顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置制造方法及图纸

技术编号:15622059 阅读:153 留言:0更新日期:2017-06-14 05:03
本发明专利技术公开了一种顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,该制作方法包括:在衬底基板上依次形成多个膜层以构成表面具有多个凸起结构的薄膜晶体管;在薄膜晶体管上形成平坦层;采用具有与多个凸起结构相匹配图形的掩模板,对平坦层进行光刻工艺,以平坦化平坦层。本发明专利技术实施例提供的制作方法,通过采用具有与薄膜晶体管表面上的多个凸起结构相匹配图形的掩模板,对平坦层进行光刻工艺,以平坦化该平坦层,能够提高平坦层的平坦性能,使在平坦上制作的OLED薄膜的厚度更加均匀,因而,可以提高像素内发光均匀性,缓解OLED器件的颗粒感。

【技术实现步骤摘要】
顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤指一种顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。
技术介绍
在显示领域,有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)相对于液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD),具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。根据耦合出光方式的不同,OLED器件可以分为顶发射OLED器件和底发射OLED器件。相对于底发射OLED,顶发射OLED与TFT晶体管相结合用于主动矩阵显示时不会影响器件的开口率,因此这种顶发射结构的OLED更适合应用于主动矩阵显示。就目前的研究情况而言,顶发射OLED器件在主动显示领域的应用还受着诸多因素的制约,比如耦合出光率、色纯度、视角特性。在顶发射OLED器件中,为了在薄膜晶体管(Thin-filmtransistor,TFT)之上制作OLED器件功能层,需要在TFT之上制作一层平坦层,然而,在平坦层平坦化性能不佳的情况下,平坦层的表面还是会存在凹凸不平的现象,因而导致像素区域内出现凹凸不平的现象。OLED器件的成膜方式主要有蒸镀制程和溶液制程。蒸镀制程在小尺寸应用较为成熟,蒸镀EL薄膜膜层平坦性较好。溶液制程的成膜方式主要有喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等,其中喷墨打印技术由于其材料利用率较高、可以实现大尺寸化,被认为是大尺寸OLED器件实现量产的重要方式。喷墨打印的OLED器件,OLED薄膜在像素内的厚度均匀性非常重要,它对OLED器件的寿命和效率有重要影响。由于溶液制程中液滴自由流淌性特点,开口部像素内平坦性对墨滴液滴的分布影响较大,若平坦层上存在段差,进一步影响OLED膜层的厚度均匀性,从器件点亮来看造成器件像素内发光均匀性不均,颗粒感明显。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,用以解决现有技术中存在的由于平坦层平坦化性能不佳导致的像素内发光不均匀的问题。本专利技术实施例提供了一种顶发射有机电致发光显示面板的制作方法,包括:在衬底基板上依次形成多个膜层以构成表面具有多个凸起结构的薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上形成平坦层;采用具有与多个所述凸起结构相匹配图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,在所述薄膜晶体管上形成平坦层之后,还包括:对所述平坦层进行光刻工艺,以在非显示区域形成多个过孔。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,平坦化所述平坦层的光刻工艺,与形成多个所述过孔的光刻工艺为同一次光刻工艺;其中,所述光刻工艺采用的掩模板包括透光区域和非透光区域;与所述凸起结构对应的透光区域和与所述过孔对应的透光区域的透光率不同。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,所述平坦层的材料为正性光刻胶;所述采用具有与多个所述凸起结构相匹配图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层,具体包括:采用具有与多个所述凸起结构相同图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,所述平坦层的材料为负性光刻胶;所述采用具有与多个所述凸起结构相匹配图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层,具体包括:采用具有与多个所述凸起结构互补图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,在所述采用具有与多个所述凸起结构相匹配图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层之前,还包括:测量各所述凸起结构的高度,根据各所述凸起结构的高度确定对所述平坦层进行光刻的曝光量、曝光时间以及显影时间。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,所述凸起结构的高度在10nm-1μm之间;所述曝光量为10mJ/cm2-500mJ/cm2,所述曝光时间为30s-150s,所述显影时间为10s-200s。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,还包括:对光刻工艺后的所述平坦层进行烘烤。本专利技术实施例还提供了一种顶发射有机电致发光显示面板,所述顶发射有机电致发光显示面板采用上述制作方法制作。