半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种半导体加工设备，包括反应腔室、工艺气路和吹扫装置，其中，在反应腔室内设置有用于固定晶片的承载装置；工艺气路用于向反应腔室内输送工艺气体。吹扫装置包括进气管路和气源，其中，气源用于向进气管路提供吹扫气体；进气管路设置在反应腔室的腔室壁内，且进气管路的进气端与气源连接，进气管路的出气端设置在反应腔室的腔室侧壁上，用以朝向晶片上表面、且沿平行于晶片上表面的方向输送吹扫气体。本发明专利技术提供的半导体加工设备，其可以在工艺前后清除掉落在晶片上表面的颗粒，从而可以避免部分刻蚀缺陷，进而可以提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体地，涉及一种半导体加工设备。
技术介绍
浅沟槽隔离刻蚀是集成电路制造中最重要的工艺之一，它直接影响着器件的电性能和稳定性。对于浅沟槽隔离刻蚀工艺，刻蚀缺陷的控制是提高产品良率最为关键的因素，在实际生产中，刻蚀缺陷的产生主要是因为在刻蚀前和刻蚀后会有大尺寸的颗粒物掉落在晶片表面，导致刻蚀图形被破坏，从而直接影响到产品良率。图1为现有的半导体加工设备的剖视图。请参阅图1，半导体加工设备包括反应腔室1，在该反应腔室1内设置有静电卡盘2，用于承载晶片3，并且静电卡盘2与偏压电源7电连接。在反应腔室1的顶部介质窗的上方设置有线圈5，其与激励电源6电连接。而且，在反应腔室1的顶部介质窗还设置有中央喷嘴4，用以向反应腔室1内输送工艺气体。在进行工艺时，激励电源6向线圈5加载射频功率，以激发反应腔室1内的工艺气体形成等离子体，并且偏压电源7向晶片3施加偏压，以吸引等离子体朝向晶片表面运动，并刻蚀晶片表面。在实际应用中，在进行刻蚀工艺的前后往往会有尺寸较大的颗粒掉落，这些颗粒附着在晶片表面造成刻蚀缺陷，从而严重影响产品良率。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体加工设备，其可以在工艺前后清除掉落在晶片上表面的颗粒，从而可以避免部分刻蚀缺陷，进而可以提高产品良率。为实现本专利技术的目的而提供一种半导体加工设备，包括反应腔室和工艺气路，其中，在所述反应腔室内设置有用于固定晶片的承载装置；所述工艺气路用于向所述反应腔室内输送工艺气体，还包括吹扫装置，所述吹扫装置包括进气管路和气源，其中，所述气源用于向所述进气管路提供所述吹扫气体；所述进气管路设置在所述反应腔室的腔室壁内，且所述进气管路的进气端与所述气源连接，所述进气管路的出气端设置在所述反应腔室的腔室侧壁上，用以朝向所述晶片上表面、且沿平行于所述晶片上表面的方向输送吹扫气体。优选的，所述进气管路的出气端的数量为多个，且分为一组或多组出气组，所述多组出气组沿垂直于所述晶片上表面的方向间隔分布；所述出气组中的多个出气端沿所述反应腔室的腔室侧壁间隔分布，且相对于所述晶片上表面的高度相同。优选的，所述出气端与置于所述承载装置上的晶片边缘之间的水平间距的取值范围在0.5～5cm。优选的，所述水平间距为1cm。优选的，所述进气管路包括第一支路和第二支路，所述第一支路和第二支路相互并联，并串联在所述进气端和所述出气端之间，其中，在所述第一支路上设置有第一通断阀和第一流量控制阀，所述第一通断阀用于接通或断开所述第一支路；所述第一流量控制阀用于调节所述第一支路的气流量；在所述第二支路上设置有第二通断阀和第二流量控制阀，所述第二通断阀用于接通或断开所述第二支路；所述第二流量控制阀用于调节所述第二支路的气流量。优选的，在所述承载装置将所述晶片固定之后，且在进行工艺之前，所述第一通断阀接通所述第一支路，所述第二通断阀断开所述第二支路，同时所述第一流量控制阀将第一支路的气流量调节至第一预设值；在完成所述工艺，且所述承载装置解除对所述晶片的固定之后，所述第一通断阀断开所述第一支路，所述第二通断阀接通所述第二支路，同时所述第二流量控制阀将第二支路的气流量调节至第二预设值。优选的，所述第一预设值的取值范围在500～1000sccm。优选的，所述第一预设值为800sccm。优选的，所述第二预设值的取值范围在200～500sccm。优选的，所述吹扫气体包括氮气或者惰性气体。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的半导体加工设备，其设置有吹扫装置，该吹扫装置包括进气管路和气源，通过将进气管路设置在反应腔室的腔室壁内，且该进气管路的进气端与气源连接，进气管路的出气端设置在反应腔室的腔室侧壁上，用以朝向晶片上表面、且沿平行于该晶片上表面的方向输送吹扫气体，可以在工艺前后清除掉落在晶片上表面的颗粒，从而可以避免部分刻蚀缺陷，进而可以提高产品良率。附图说明图1为现有的半导体加工设备的剖视图；图2为本专利技术实施例提供的半导体加工设备的剖视图；图3为本实施例采用的进气管路的出气端的正面视图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的半导体加工设备进行详细描述。图2为本专利技术实施例提供的半导体加工设备的剖视图。请参阅图2，半导体加工设备包括反应腔室100、工艺气路和吹扫装置，其中，在反应腔室100的内部设置有用于固定晶片12的承载装置11，其与偏压电源22电连接。