一种晶片厚度测量装置及其测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片厚度测量装置及其测量方法，其至少包括：测量平台及放置于所述测量平台上的支架，所述测量平台用于放置若干个待测晶片，所述支架上设置有用于测量晶片厚度的若干个测量表，其特征在于：所述厚度测量装置用于同时测量所述若干个待测晶片，所述支架为环形支架，所述环形支架还设置有一朝向环形支架中心的副支架，且所述测量表的个数大于所述待测量晶片的个数。本发明专利技术提供的厚度测量装置通实现一次校零后一次测量并且同时得到待测晶片上待测位置的厚度，避免测量表的频繁操作及晶片的移动，提高工作效率，同时减小测量表的损坏，提高测量的准确度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片厚度测量装置及其测量方法
本专利技术属于半导体制造
，尤其是涉及一种晶片厚度测量装置及其测量方法。
技术介绍
在现有技术中，晶片厚度的测量需要三个点，一般为晶片的平边点、中心点及与平边点对称的晶片另一边缘点。测量表采用的是点接触测量，测量时，首先通过支架将测量表固定，然后将厚度测量装置放在水平工作台上，打开测量表并进行置零校准；之后轻轻抬起测量表的探针，将待测量晶片放置到测量平台和探针之间；接着移动晶片，将其中心点放置在探针的正下方，并将探针压在该中心点上，此时测量表上的读数即为晶片中心点处的厚度。完成中心点的测量后，将探针轻轻抬起，移动晶片，按照上述方法完成晶片其余两点处厚度的测量。此外，在现有的测量平台上一般会同时放置3片晶片，测量表需要依次测量9个点且探针需要进行9次校零，9次测试，频繁的调整探针不仅使得测量速度较慢，也加速了探针、测量平台基座的损坏，尤其是当需要对晶片进行多点测量时，例如需要测量5个点，探针的损坏情况将会更严重。因此，如何提高晶片厚度测量的速率，同时减少探针频繁切换而造成的损坏，节约时间和物质成本，是本领域技术人员目前急需解决的技术问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术提出的一种厚度测量装置，其至少包括：测量平台及放置于所述测量平台上的支架，所述测量平台用于放置若干个待测晶片，所述支架上设置有用于测量晶片厚度的若干个测量表，其特征在于：所述厚度测量装置用于同时测量所述若干个待测晶片，所述支架为环形支架，所述环形支架还包括一朝向环形支架中心的副支架，且所述测量表的个数大于所述待测量晶片的个数。优选的，所述测量表包括第一测量表和第二测量表，所述第一测量表与所述第二测量表的总数目小于晶片待测点的数目。优选的，所述若干个第一测量表设置于所述环形支架上，所述第二测量表设置于所述副支架上。优选的，所述第一测量表的个数与所述待测晶片的个数相同，每一个第一测量表用于测量相对应待测晶片的其中某个待测点的厚度。优选的，所述若干个第一测量表用于测量不同晶片同一待测点的厚度。优选的，其中一个第一测量表与所述第二测量表用于分别测量同一待测晶片不同位置处的厚度。优选的，所述环形支架上设置有若干个可调节固定螺栓，所述固定螺栓用于调节环形支架相对于测量平台在竖直方向上的位置。优选的，所述环形支架上还设置有若干个限位机构，所述限位机构用于限制环形支架与所述测量平台在水平方向上的位置。优选的，所述可调节固定螺栓至少为3个，以用于确定一校零面。优选的，所述副支架为环形或者长方形或者正方形或者三角形或者十字形。优选的，所述测量装置还包括数据采集处理装置。优选的，所述环形支架还包括对称设置的手持部。优选的，所述环形支架与所述测量平台均包括定位部。本专利技术还提供了一种晶片厚度测量装置的方法，其特在于：至少包括测量表校零和测量步骤，具体如下：（1）校零：首先取1标准校零盘，所述校零盘与测量平台完全相同，将环形支架放置于校零盘上，其中限位机构将将校零盘边缘卡住，同时调节可调节固定螺栓，设置环形支架相对于测量平台的位置，并保证所有可调节固定螺栓的底部均与测量平台表面相接触，最后对第一测量表及第二测量表依次校零；（2）测量：校零完成后，将环形支架放置于测量平台上对待测晶片进行厚度测量；（3）数据采集处理：数据采集处理装置通过数据采集处理软件，采集各第一测量表及第二测量表的数据，并通过处理软件内置的运输关系式带出晶片其余各待测点的厚度数据；优选的，所述第一测量表、第二测量表为具有数据输出功能的厚度千分测量表，其操作功能包括校零、厚度量测。本专利技术至少具有以下有益效果：本专利技术提供的厚度测量装置通实现一次校零后一次测量并且同时得到待测晶片上待测位置的厚度，避免测量表的频繁操作及晶片的移动，提高工作效率，同时减小测量表的损坏，提高测量的准确度。本专利技术适用但不仅限于晶片的测量。只要是刚性物体，质量和厚度在可测量物体范围内的，均可通过本专利技术得到厚度数据。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。图1本专利技术实施例1之厚度测量装置正视图。图2本专利技术实施例1之厚度测量装置之环形支架俯视图。图3本专利技术实施例1之厚度测量装置之测量平台与待测晶片俯视图。图4本专利技术实施例1之厚度测量装置俯视图。图5本专利技术实施例2之厚度测量装置之测量平台与待测晶片俯视图。