本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括上述顶发射有机电致发光显示面板。本专利技术有益效果如下:本专利技术实施例提供了一种顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,该制作方法包括:在衬底基板上依次形成多个膜层以构成表面具有多个凸起结构的薄膜晶体管;在薄膜晶体管上形成平坦层;采用具有与多个凸起结构相匹配图形的掩模板,对平坦层进行光刻工艺,以平坦化平坦层。本专利技术实施例提供的制作方法,通过采用具有与薄膜晶体管表面上的多个凸起结构相匹配图形的掩模板,对平坦层进行光刻工艺,以平坦化该平坦层,能够提高平坦层的平坦性能,使在平坦上制作的OLED薄膜的厚度更加均匀,因而,可以提高像素内发光均匀性,缓解OLED器件的颗粒感。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种顶发射有机电致发光显示面板的制作方法的流程图;图2a为本专利技术实施例提供的制作方法的结构示意图之一;图2b为本专利技术实施例提供的制作方法的结构示意图之二;图2c为本专利技术实施例提供的制作方法的结构示意图之三;图2d为本专利技术实施例提供的制作方法的结构示意图之四;图3为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的俯视图;图4a和图4b分别为形成平坦层后对应图3中虚线AA'和BB'处的高度分布图;其中,101、衬底基板;102、薄膜晶体管;103、凸起结构;104、平坦层;105、掩模板;106、凸起部位;200、子像素单元。具体实施方式针对现有技术中存在的由于平坦层平坦化性能不佳导致的像素内发光不均匀的问题,本专利技术实施例提供了一种顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。下面结合附图,对本专利技术实施例提供的背光模组及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种顶发射有机电致发光显示面板的制作方法,如图1所示,包括:S101、在衬底基板上依次形成多个膜层以构成表面具有多个凸起结构的薄膜晶体管;S102、在薄膜晶体管上形成平坦层;S103、采用具有与多个凸起结构相匹配图形的掩模板,对平坦层进行光刻工艺,以平坦化平坦层。本专利技术实施例提供的制作方法,通过采用具有与薄膜晶体管表面上的多个凸起结构相匹配图形的掩模板,对平坦层进行光刻工艺,以平坦化该平坦层,能够提高平坦层的平坦性能,使在平坦上制作的OLED薄膜的厚度更加均匀,因而,可以提高像素内发光均匀性,缓解OLED器件的颗粒感。参照图2a-图2d,由于衬底基板101上的薄膜晶体管102一般由多个膜层构成,例如可以包括栅极、源极、漏极以及栅极绝缘层等膜层,每个膜层都具有特定的图形,多个膜层叠加到一起就会出现多个凸起结构103,如图2a所示,凸起结构103的图形是由构成薄膜晶体管102的各个膜层的图形决定的,一般在凸起结构103的高度在10nm-1μm本文档来自技高网
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顶发射有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置

【技术保护点】
一种顶发射有机电致发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上依次形成多个膜层以构成表面具有多个凸起结构的薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上形成平坦层;采用具有与多个所述凸起结构相匹配图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层。

【技术特征摘要】
1.一种顶发射有机电致发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上依次形成多个膜层以构成表面具有多个凸起结构的薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上形成平坦层;采用具有与多个所述凸起结构相匹配图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层。2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述薄膜晶体管上形成平坦层之后,还包括:对所述平坦层进行光刻工艺,以在非显示区域形成多个过孔。3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,平坦化所述平坦层的光刻工艺,与形成多个所述过孔的光刻工艺为同一次光刻工艺;其中,所述光刻工艺采用的掩模板包括透光区域和非透光区域;与所述凸起结构对应的透光区域和与所述过孔对应的透光区域的透光率不同。4.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述平坦层的材料为正性光刻胶;所述采用具有与多个所述凸起结构相匹配图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层,具体包括:采用具有与多个所述凸起结构相同图形的掩模板,对所述平坦层进行光刻工艺,以平坦化所述平坦层。5.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述平坦层的材料为...

【专利技术属性】
技术研发人员:王辉锋
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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