电子设备制造技术

本技术提供一种电子设备。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括半导体存储器，半导体存储器可以包括：自由层，具有可变磁化方向；隧道阻挡层，形成在自由层之上；钉扎层，形成在隧道阻挡层之上以及具有钉扎磁化方向；交换耦合层，形成在钉扎层之上；以及磁性校正层，形成在交换耦合层之上，其中，磁性校正层包括顺序地层叠的第一磁性层、间隔层和第二磁性层，以及第一磁性层具有比第二磁性层的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。

【技术实现步骤摘要】
电子设备相关申请的交叉引用本专利文件要求在2015年11月30日提交的名称为“电子设备(ELECTRONICDEVICE)”的第10-2015-0168252号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用整体合并于此。
本专利文件涉及一种存储电路或存储器件及其在电子设备或系统中的应用。
技术介绍
近来，随着电子设备或电子器件趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，存在对能够将信息储存在各种电子设备或电子器件(诸如计算机、便携式通信设备等)中的电子设备的需要，且已经对这种电子设备进行了研究和开发。这种电子设备的示例包括可以使用根据所施加的电压或电流而在不同阻态之间切换的特性来储存数据的电子设备，并且可以以各种配置来实施，例如，RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。
技术实现思路
在本专利文件中所公开的技术包括存储电路或设备以及其在电子设备或系统及电子设备的各种实施方式中的应用，其中电子设备包括半导体存储器，其可以改善可变电阻元件的特性。在一个方面，电子设备可以包括半导体存储器，其中，半导体存储器可以包括：自由层，具有可变磁化方向；隧道阻挡层，形成在自由层之上；钉扎层，形成在隧道阻挡层之上以及具有钉扎磁化方向；交换耦合层，形成在钉扎层之上；以及磁性校正层，形成在交换耦合层之上，其中，磁性校正层包括顺序地层叠的第一磁性层、间隔层和第二磁性层，以及第一磁性层具有比第二磁性层的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。第一磁性层和第二磁性层可以具有钉扎磁化方向。第一磁性层可以具有与第二磁性层相同的磁化方向。钉扎层可以具有被固定为第一方向的磁化方向，磁性校正层可以具有被固定为不同于第一方向的第二方向的磁化方向。SF(合成铁磁体)结构存在于第一磁性层与第二磁性层之间，SAF(合成反铁磁体)结构存在于磁性校正层与钉扎层之间。间隔层可以包括与交换耦合层相同的材料。电子设备还可以包括微处理器，微处理器包括：控制单元，被配置为接收包括来自微处理器外部的命令的信号，以及执行命令的提取、解码或者对微处理器的信号的输入或输出的控制；操作单元，被配置为基于控制单元解码命令的结果来执行操作；以及存储单元，被配置为储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址，其中，半导体存储器是微处理器中的存储单元的部件。电子设备还可以包括处理器，微处理器包括：核心单元，被配置为基于从处理器外部输入的命令而通过使用数据来执行与命令相对应的操作；高速缓冲存储单元，被配置为储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址；以及总线接口，连接在核心单元与高速缓冲存储单元之间，以及被配置为在核心单元与高速缓冲存储单元之间传送数据，其中，半导体存储器是处理器中的高速缓冲存储单元的部件。电子设备还可以包括处理系统，处理系统包括：处理器，被配置为对由处理器接收到的命令解码，以及基于解码命令的结果来控制对信息的操作；辅助存储器件，被配置为储存用于对命令解码的程序和信息；主存储器件，被配置为调用和储存来自辅助存储器件的程序和信息，使得处理器在运行程序时能够使用程序和信息来执行操作；以及接口设备，被配置为执行处理器、辅助存储器件和主存储器件中的至少一个与外部之间的通信，其中，半导体存储器是处理系统中的辅助存储器件或主存储器件的部件。电子设备还可以包括数据储存系统，数据储存系统包括：储存器件，被配置为储存数据以及无论电源如何都保存储存的数据；控制器，被配置为根据从外部输入的命令来控制数据向储存器件的输入以及数据从储存器件的输出；暂时储存器件，被配置为暂时储存在储存器件与外部之间交换的数据；以及接口，被配置为执行储存器件、控制器和暂时储存器件中的至少一个与外部之间的通信，其中，半导体存储器是数据储存系统中的储存器件或暂时储存器件的部件。电子设备还可以包括存储系统，存储系统包括：存储器，被配置为储存数据并且无论电源如何都保存储存的数据；存储器控制器，被配置为根据从外部输入的命令来控制数据向存储器的输入以及数据从存储器的输出；缓冲存储器，被配置为缓存在存储器与外部之间交换的数据；以及接口，被配置为执行存储器、存储器控制器和缓冲存储器中的至少一个与外部之间的通信，其中，半导体存储器是存储系统中的存储器或缓冲存储器的部件。在另一方面，电子设备可以包括：自由层，具有可变磁化方向；隧道阻挡层，形成在自由层之上；钉扎层，形成在隧道阻挡层之上以及具有被固定为第一方向的磁化方向；交换耦合层，形成在钉扎层之上；以及磁性校正层，形成在交换耦合层之上，其中，磁性校正层包括多个磁性层，以及多个磁性层中的每个具有被固定为不同于第一方向的第二方向的磁化方向。磁性校正层还可以包括介于多个磁性层之间的间隔层。间隔层可以包括与交换耦合层相同的材料。多个磁性层中的每个可以具有彼此不同的饱和磁化强度，以及磁性校正层的饱和磁化强度沿垂直方向可以具有线状轮廓。磁性校正层的饱和磁化强度可以根据磁性校正层与钉扎层之间的距离而改变。磁性校正层的饱和磁化强度可以随着磁性校正层与钉扎层之间的距离减小而减小，以及可以随着所述距离增大而增大。SF(合成铁磁体)结构存在于多个磁性层之间，SAF(合成反铁磁体)结构存在于磁性校正层与钉扎层之间。多个磁性层可以包括第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，以及第二磁性层可以具有比第一磁性层的饱和磁化强度大的饱和磁化强度。在附图、说明书和权利要求中更加详细地描述了这些和其他方面、实施方式和相关优点。附图说明图1是图示根据本公开的实施方式的示例性可变电阻元件的剖视图。图2是图示根据本公开的实施方式的示例性存储器件及其制造方法的剖视图。图3是图示根据本公开的另一实施方式的示例性存储器件及其制造方法的剖视图。图4是基于所公开技术的实施存储电路的微处理器的配置图的示例。图5是基于所公开技术的实施存储电路的处理器的配置图的示例。图6是基于所公开技术的实施存储电路的系统的配置图的示例。图7是基于所公开技术的实施存储电路的数据储存系统的配置图的示例。图8是基于所公开技术的实施存储电路的存储系统的配置图的示例。具体实施方式以下参照附图来详细描述所公开技术的各种示例和实施方式。附图可能不一定成比例，在某些情况下，可以夸大附图中的至少一些结构的比例以清楚地图示所描述的示例或实施方式的特定特征。在附图或描述中呈现具有多层结构中的两层或更多层的特定示例中，所示的这些层的相对位置关系或这些层的布置顺序反映了所描述的或所图示的示例的特定实施方式，这些层的不同的相对位置关系或布置顺序是可能的。另外，所描述的或所图示的多层结构的示例可以不反映在特定多层结构中存在的所有层(例如，一个或更多个额外层可以存在于两个图示的层之间)。作为特定示例，当所描述的或所图示的多层结构中的第一层被称为“在”第二层“上”或“之上”或者“在”衬底“上”或“之上”时，第一层可以直接形成在第二层或衬底上，也可以表示一个或更多个其他中间层可以存在于第一层与第二层或衬底之间的结构。本公开的以下实施方式在于提供一种半导体存储器以及包括其的电子设备，该半导体存储器包括具有改善的性能的可变电阻元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备，包括半导体存储器，其中，半导体存储器包括：自由层，具有可变磁化方向；隧道阻挡层，形成在自由层之上；钉扎层，形成在隧道阻挡层之上以及具有钉扎磁化方向；交换耦合层，形成在钉扎层之上；以及磁性校正层，形成在交换耦合层之上，其中，磁性校正层包括顺序地层叠的第一磁性层、间隔层和第二磁性层，以及第一磁性层具有比第二磁性层的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。

