一种低光衰的双玻光伏组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低光衰的双玻光伏组件。一种低光衰的双玻光伏组件，包括自上至下设置的前板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层以及背板，所述太阳能电池片为掺镓电池片。所述第一封装层和/或所述第二封装层为由聚烯烃制成的聚烯烃层。所述聚烯烃层的厚度为0.25~0.8mm。所述背板为玻璃板。

【技术实现步骤摘要】
一种低光衰的双玻光伏组件
本技术属于太阳能电池组件领域，特别涉及一种低光衰的双玻光伏组件。
技术介绍
现有技术中，导致P型（掺硼）太阳能电池组件功率衰减的原因主要有：一是硅片质量下降，导致电池出现较大幅度的早期光致衰减；二是组件制造厂制造工艺不合理导致的如电池片隐裂、EVA交联度不好、脱层、焊接不良等质量问题，这种组件在短时间内也会造成输出功率衰减或组件失效；三是组件在系统端应用时，受到电势诱导衰减的影响，导致组件功率下降明显。组件功率衰减主要分两个阶段：早期光衰，P型（掺硼）晶体硅片在光照下产生硼氧复合体，降低了少子寿命，导致电池转换效率下降，最终引起组件功率的下降；后期组件老化衰减及电势诱导衰减，组件老化衰减主要原因是与封装材料的性能退化有关，也与电池片缓慢衰减有关，电势诱导衰减是存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如在上述高电压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐蚀等等。这些引起衰减的机理被称之为电势诱发衰减、极性化、电解腐蚀和电化学腐蚀。常规抗PID（PotentialInducedDegradation—电势诱导衰减），目前业内水平在组件前期衰减约3%左右，在无PID衰减的情况下组件功率每年衰减约1%左右，在组件使用3-5年后由于PID的影响导致组件功率衰减明显，功率衰减可达50%之多。组件寿命期间，功率衰减过多，组件寿命变短，导致电站发电量明显下降，从而影响收益。目前，业内双玻组件应用范围正在迅速扩大，双玻组件的光衰问题亦是大家关注的重点，双玻组件的早期光衰，后期组件的老化衰减及电势诱导衰减也是急需解决的问题。所以开发一款低光衰完全抗PID组件的晶体硅双玻组件及其必要，可以直接提高双玻组件电站的发电收益。
技术实现思路
本技术的目的是解决上述现有技术中存在的不足和问题，提出了一种低光衰的双玻光伏组件。本技术采用的技术方案如下：一种低光衰的双玻光伏组件，包括自上至下设置的前板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层以及背板，所述太阳能电池片为掺镓电池片。优选地，所述第一封装层和/或所述第二封装层为由聚烯烃制成的聚烯烃层。更优选地，所述聚烯烃层的厚度为0.25~0.8mm。优选地，所述背板为玻璃板。优选地，所述前板为玻璃。优选地，所述掺镓电池片为多个，各所述掺镓电池片的上表面上设有用于将所述多个掺镓电池片连接的焊带。更优选地，多个所述掺镓电池片间隔设置，且各所述太阳能电池片的上表面和所述第一封装层相对设置，各所述太阳能电池片的下表面和所述第二封装层相对设置。优选地，所述双玻光伏组件还包括金属边框，所述前板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层以及背板设在所述金属边框上。优选地，所述双玻光伏组件包括设在所述背板的下表面上的接线盒。本技术采用以上方案，相比现有技术具有如下优点：双玻光伏组件电池采用掺镓电池片，降低组件因为硼氧复合体导致的早期光衰。附图说明附图1为本技术的一种双玻光伏组件的结构示意图。上述附图中，1、前板；2、第一封装层；3、太阳能电池片；30、焊带；4、第二封装层；5、背板；6、金属边框；7、接线盒。具体实施方式下面结合附图对本技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本技术的优点和特征能更易于被本领域的技术人员理解。本技术对方位的定义是根据本领域人员的惯常观察视角和为了叙述方便而定义的，不限定具体的方向，如，上对应于附图1中纸面的上侧，下对应于附图1中纸面的下侧。