The invention discloses a packaging device and lead frame and lead frame manufacturing method, the manufacturing method comprises a carrier plate on a surface forming a first patterned photoresist layer and a patterned conductive layer; a second patterned photoresist layer and a patterned conductive column layer is formed on the first patterned photoresist layer and the patterned conductor the first layer; removing the patterned photoresist layer and the two patterned photoresist layer, and a dielectric layer is formed on the corresponding position; remove the carrier plate to expose the contact with the original board patterned conductive layer and a dielectric material layer; forming a patterned photoresist layer third in contact with the carrier plate patterned conductor the dielectric layer and material layer through a patterned conductor layer; the third part of the patterned photoresist layer is removed and part of the patterned conductive column layer, to form a groove and eliminate interference; remove the third pattern light Barrier layer. The invention can strengthen the anti-interference ability, and can avoid damaging the conductive circuit in the use, manufacture and transportation of the wire carrier.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种封装装置及其导线架及导线架的制作方法,特别关于一种利用增层法制作的封装装置及其导线架及导线架的制作方法。
技术介绍
在高度信息化社会的今日,多媒体应用市场不断地急速扩张,集成电路封装技术也朝集成电路封装的数字化、网络化、区域连接化以及使用人性化的趋势发展。为达到上述的要求,电子组件必须配合高速处理化、多功能化、集成化(Integrated)以及小型轻量化等多方面的要求,也因此集成电路封装技术也跟着朝向微型化、高密度化发展。其中球栅阵列封装(BallGridArray,BGA)、芯片尺寸封装(Chip-ScalePackage,CSP)、覆晶封装(FlipChipPackage,F/C)、多芯片模块(Multi-ChipModule,MCM)以及四方扁平无脚封装(QuadFlatNo-leadPackage,QFN)等高密度集成电路封装技术也因应而生。其中,QFN封装技术为了因应高通讯速度以及高频操作而使用的导线架,将使集成电路封装具有低功率电路、高频收发等产品特性。现行的导线架皆是利用减层法所制作,其除了限制其线宽及线距,亦有导电线路外露的缺陷。以下是以图1A至图1L简单说明现行的导线架制作方法。如图1A所示,是于一载板10上形成一导电层11,其可利用压合组板的方式形成。再如图1B所示,是于载板10上以曝光显影技术形成一图案化光阻层12。接着,再如图1C所示,于图案化光阻层12中以电镀技术形成铜柱层13。接着,再搭配图1D所示,以蚀刻技术移除图案化光阻层12,而于载板10上留下铜柱层13。再如图1E所示,接着以压模的方式形成介电材料层 ...
【技术保护点】
一种导线架的制作方法,其特征在于,包含:形成一第一图案化光阻层于一载板的一表面,该第一图案化光阻层具有多个第一开孔;形成一图案化导线层于该第一图案化光阻层的该些第一开孔中;形成一第二图案化光阻层于该第一图案化光阻层及该图案化导线层上,该第二图案化光阻层具有多个第二开孔;形成一图案化导电柱层于该第二图案化光阻层的该些第二开孔中;移除该第一图案化光阻层及该第二图案化光阻层,以形成对应于该第一图案化光阻层及该第二图案化光阻层的多个第三开孔;形成一介电材料层于该第三开孔中;移除该载板,以暴露该图案化导线层及部分的该介电材料层;形成一第三图案化光阻层于该图案化导线层及暴露的该介电材料层,其具有至少一第四开孔;移除与该第四开孔对应位置的该图案化导线层以及部分的该图案化导电柱层,以形成一干扰消除槽;以及移除该第三图案化光阻层。
【技术特征摘要】
1.一种导线架的制作方法,其特征在于,包含:形成一第一图案化光阻层于一载板的一表面,该第一图案化光阻层具有多个第一开孔;形成一图案化导线层于该第一图案化光阻层的该些第一开孔中;形成一第二图案化光阻层于该第一图案化光阻层及该图案化导线层上,该第二图案化光阻层具有多个第二开孔;形成一图案化导电柱层于该第二图案化光阻层的该些第二开孔中;移除该第一图案化光阻层及该第二图案化光阻层,以形成对应于该第一图案化光阻层及该第二图案化光阻层的多个第三开孔;形成一介电材料层于该第三开孔中;移除该载板,以暴露该图案化导线层及部分的该介电材料层;形成一第三图案化光阻层于该图案化导线层及暴露的该介电材料层,其具有至少一第四开孔;移除与该第四开孔对应位置的该图案化导线层以及部分的该图案化导电柱层,以形成一干扰消除槽;以及移除该第三图案化光阻层。2.如权利要求1所述的导线架的制作方法,其特征在于:该载板是由金属复合材或金属与非金属叠设而成。3.如权利要求1所述的导线架的制作方法,其特征在于:该图案化导线层是通过电镀技术、无电镀技术、溅镀技术或蒸镀技术所形成。4.如权利要求1所述的导线架的制作方法,其特征在于:该介电材料层是通过真空压模技术或铸模技术所形成。5.如权利要求1所述的导线架的制作方法,其特征在于:于该介电材料层形成后,该介电材料层的一表面是突出于该图案化导电柱层的一表面。6.如权利要求1所述的导线架的制作方法,其特征在于:于移除该第三图案化光阻层后,该介电材料层的一表面是突出于该图案化导线层的一表面。7.一种导线架,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈玟琳,曾昭崇,蔡宪铭,许诗滨,许哲玮,
申请(专利权)人:恒劲科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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