该承载装置11可以采用静电卡盘或者机械卡盘等。并且，在反应腔室100的顶部介质窗101的上方设置有线圈23，其与激励电源25电连接。而且，在反应腔室100的顶部介质窗101还设置有中央喷嘴24，工艺气路通过该中央喷嘴24向反应腔室100内输送工艺气体。在进行工艺时，利用工艺气路向反应腔室100内通入工艺气体，并开启激励电源25，以使其向线圈23加载射频功率，从而激发反应腔室100内的工艺气体形成等离子体，并且偏压电源22向晶片12施加偏压，以吸引等离子体朝向晶片表面运动，并刻蚀晶片表面。吹扫装置包括进气管路和气源21，其中，气源21用于向进气管路提供吹扫气体，该吹扫气体采用氮气或者诸如氩气、氦气等的惰性气体，不会与工艺气体发生反应。进气管路设置在反应腔室100的腔室壁内，且该进气管路的进气端20与气源21连接，进气管路的出气端19设置在反应腔室100的腔室侧壁10上，用以朝向晶片12的上表面、且沿平行于晶片12上表面的方向输送吹扫气体。在进行工艺前后，借助上述吹扫装置横向(沿平行于该晶片上表面的方向)吹扫晶片12上表面，可以清除掉落在晶片上表面的颗粒，从而可以避免部分刻蚀缺陷，进而可以提高产品良率。在本实施例中，进气管路包括第一支路13和第二支路14，二者相互并联，并串联在进气端20和出气端19之间，其中，在第一支路13上设置有第一通断阀15和第一流量控制阀17，第一通断阀15用于接通或断开第一支路13；第一流量控制阀17用于调节第一支路13的气流量；在第二支路14上设置有第二通断阀16和第二流量控制阀18，第二通断阀16用于接通或断开第二支路14；第二流量控制阀18用于调节第二支路14的气流量。上述通断阀可以为摆动阀或蝶阀等。流量控制阀可以为质量流量计(MFC)、节流阀或者调速阀等。在承载装置11固定晶片12之后，例如承载装置11为静电卡盘，用于采用静电吸附的方式稳定地固定晶片12，且在进行工艺之前，第一通断阀15接通第一支路13，第二通断阀16断开第二支路14，同时第一流量控制阀17将第一支路13的气流量调节至第一预设值，该第一预设值可以根据具体情况设定，只要输送的吹扫气体能够清除晶片12上表面上的颗粒即可，而且由于晶片12被静电吸附，即使采用较大的气流量，也不会使晶片12的位置偏移，从而可以将尺寸较大的颗粒吹落，并通过抽气系统将这些颗粒抽走，进而可以保持晶片12上表面的洁净，有效避免部分刻蚀缺陷，从而可以提高产品良率。上述第一预设值的取值范围在500～1000sccm，优选的，为800sccm。在完成工艺，且承载装置11解除对晶片12的固定之后，例如静电卡盘解除对晶片12的静电吸附，此时第一通断阀15断开第一支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体加工设备，包括反应腔室和工艺气路，其中，在所述反应腔室内设置有用于固定晶片的承载装置；所述工艺气路用于向所述反应腔室内输送工艺气体，其特征在于，还包括吹扫装置，所述吹扫装置包括进气管路和气源，其中，所述气源用于向所述进气管路提供所述吹扫气体；所述进气管路设置在所述反应腔室的腔室壁内，且所述进气管路的进气端与所述气源连接，所述进气管路的出气端设置在所述反应腔室的腔室侧壁上，用以朝向所述晶片上表面、且沿平行于所述晶片上表面的方向输送吹扫气体。

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工设备，包括反应腔室和工艺气路，其中，在所述反应腔室内设置有用于固定晶片的承载装置；所述工艺气路用于向所述反应腔室内输送工艺气体，其特征在于，还包括吹扫装置，所述吹扫装置包括进气管路和气源，其中，所述气源用于向所述进气管路提供所述吹扫气体；所述进气管路设置在所述反应腔室的腔室壁内，且所述进气管路的进气端与所述气源连接，所述进气管路的出气端设置在所述反应腔室的腔室侧壁上，用以朝向所述晶片上表面、且沿平行于所述晶片上表面的方向输送吹扫气体。2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述进气管路的出气端的数量为多个，且分为一组或多组出气组，所述多组出气组沿垂直于所述晶片上表面的方向间隔分布；所述出气组中的多个出气端沿所述反应腔室的腔室侧壁间隔分布，且相对于所述晶片上表面的高度相同。3.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述出气端与置于所述承载装置上的晶片边缘之间的水平间距的取值范围在0.5～5cm。4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述水平间距为1cm。5.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述进气管路包括第一支路和第二支路，所述第一支路和第二支路相互并联，并串联在所述进气端和所述出气端之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李广，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11