具有相对设置的主像素区域、及次像素区域；每个像素单元在主像素区域均设有主像素电极、及主薄膜晶体管；每个像素单元在次像素区域均设有次像素电极、次薄膜晶体管、及共享薄膜晶体管；每个像素单元还包括浮块、及第一引线，其中，所述浮块设置于一贯穿所述彩色滤光层的第一过孔内，所述浮块在第一过孔内将共享薄膜晶体管的源极与相应金属公共电极线电连接，所述第一引线从DBS公共电极线上引入第一过孔内将该第一过孔内的浮块与所述DBS公共电极线电连接。所述DBS公共电极线还包括与所述多条竖向DBS公共电极线垂直相交的多条横向DBS公共电极线；每个像素单元还包括与所述浮块对应设置的第二引线，所述第二引线从相应的横向DBS公共电极线引入第一过孔内，从而将相应的浮块与所述DBS公共电极线电连接。所述第一引线相对于竖向DBS公共电极线倾斜地或垂直地引入第一过孔内。所述第二引线相对于横向DBS公共电极线倾斜地或垂直地引入第一过孔内。每个像素单元中，所述浮块的数量为一个、或两个。所述多条栅极线、所述多条金属公共电极线、以及每一像素单元中主薄膜晶体管的栅极、次薄膜晶体管的栅极、及共享薄膜晶体管的栅极均属于第一金属层；所述多条数据线、以及每一像素单元中主薄膜晶体管的源漏极、次薄膜晶体管的源漏极、及共享薄膜晶体管的源漏极均属于第二金属层；所述DBS公共电极线与每一像素单元的主像素电极、次像素电极、及浮块均属于透明导电层；所述第二金属层形成于第一金属层之后，所述彩色滤光层形成于第二金属层之后，所述透明导电层形成于彩色滤光层之后。所述DBS公共电极线、以及每一像素单元的主像素电极、次像素电极、及浮块通过同一材料层经图案化形成，其材料均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种COA型阵列基板，其特征在于，包括多条栅极线(11)、与所述多条栅极线(11)交叉设置的多条数据线(12)、与所述多条栅极线(11)同层设置的多条金属公共电极线(13)、设于所述多条栅极线(11)与所述多条数据线(12)上方的DBS公共电极线(19)、设于所述多条数据线(12)与所述DBS公共电极线(19)之间的彩色滤光层(50)、以及由所述多条栅极线(11)与所述多条数据线(12)限定的多个像素单元(20)；所述DBS公共电极线(19)包括多条分别对应位于所述多条数据线(12)的上方并将其遮住的竖向DBS公共电极线(191)；每个像素单元(20)均具有相对设置的主像素区域(101)、及次像素区域(102)；每个像素单元(20)在主像素区域(101)均设有主像素电极(24)、及主薄膜晶体管(14)；每个像素单元(20)在次像素区域(102)均设有次像素电极(25)、次薄膜晶体管(15)、及共享薄膜晶体管(17)；每个像素单元(20)还包括浮块(21)、及第一引线(22)，其中，所述浮块(21)设置于一贯穿所述彩色滤光层(50)的第一过孔(501)内，所述浮块(21)在第一过孔(501)内将共享薄膜晶体管(17)的源极与相应金属公共电极线(13)电连接，所述第一引线(22)从DBS公共电极线(19)上引入第一过孔(501)内将该第一过孔(501)内的浮块(21)与所述DBS公共电极线(19)电连接。...

【技术特征摘要】
1.一种COA型阵列基板，其特征在于，包括多条栅极线(11)、与所述多条栅极线(11)交叉设置的多条数据线(12)、与所述多条栅极线(11)同层设置的多条金属公共电极线(13)、设于所述多条栅极线(11)与所述多条数据线(12)上方的DBS公共电极线(19)、设于所述多条数据线(12)与所述DBS公共电极线(19)之间的彩色滤光层(50)、以及由所述多条栅极线(11)与所述多条数据线(12)限定的多个像素单元(20)；所述DBS公共电极线(19)包括多条分别对应位于所述多条数据线(12)的上方并将其遮住的竖向DBS公共电极线(191)；每个像素单元(20)均具有相对设置的主像素区域(101)、及次像素区域(102)；每个像素单元(20)在主像素区域(101)均设有主像素电极(24)、及主薄膜晶体管(14)；每个像素单元(20)在次像素区域(102)均设有次像素电极(25)、次薄膜晶体管(15)、及共享薄膜晶体管(17)；每个像素单元(20)还包括浮块(21)、及第一引线(22)，其中，所述浮块(21)设置于一贯穿所述彩色滤光层(50)的第一过孔(501)内，所述浮块(21)在第一过孔(501)内将共享薄膜晶体管(17)的源极与相应金属公共电极线(13)电连接，所述第一引线(22)从DBS公共电极线(19)上引入第一过孔(501)内将该第一过孔(501)内的浮块(21)与所述DBS公共电极线(19)电连接。2.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，每个像素单元(20)中，所述第一引线(22)与所述浮块(21)对应设置，所述第一引线(22)从相应的竖向DBS公共电极线(191)引入第一过孔(501)内，从而将相应的浮块(21)与所述DBS公共电极线(19)电连接。3.如权利要求2所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述DBS公共电极线(19)还包括与所述多条竖向DBS公共电极线(191)垂直相交的多条横向DBS公共电极线(192)；每个像素单元(20)还包括与所述浮块(21)对应设置的第二引线(23)，所述第二引线(23)从相应的横向DBS公共电极线(192)引入第一过孔(501)内，从而将相应的浮块(21)与所述DBS公共电极线(19)电连接。4.如权利要求2所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述第一引...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖炳杰，柴立，雷兴，王茂林，熊梅，李埈，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44