一种面接触二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种面接触二极管，包括底座（1），所述底座（1）下设有负极引线（2），所述底座（1）上设有金锑合金片（3），所述金锑合金片（3）上设有N型硅片（4），N型硅片（4）上设有P型硅片（5），P型硅片（5）上设有正极引线（6）。本发明专利技术结构设计合理，生产成本体，使用效果好，符合生产生活的需要。

【技术实现步骤摘要】
一种面接触二极管
本专利技术涉及机械领域，具体涉及一种面接触二极管。
技术介绍
二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。现有的二极管结构设计不合理，不适于工业化大生产。
技术实现思路
本专利技术的目的克服现有技术的问题提供一种面接触二极管。本专利技术的一种面接触二极管，包括底座，所述底座下设有负极引线，所述底座上设有金锑合金片，所述金锑合金片上设有N型硅片，N型硅片上设有P型硅片，P型硅片上设有正极引线。作为本专利技术的进一步改进，所述底座为绝缘材质的底座。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点。本专利技术结构设计合理，生产成本体，使用效果好，符合生产生活的需要。附图说明图1为本专利技术面接触二极管的结构示意图。图中：1-底座，2-负极引线，3-金锑合金片，4-N型硅片，5-P型硅片，6-正极引线。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的解释说明。如图1所示，一种面接触二极管，包括底座1，底座1下设有负极引线2，底座1上设有金锑合金片3，金锑合金片3上设有N型硅片4，N型硅片4上设有P型硅片5，P型硅片5上设有正极引线6。底座1为绝缘材质的底座。上述内容为本专利技术的示例及说明，但不意味着本专利技术可取得的优点受此限制，凡是本专利技术实践过程中可能对结构的简单变换、和/或一些实施方式中实现的优点的其中一个或多个均在本申请的保护范围内。

【技术保护点】
一种面接触二极管，其特征在于：包括底座（1），所述底座（1）下设有负极引线（2），所述底座（1）上设有金锑合金片（3），所述金锑合金片（3）上设有N型硅片（4），N型硅片（4）上设有P型硅片（5），P型硅片（5）上设有正极引线（6）。

【技术特征摘要】
1.一种面接触二极管，其特征在于：包括底座（1），所述底座（1）下设有负极引线（2），所述底座（1）上设有金锑合金片（3），所述金锑合金片（3）上设有N型硅片（...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏振宇，
申请(专利权)人：夏振宇，
类型：发明
国别省市：江苏,32