一种平面型二极管制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种平面型二极管
本专利技术涉及机械领域，具体涉及一种平面型二极管。
技术介绍
二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。现有的二极管结构设计不合理，不适于工业化大生产。
技术实现思路
本专利技术的目的克服现有技术的问题提供一种平面型二极管。本专利技术的一种平面型二极管，包括正极引线和二氧化硅层，N型硅层与二氧化硅层相适配，所述型硅层包覆有P型硅片，所述P型硅片的一侧与二氧化硅层相适配，所述N型硅层一侧设有负极引线。作为本专利技术的进一步改进，所述正极引线或负极引线的一端设有接头。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点。本专利技术结构设计合理，生产成本体，使用效果好，符合生产生活的需要。附图说明图1为本专利技术平面型二极管的结构示意图。图中：1-正极引线，2-二氧化硅层，3-N型硅层，4-P型硅片，5-负极引线，6-接头。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的解释说明。如图1所示，一种平面型二极管，包括正极引线1和二氧化硅层2，N型硅层3与二氧化硅2层相适配，N型硅层3包覆有P型硅片4，P型硅片4的一侧与二氧化硅层2相适配，N型硅层3一侧设有负极引线5。正极引线1或负极引线5的一端设有接头6。上述内容为本专利技术的示例及说明，但不意味着本专利技术可取得的优点受此限制，凡是本专利技术实践过程中可能对结构的简单变换、和/或一些实施方式中实现的优点的其中一个或多个均在本申请的保护范围内。
【技术保护点】
一种平面型二极管，其特征在于：包括正极引线（1）和二氧化硅层（2），N型硅层（3）与二氧化硅（2）层相适配，所述N型硅层（3）包覆有P型硅片（4），所述P型硅片（4）的一侧与二氧化硅层（2）相适配，所述N型硅层（3）一侧设有负极引线（5）。
【技术特征摘要】
1.一种平面型二极管，其特征在于：包括正极引线（1）和二氧化硅层（2），N型硅层（3）与二氧化硅（2）层相适配，所述N型硅层（3）包覆有P型硅片（4），所述P型硅片（4）的一...
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