烯烃聚合方法技术

技术编号:1558661 阅读:119 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种烯烃聚合方法,该方法包括将至少一种烯烃、至少一种聚合催化剂、至少一种助催化剂和至少一种助催化剂助剂,和任选的清除剂引入聚合反应器中,并聚合烯烃的步骤;其中助催化剂助剂是在引入反应器之前独立制备的反应产物,它是通过至少一种元素周期表中第ⅡA族或第ⅢA族烷基金属化合物和至少一种具有结构式R↓[m]XR’↓[n]的化合物(A)反应得到的,其中R是具有1至30个碳原子的支化的、直链的或环化的取代或未取代的烃基,R’是氢或任何具有至少一个活性氢原子的官能团,X是至少一种选自O、N、P或S或它们的混合物的杂原子,其中n和m分别至少为1,且它们的值使结构式没有净电荷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蜂錄合方法
本专利技术涉及蜂烃聚合的方法和在该方法中使用助催化剂助剂。 4^聚合方法生产用于树用#制品的聚*是^4页^^>^的。扭 些方法中可以使用任何已知的聚*化剂体系。优选含有单活性中心催化剂体 系,例如茂金属或非茂金属催化剂,更M的体系是由茂金属和齐格勒-纳塔 型催化剂《誠的双金属催化剂体系。;(^斤周知这些催化剂体系,尤其是单活性中心催化剂,特别是当它们负栽 在载体上并且用于^目和淤浆聚合方法时,具有形成结祐和/或结片的倾向。这 些单活性中心催化剂的活性非常高,经常导致产生极高的局部热量^^^粒 子增大。然后在^JS器中形成了熔融结片,而iM摊将它们从中除去。这种在 连续^目工艺的结祐和/或结片能够导致多种^体系的无效^ft,例如^HP体 系、温度銜则器和配电盘。这些问题能够导致早期^器停止。在文献US5283218中讨论了减少单活性中心催化剂体系的结垢的不同方 法,它指出了将茂金属催化剂进^^聚合。US5332706和5473028 //Hf 了通过"初 期浸渍,,("incipient impregnation")方法形成催化剂。EP0453116A1公开了 在M器中引入抗静电剂^W少结片和,的量。W096/11961 /^Hf"了在^目、 於浆或溶剂相聚合方法中^^J含有抗静电组分的负栽催化剂体系减少结祐和结 片。进一步地,US5026795 7^Hf了向瓦应器内的聚合区添加带有液态载体的抗静电剂的方法。US5410002讨论了^^常规的负栽型齐格勒-纳:^W4W化剂体 系时,直接在反应器中选##^口入抗静电剂来减少结垢。W097/46599涉及^JU 可溶性茂金属催化剂加入到带有防污剂或抗静电剂如ATMR 163 (来自ICI Specialty Chemicals, Baltimore, Md.)的聚合^I器的贫乏区。EP811638A2 讨论了在含有抗静电剂的氮^4在下的聚合M中^U茂金属催化剂和活'^^ 催化剂。虽然所有这些溶液^r以稍孩城少一些结裙或结片, 一些应用^M艮昂贵 和/或不能同时将结祐和结片减少到足够成功进fr^续生产的程度,尤其是在使 用负载的单活性中心催化剂进行商业^4^M^組产时。许多出版物>5^了用于引入抗静电剂的不同方法。最M的方法是将抗静 电剂喷雾到反应器的流J匕床中。通常讨论的其它方法是将抗静电剂和载M液;^l化剂物流一^口入。负栽的催化剂必须在引A^器前预先"^M^广物油 中。然而,抗静电剂含有的活'M子对单活性中心催化剂会有一些影响。因此 具有更稳定催化剂生产力并可以简单的方法引入减少结垢/结片功能的试剂而 又不^M单活性中心催化剂中毒的连续聚合方法是有利的。j^4铝通常用于烯烃聚合的清除剂。;0^斤周知,清除剂如三曱基铝的用量过多会减少单活性中心催化剂的活性。期望拥有一种具有清除剂的功能,x^j" 活性催化剂中心影响很小的试剂。胺或幾J^^是/》的抗静电剂。这种试剂与催化剂共注入#^减少或甚至 消除^器结垢/结片。然而,酉6 ^顿闭活性催化剂中心也会减少单活性中心催化剂的活性,没有有效的方法能够《IAA够的抗静电剂以消除反应器结片同时对催化剂活'l^殳有相反影响。因itt^专利技术的目的是提^"种能够jtm^技术铁氛的。尤 ^€供了能够防止^器结垢和/或结片,同时4^]的催化剂体系提供了足够的 生产能力的方法。本专利技术的目的通过包括以下步骤的蜂烃聚合的方法实现(i) 将至少一种蜂烃、至少一种聚^f^化剂、和至少一种助催化剂助剂,和 ^^的清除剂引入聚合^器中,和(ii) 聚合敝其中助催化剂助剂是在? IAA^ ^^前独立制备的^Ji产物,它是通itE 少一种元素周*中第IIA族或第11IA^^金^ft^和至少一种具有结构 式RJR,n的化合物(A)^得到的,其中R是具有1至50个碳原子的支化、直Mil环状取^^^^代的烃基,R, AH^z&f可具有至少一个活性iuf、子的官能团,X是至少一种选自0、 N、 P或S或它们的混合物的杂原子,其中n和m分别至少为1,且它们的值使结构式没有净电荷。