图6本专利技术实施例3之厚度测量装置之环形支架俯视图。附图标注：100：测量平台；200：环形支架；210：副支架；220：定位平边；310：第一测量表；320：第二测量表；330：探针；400：可调节固定螺栓；410：通孔；500：限位片；600：数据采集处理装置；700：晶片。具体实施方式本专利技术的核心是提供一种晶片厚度测量装置及测量方法，能够同时测量快速准确测量出多片晶片不同测量点的厚度，提高测量速率，减少测量表移动频次，进而减少其损耗。为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术的方案，下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。实施例1参看图1~图4本专利技术提出的一种厚度测量装置，用于同时测量若干个待测晶片，其包括：测量平台100及放置于测量平台100上的支架，测量平台100用于放置待测晶片700，支架上设置有用于测量晶片700厚度的若干个测量表，支架为环形支架200，所述环形支架200还包括一朝向环形支架200中心的副支架210，且测量表的个数大于所述待测量晶片700的个数。具体地，测量表包括若干个设置于环形支架200上的第一测量表310以及设置于副支架210上的第二测量表320。同时，第二测量表320与其中一个第一测量表310分别用于测量同一晶片700的不同位置处的厚度。第一测量表310的个数与待测晶片700的个数相同，每一个第一测量表310用于测量相对应待测晶片700的其中某个待测点的厚度，具体地，若干个第一测量表310用于测量不同晶片同一待测点的厚度。而第二测量表320的个数则需要根据待测晶片700待测点的个数确定，但第一测量表310与第二测量表320的总数目少于晶片待测点的数目。环形支架200放置于测量平台100之上，因此，环形支架200形状与测量平台100的形状相同，同时环形支架200与所述测量平台100均包括定位部，如图2中所示，环形支架200的定位部为一定位平边220，测量平台100的定位部为于测量平台上表面的定位点（图中未示出）。为实现环形支架200与测量平台100之间的距离调整，环形支架200上均匀分布有若干个可调节固定螺栓400，以可调节固定螺栓400的底部作为支撑点使环形支架200放置于测量平台100上，并通过调节可调节固定螺栓400来调节环形支架200与测量平台100之间在竖直方向上的距离；当然，测量表与测量平台100之间也可以采用螺栓等活动链接的方式，通过两种链接位置的同时变动实现测量表与测量平台100之间距离的调整。显然，实现测量表与测量平台100之间的距离调整方式不仅仅限于上述提到的螺栓等活动连接方式，还可以采用卡接等其他连接方式实现。继续参看图1，此外，为了限定环形支架200与测量平台100之间在水平方向上的位置，环形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片厚度测量装置，包括：测量平台及放置于所述测量平台上的支架，所述测量平台用于放置若干个待测晶片，所述支架上设置有用于测量晶片厚度的若干个测量表，其特征在于：所述厚度测量装置用于同时测量所述若干个待测晶片，所述支架为环形支架，所述环形支架上还设置有一朝向环形支架中心的副支架，且所述测量表的个数大于所述待测量晶片的个数。

【技术特征摘要】
1.一种晶片厚度测量装置，包括：测量平台及放置于所述测量平台上的支架，所述测量平台用于放置若干个待测晶片，所述支架上设置有用于测量晶片厚度的若干个测量表，其特征在于：所述厚度测量装置用于同时测量所述若干个待测晶片，所述支架为环形支架，所述环形支架上还设置有一朝向环形支架中心的副支架，且所述测量表的个数大于所述待测量晶片的个数。2.根据权利要求1所述的一种晶片厚度测量装置，其特征在于：所述测量表包括若干个第一测量表和第二测量表，所述第一测量表与所述第二测量表的总数目小于晶片待测点的数目。3.根据权利要求2所述的一种晶片厚度测量装置，其特征在于：所述若干个第一测量表设置于所述环形支架上，所述第二测量表设置于所述副支架上。4.根据权利要求3所述的一种晶片厚度测量装置，其特征在于：所述第一测量表的个数与所述待测晶片的个数相同，每一个第一测量表用于测量相对应待测晶片的其中某个待测点的厚度。5.根据权利要求3所述的一种晶片厚度测量装置，其特征在于：其中一个第一测量表与所述第二测量表用于分别测量同一待测晶片不同位置处的厚度。6.根据权利要求4所述的一种晶片厚度测量装置，特征在于：所述若干个第一测量表用于测量不同晶片同一待测点的厚度。7.根据权利要求1所述的一种晶片厚度测量装置，其特征在于：所述环形支架上设置有若干个可调节固定螺栓，所述固定螺栓用于调节环形支架相对于测量平台在竖直方向上的位置。8.根据权利要求1所述的一种晶片厚度测量装置，其特征在于：所述环形支架上还设...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯克耀，杨丽莉，俞宽，蒋智伟，蔡家豪，邱智中，张家宏，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34