用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列及其制造方法，该方法通过基板加工、光纤熔烧、光纤组装和光纤研磨等步骤制造出包括基板、盖板和多根光纤，基板包括基板前段和基板后段，基板前段上表面高于基板后段上表面，基板前段上表面上设有多个与多根光纤一一对应的V形槽，每根光纤均设置在与其对应的V形槽内，且每根光纤均从基板前段向前伸出形成收集光信号的聚光体，盖板设置在基板前段上，且盖板与每个V形槽均围合成固定光纤的容置空间；聚光体包括与基板底面呈30‑60°夹角的光学平面和衔接光学平面与光纤底面的弧形球面的半球透镜光纤阵列。相比于现有技术，其具有光耦合效率高、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】
用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列及其制造方法
本专利技术涉及光通信
，尤其涉及一种用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列及其制造方法。
技术介绍
随着经济时代的发展，通信领域在人们的生活中占据着越来越重要的地位，而且人们已经不再满足于传输速率低、传输能力弱的通信传输，而开始不断改进光纤传输这种传输方式，在这种不断的改进当中，通信领域的光纤技术越来越成熟。VCSEL和PIN的出射光垂直于安装的电路板表面，这对于器件的封装和应用都不大方便。最简单的光接口是将光纤与VCSEL和PIN对接，激光器的出射光直接进入光纤，不经过其他中间元件，这样的耦合方式称为垂直耦合。垂直耦合由于光的反射导致速率不能太高，另外，由于是垂直耦合，光纤与PCB成垂直形状，导致光模块的体积增大。现在一般的耦合方式是将光纤阵列研磨成45°反射面实现光信号的90°转角，确保耦合封装的效率和产品的整体结构较小，虽然45°反射面能够实现光信号的全反射，但是光纤阵列与VCSEL和PIN的光信号耦合效率不是很高；现有技术中还有在45°反射面的光路两侧各设置一片透镜，VCSEL和PIN的出射光通过一面透镜聚光后照射到45°反射面，经过45°反射面反射的光线再经过一面透镜聚光后进入光纤内，这样的设置能够大大提高光信号的耦合效率，但是这样的设置成本太高，不利于大批量地生产和使用。
技术实现思路
针对上述技术中存在的不足之处，本专利技术设计一种成本低、光信号耦合效率高，能够解决上述问题的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列及其制造方法。为实现上述目的，本专利技术提供的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列，包括基板、盖板和多根光纤，所述基板包括基板前段和基板后段，所述基板前段上表面高于所述基板后段上表面，所述基板前段上表面上设有多个与多根光纤一一对应的V形槽，每根光纤均设置在与其对应的V形槽内，且每根光纤均从基板前段向前伸出形成收集光信号的聚光体，所述盖板设置在基板前段上，且盖板与每个V形槽均围合成固定光纤的容置空间；所述聚光体包括与基板底面呈30-60°夹角的光学平面和衔接光学平面与光纤底面的弧形球面；所述弧形球面的曲率半径为75-125μm,外部光信号依次通过弧形球面聚光和光学平面反射后进入所述光纤内部。其中，所述盖板与基板后段之间的光纤上覆盖有用于固定和保护光纤的尾胶，且所述尾胶的高度小于或等于盖板的高度。其中，所述聚光体的长度大于0.15mm。其中，所述基板前段和基板后段的交界处设有过度斜面。其中，每个V形槽的底面均与基板后段的上表面高度一致。为了实现上述目的，本专利技术还提供了一种用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列的制造方法，该制造方法包括以下步骤：步骤1、基板加工：在基板上加工出一个斜坡，斜坡将基板分为基板前段和基板后段，再在基板前段的上表面开设多个与光纤形状大小相适配的V形槽；步骤2、光纤熔烧：在每根光纤的一端均熔烧形成球面，该球面为聚光体初胚；步骤3、光纤组装：将每根熔烧好的光纤置于基板上与其对应的V形槽中，并将熔烧有球面的一端从基板前段向前伸出，并保持每根光纤伸出的长度一致，最后将盖板固定在基板前段的上表面以固定光纤，组成光纤阵列；步骤4、光纤研磨：对每根组装好的光纤加工有球面的一端进行研磨，将球面的上半球面研磨成可以反射光信号的光学平面，最终形成完整的聚光体。其中，在步骤1中每个V形槽的底面均与基板后段的上表面高度一致。其中，步骤2中熔烧出来的球面的直径为0.15mm至0.25mm。其中，步骤3还包括尾胶涂覆：盖板与基板后段之间的每根光纤上覆盖有用于固定和保护光纤的尾胶，且所述尾胶的高度小于或等于盖板的高度。其中，步骤4中光学平面与基板底面呈30-60°的夹角。本专利技术的优势在于：1、本专利技术提供的光纤阵列，通过在每根光纤的一端加工出光学平面和弧形球面，光学平面和弧形球面的配合能够同时实现透镜聚光和光学平面反射光的优点，相比于现有的利用独立透镜和光学平面组合工作其成本大大降低，另外其还大幅增加了光纤阵列的容差，在对光纤进行耦合调整的时候其范围更大，从而降低了耦合的难度和增加了耦合的效率；2、本专利技术每根光线的一端均加工出聚光体，其中聚光体光学平面与基板底面的夹角为30-60°能够很好地实现光信号照射到光学平面上后的全反射，使光学平面在没有镀膜的情况下，依靠角度的反射即可很好的实现光信号的全反射。3、本专利技术中的聚光体和光纤为一体式结构，其聚光角度等无需进行额外调整，可靠性高，直接安装光纤并加工出聚光体即可实现高精度的光路耦合，提高耦合效率。