其中^i^r属^^4勿的4r属和^^^ (A)的X的比值为约1: 2至约10:1。 优选的化合物(A)选自船汙生物、亚胸汙生物、酚衍生物、醇或含羟基的最她的^r^ ( A )絲。在一个实施方案中R是具有10至40个碳原子的烃基。 在一个实施方案中R,是具有结构式"CHa20H的官能团。 舰的絲金M^A^翻^b。 ^^卜聚*化剂可以是含有单活性中心催化剂的催化剂体系。 优选的催化剂体系是^^有齐格勒-纳塔型催化剂的含有茂金属的催化剂 体系。在一个实施方案中聚^li化剂负g选自无才;i^化物、氯化镁、粘土、沸 石、聚"^载体、石墨或它们的混^/的栽体上。舰的栽体选自^5、氧^4吕、氧4^:、 二氧4欲、氧4m、絲乙烯、聚乙烯、聚丙烯、綠乙稀、聚碳酸酯、聚酮、聚乙烯醇、聚曱基丙烯酸曱酯、纤维素或它们的混*。进一步的,聚^1化剂淑经少一种助催化剂活化,助催化剂选自^^铝、^J^吕、硼#/或硼舰。艇助催化剂为曱基铝氧烷(MAO)、改性的曱基铝氧烷(腿O)、全氟苯基硼烷,它们的衍生物和/或混合物。该方法可以在^f目、於斜目或溶剂相中进行。改性剂、促进剂和/或给电子体试剂也可以另外加A^反应器中。改性剂、^ii剂和/或给电子体试剂^^i^自醇、城酯、醚,例如四氬p夫喃、含硅的^r^、表面活性剂、抗静电剂、^^化剂和/或含氟^^。J^4金属^^的金属和^^( A)的X的比值最M为约2:1至约4:1。 清除剂toi^自三异丁基铝、三己基铝、三异丙基铝、三乙基铝和/或三曱基铝。最后,助催化剂助剂是通^少一种元素周*中第IIA族或第IIIA皿 基金属^^物和至少一种具有结构式IUR,n的化合物(A)反应得到的,其中R 是具有1至30个碳原子的支化、直M环^^MU^M戈的M, R' ;U^ ^f可具有至少一个活性氬原子的官能团,X^少一种选自0、 N、 P或S或它们 的混合物的杂原子,其中n和m分别至少为1 ,且它们的值^M构式没有净电荷, 该助催化剂助剂可用于烯烃聚合工艺中。惊奇的发现,在本专利技术的中,上述的助催化剂助剂可以用作 助催化剂/清除剂,和防污剂一样有利的应用于该方法中。在M器中引入常规的抗静电剂可以减少静电荷增大,减少结片和消R^t 热点。然而,尤其在^^1高活性的单活性中心催化剂体系时,^fM这种常规的 抗静电剂对催化剂的生产能力会有消极的影响。这些益处归功于在本专利技术方法 中^^)了助催化剂助剂,它不仅斷氐了M器结垢/结片,还l^f氐了^4铝和抗 静电剂使含有高活性单活性中心催化剂的体系中毒的趋势。因此,这种催化剂 体系的生产能力J^增加。在本申请中,术语"助催化剂助剂,,指的是能够帮助助催化剂活化聚"^ 化剂或预防催化剂失活的^^物或试剂,其中助催化剂助剂也能够防止结垢和/ 或结片。在本申请中,关键的是助催化剂助剂在引入聚合MH^前独立制备。因 此可以避免在聚合反应器中分别仅 口入抗静电剂和清除剂。通过使用清除剂 和抗静电剂的A^产物,在本专利技术方法中命名为助催化剂助剂,hl了有关清 除剂能力和^:静电能力的问题。本专利技术最皿的方面是,使用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种烯烃聚合方法,包括以下步骤:    (i)将至少一种烯烃、至少一种聚合催化剂和至少一种助催化剂助剂,和任选的清除剂引入聚合反应器中,和    (ii)聚合烯烃,    其中助催化剂助剂是在引入反应器之前独立制备的反应产物,它是通过至少一种元素周期表中第ⅡA族或第ⅢA族烷基金属化合物和至少一种具有结构式R↓[m]XR’↓[n]的化合物(A)反应得到的,其中R是具有1至50个碳原子的支化、直链或环状取代或未取代的烃基,R’是氢或任何具有至少一个活性氢原子的官能团,X是至少一种选自O、N、P或S或它们的混合物的杂原子,其中n和m分别至少为1,且它们的值使结构式没有净电荷,    其中烷基金属化合物的金属和化合物(A)的X的比值为约1∶2至约10∶1。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:W徐V阿利耶夫S穆罕默德A阿卜拉克巴
申请(专利权)人:沙特基础工业公司
类型:发明
国别省市:SA[沙特阿拉伯]

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