参照附图1所示，一种低光衰的双玻光伏组件，包括自上至下依次设置的前板1、第一封装层2、太阳能电池片、第二封装层以及背板，前板1、第一封装层2、太阳能电池片3、第二封装层4以及背板5被封装为一个整体。本实施例提供的是一种有边框的双波光伏组件，因此，所述双玻光伏组件还包括接地的金属边框6，前板1、第一封装层2、太阳能电池片3、第二封装层4以及背板5设在所述金属边框6上。具体为，金属边框6上设置C形的槽，前板1、第一封装层2、第二封装层4以及背板5的侧部插设在该C形的槽内。所述双玻光伏组件包括设在所述背板5的下表面上的接线盒7。其中，太阳能电池片3为掺镓电池片。本技术打破P型晶硅组件传统，在双玻组件中采用掺镓电池片替代传统掺硼电池片。掺硼电池片早期光致衰减现象是由于掺硼Cz硅中的间隙态氧和替位态硼形成亚稳态的缺陷结构（即硼氧复合体）所致；然而掺镓电池片，由于镓的共价院子半径是126pm，其较大的原子半径阻碍了镓和氧在硅晶格中的作用，使得掺镓不会形成亚稳态的复合体，也是由于这个原理抑制了掺镓Cz电池的光衰减。第一封装层2和第二封装层4为由聚烯烃制成的聚烯烃层。聚烯烃层的厚度为0.25~0.8mm。采用聚烯烃材料替代传统EVA封装材料，具有较好的阻水性、较低的水汽透过率、较高的体积电阻率性，可提高双玻组件的阻水性及耐候性，可降低组件后期的老化衰减，并可确保双玻组件在寿命期间不产生PID现象。此方法既适合装边框的双玻组件，也适合不装边框的双玻组件。背板5为玻璃板。采用玻璃背板5替代传统有机背板5，玻璃的零透水率较传统有机背板5具有绝对优势，减少水汽进入组件内部，进一步确保双玻组件在寿命期间不产生PID现象。前板1也为玻璃。掺镓电池片为多个，各掺镓电池片的上表面上设有用于将多个掺镓电池片相互连接的焊带30。多个掺镓电池片间隔设置，且各掺镓电池片的上表面和第一封装层2相对设置，各掺镓电池片的下表面和第二封装层4相对设置。即，第一封装层2和第二封装层4任意相对应的部位之间的掺镓电池片的个数不大于1，多个掺镓电池片持平设置，而非沿上下方向层叠。本技术采用掺镓电池片替代常规掺硼电池片，降低组件因为硼氧复合体导致的早期光衰；采用聚烯烃作为封装材料，较好的阻水性、较低的水汽透过率、较高的体积电阻率性，可实现组件后期老化衰减较常规组件减少50%左右，并且双玻组件寿命期间无PID现象产生，不会产生由于PID影响导致组件功率大幅度衰减的问题。采用背板5玻璃替代常规有机背板5，减少水汽进入组件内部，造成组件PID衰减及老化衰减。以上三方面，从根本上解决双玻光伏组件功率在应用端的大幅衰减的问题。本技术完全可以在传统晶硅组件生产线实现，无需在产线增加任何工序及人力。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，是一种优选的实施例，其目的在于熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限定本技术的保护范围。凡根据本技术的精神实质所作的等效变换或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低光衰的双玻光伏组件，包括自上至下设置的前板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层以及背板，其特征在于：所述太阳能电池片为掺镓电池片。

【技术特征摘要】
1.一种低光衰的双玻光伏组件，包括自上至下设置的前板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层以及背板，其特征在于：所述太阳能电池片为掺镓电池片。2.根据权利要求1所述的低光衰的双玻光伏组件，其特征在于：所述第一封装层和/或所述第二封装层为由聚烯烃制成的聚烯烃层。3.根据权利要求2所述的低光衰的双玻光伏组件，其特征在于：所述聚烯烃层的厚度为0.25~0.8mm。4.根据权利要求1所述的低光衰的双玻光伏组件，其特征在于：所述背板为玻璃板。5.根据权利要求1所述的低光衰的双玻光伏组件，其特征在于：所述前板为玻璃。6.根据权利要求1所述的低光衰的双玻光伏组件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪志春，蔡霞，魏青竹，李淳慧，陈国清，王超，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32