附图说明图1为本专利技术用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列的俯视图；图2为本专利技术用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列的正视图；图3为图2中A处的局部放大图；图4为本专利技术用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列的制造方法的流程图。具体实施方式为了更清楚地表述本专利技术，下面结合附图对本专利技术作进一步地描述。请参阅图1-3，本专利技术提供的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列及其制造方法，包括基板1、盖板2和多根光纤3，基板1包括基板前段11和基板后段12，基板前段11上表面高于基板后段12上表面，基板前段11上表面上设有多个与多根光纤3一一对应的V形槽，每根光纤3均设置在与其对应的V形槽内，且每根光纤3均从基板前段11向前伸出形成收集光信号的聚光体31，盖板2设置在基板前段11上，且盖板2与每个V形槽均围合成固定光纤的容置空间；聚光体31包括与基板1底面呈30-60°夹角的光学平面311和衔接光学平面311与光纤3底面的弧形球面312；外部光信号依次通过弧形球面312聚光和光学平面311反射后进入光纤3内部。在本专利技术中，弧形球面312会形成一个球透镜，其曲率半径范围：75um－125um。在本实施例中，盖板2与基板后段12之间的光纤3上覆盖有用于固定和保护光纤3的尾胶4，且尾胶4的高度小于或等于盖板2的高度。尾胶4的设置能够对光纤3起到一个固定作用，在光纤3进行后续研磨和使用的时候，能够与盖板2一起组合保证光纤3位置不变；尾胶4的高度小于或等于盖板2的高度在于保证尾胶4的稳定性，如果尾胶4的高度高于盖板2的高度，极易因为使用和加工中的剐蹭导致尾胶4脱落，从而大大缩短尾胶4的使用寿命。在本专利技术中，此处并不局限于使用尾胶4来辅助固定光纤3，还可以使用其他固定结构，只要能够实现光纤3的良好固定即可。在本实施例中，聚光体31的长度大于0.15mm。在本专利技术中，聚光体31即为光纤3一端加工出来的光学平面311和弧形球面312的组合体，其长度大于0.15mm有利于加工机械对光纤3的熔烧加工和研磨加工，同时便于实际使用。在本实施例中，基板前段11和基板后段12的交界处设有过度斜面13。过度斜面13的设置能够确保过度斜面13处光纤3受到的应力较小，提高了产品的可靠性和制成的合格率，另外，在实际使用过程中，过度斜面13的设置还能够便于容纳尾胶4或其他固定装置，使光纤3在使用和加工过程中更加稳定。在本实施例中，每个V形槽的底面均与基板后段12的上表面高度一致。这样的设置能够保证光纤3安装在V形槽上后，其高度与基板后段12基本保持一致，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列，其特征在于，所述光纤阵列包括基板、盖板和复数根光纤，所述基板包括基板前段和基板后段，所述基板前段上表面高于所述基板后段上表面，所述基板前段上表面上设有与光纤一一对应的V形槽，每根光纤均设置在与其对应的V形槽内，且每根光纤均从基板前段向前伸出形成收集光信号的聚光体，所述盖板设置在基板前段上，且盖板与每个V形槽均围合成固定光纤的容置空间；所述聚光体包括与基板底面呈30‑60°夹角的光学平面、衔接光学平面与光纤底面的弧形球面,所述弧形球面的曲率半径为75‑125μm；外部光信号依次通过弧形球面聚光和光学平面反射后进入所述光纤内部。

【技术特征摘要】
1.一种用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列，其特征在于，所述光纤阵列包括基板、盖板和复数根光纤，所述基板包括基板前段和基板后段，所述基板前段上表面高于所述基板后段上表面，所述基板前段上表面上设有与光纤一一对应的V形槽，每根光纤均设置在与其对应的V形槽内，且每根光纤均从基板前段向前伸出形成收集光信号的聚光体，所述盖板设置在基板前段上，且盖板与每个V形槽均围合成固定光纤的容置空间；所述聚光体包括与基板底面呈30-60°夹角的光学平面、衔接光学平面与光纤底面的弧形球面,所述弧形球面的曲率半径为75-125μm；外部光信号依次通过弧形球面聚光和光学平面反射后进入所述光纤内部。2.根据权利要求1所述的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列，其特征在于，所述盖板与基板后段之间的光纤上覆盖有用于固定和保护光纤的尾胶，且所述尾胶的高度小于或等于盖板的高度。3.根据权利要求1所述的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列，其特征在于，所述聚光体的长度大于0.15mm。4.根据权利要求1所述的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列，其特征在于，所述基板前段和基板后段的交界处设有过度斜面。5.根据权利要求1所述的用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列，其特征在于，每个V形槽的底面均与基板后段的上表面高度一致。6.一种用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球透镜光纤阵列的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱福琦，刘鹤，周听飞，
申请(专利权)人：深圳市鹏大光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44