【技术特征摘要】
2015.11.30 KR 10-2015-01682521.一种电子设备，包括半导体存储器，其中，半导体存储器包括：自由层，具有可变磁化方向；隧道阻挡层，形成在自由层之上；钉扎层，形成在隧道阻挡层之上以及具有钉扎磁化方向；交换耦合层，形成在钉扎层之上；以及磁性校正层，形成在交换耦合层之上，其中，磁性校正层包括顺序地层叠的第一磁性层、间隔层和第二磁性层，以及第一磁性层具有比第二磁性层的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，第一磁性层和第二磁性层具有钉扎磁化方向。3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，第一磁性层具有与第二磁性层相同的磁化方向。4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，钉扎层具有被固定为第一方向的磁化方向，磁性校正层具有被固定为不同于第一方向的第二方向的磁化方向。5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，合成铁磁体SF结构存在于第一磁性层与第二磁性层之间，合成反铁磁体SAF结构存在于磁性校正层与钉扎层之间。6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，间隔层包括与交换耦合层相同的材料。7.根据权利要求1所述的电子设备，还包括微处理器，微处理器包括：控制单元，被配置为接收包括来自微处理器外部的命令的信号，以及执行命令的提取、解码或者对微处理器的信号的输入或输出的控制；操作单元，被配置为基于控制单元解码命令的结果来执行操作；以及存储单元，被配置为储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址，其中，半导体存储器是微处理器中的存储单元的部件。8.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理器，处理器包括：核心单元，被配置为基于从处理器外部输入的命令而通过使用数据来执行与命令相对应的操作；高速缓冲存储单元，被配置为储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址；以及总线接口，连接在核心单元与高速缓冲存储单元之间，以及被配置为在核心单元与高速缓冲存储单元之间传送数据，其中，半导体存储器是处理器中的高速缓冲存储单元的部件。9.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理系统，处理系统包括：处理器，被配置为对由处理器接收到的命令解码，以及基于解码命令的结果来控制对信息的操作；辅助存储器件，被配置为储存用于对命令解码的程序和信息；主存储器件，被配置为调用和储存来自辅助存储器件的程序和信息，使得处理器在运行程序时能够使用程序和信息来执行操作；以及接口设备，被配置为执行处理器、辅助存...

【专利技术属性】
技术研发人员：文廷桓，金正明，金俊緖，尹晟准，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR