一种低功耗电源电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低功耗电源电路结构。所述低功耗电源电路包括电压比较器、电压调节电路、功率管和反馈网络。电压比较器用于比较反馈电压与参考电压，其反相输入端连接参考电压，同相输入端连接对输出电压VOUT分压的反馈网络，电压比较器的输出端与电压调节电压电路的反向器输入端连接；电压调节电路输出连接功率管的栅极，功率管漏极连接由MOS构成的反馈网络。本发明专利技术所述的低功耗电源电路，采用简单的电路结构为集成电路提供合适的工作电压，有效地降低了静态功耗，减小芯片面积，且应用广泛。

Low power consumption power circuit

The invention discloses a low power consumption power supply circuit structure. The low power consumption power circuit comprises a voltage comparator, a voltage regulation circuit, a power tube and a feedback network. The voltage comparator for comparing the feedback voltage and the reference voltage, the inverting input connected to a reference voltage, phase input connected to the output voltage of VOUT partial pressure feedback network, inverter input and output terminal of the voltage comparator and the voltage regulator voltage circuit is connected; voltage regulating circuit is connected to the gate output power tube, power tube drain with the feedback network composed of MOS. The low power consumption power supply circuit of the invention adopts a simple circuit structure to provide an appropriate working voltage for the integrated circuit, effectively reduces the static power consumption, reduces the chip area, and is widely used.

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗电源电路
本专利技术属于集成电路设计领域，关于一种电源电路，特别地涉及到一种低功耗电源电路。
技术介绍
在模拟集成电路中，电源电路是最基本的模块之一，为芯片不同模块提供稳定、大小合适的电源。在近些年中便携式电子设备发展极其迅猛，对芯片低功耗的需求极大。本专利技术提供一种低功耗电源电路结构，其静态功耗极低，同时具有集成度高、实现面积小的优势。
技术实现思路
鉴于对低功耗、小型化的电源电路的应用需要，本专利技术提供了一种低功耗电源电路。本专利技术的上述目的，将通过以下技术方案得以实现：一种低功耗电源电路包括电压比较器、电压调节电路、功率管和反馈网络。电压比较器的反相输入端连接参考电压Vref，同相输入端连接对输出电压VOUT分压的反馈网络输出Vfb，电压比较器的输出端与电压调节电压电路的反向器输入端连接；比较器的输出经过电压调节电路输出到功率管M3的栅极；功率管M3的漏极连接由MOS构成的反馈网络。进一步地，所述电压调节电路，其特征在于，所述电压调节电路包括反相器INV、NMOS管M1、NMOS管M2；所述反相器INV的输入与比较器Comp的输出连接，反相器INV的高电压端接电源，反相器INV的输出与功率管M3的栅极连接，反相器INV的低电压端连接NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的源极接地，NMOS管M1的栅极和NMOS管M2的栅极均连接到偏置电压Vbias。进一步地，所述的功率管NMOS管M3的栅极与电压调节电路的输出端连接，功率管M3的漏极与电源相接，功率管M3的源极与反馈网络的NMOS管M4的漏极相连接。进一步地，所述反馈网络，其特征在于，所述NMOS管M4的漏极和栅极与功率管M3的源极相连接，NMOS管M4的源极与NMOS管M5的漏极连接这，NMOS管M5的栅极与NMOS管M4的栅极连接，NMOS管M5的源极与NMOS管M6的漏极连接，NMOS管M6的源极与NMOS管M7的漏极连接，NMOS管M7的源极接地，NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的栅极连接均连接到NMOS管M6的漏极，电压比较器的正相输入端与NMOS管M5的源极、NMOS管M6的漏极连接。本专利技术的提供的技术方案有益效果在于：本专利技术所提供的一种低功耗的电源电路，结构简单采用了MOS管级连的反馈网络，使用电压比较器为功率管提供一个控制信号，并加入电压调节电路，最终使电源电路输出电压稳定；此电路结构有效的控制了芯片面积的开销，同时能很好控制整个电路的功耗，特别适合应用在低功耗、极低功耗的要求环境下。以下便结合实施例附图，对本专利技术提供的技术方案的具体实施方式作进一步的说明，以便使得本专利技术更容易理解、实施。附图说明图1本专利技术提出的低功耗电源电路结构。具体实施方式具体实施方式将进一步对本专利技术的精神进行说明，在此本专利技术的示意性实施例及说明用于解释本专利技术，但是不能认为是对本专利技术的限定。如图1所示，低功耗电源电路包括电压比较器、电压调节电路、功率管和反馈网络。电压比较器的反相输入端连接参考电压Vref，同相输入端连接对输出电压VOUT分压的反馈网络输出Vfb，电压比较器的输出端与电压调节电压电路的反向器输入端连接；比较器的输出经过电压调节电路输出到功率管M3的栅极；功率管M3的漏极连接由MOS构成的反馈网络。所述电压调节电路，其特征在于，所述电压调节电路包括反相器INV、NMOS管M1、NMOS管M2；所述反相器INV的输入与比较器Comp的输出连接，反相器INV的高电压端接电源，反相器INV的输出与功率管M3的栅极连接，反相器INV的低电压端连接NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的源极接地，NMOS管M1的栅极和NMOS管M2的栅极均连接到偏置电压Vbias。所述的功率管NMOS管M3的栅极与电压调节电路的输出端连接，功率管M3的漏极与电源相接，功率管M3的源极与反馈网络的NMOS管M4的漏极相连接。所述反馈网络，其特征在于，所述NMOS管M4的漏极和栅极与功率管M3的源极相连接，NMOS管M4的源极与NMOS管M5的漏极连接这，NMOS管M5的栅极与NMOS管M4的栅极连接，NMOS管M5的源极与NMOS管M6的漏极连接，NMOS管M6的源极与NMOS管M7的漏极连接，NMOS管M7的源极接地，NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的栅极连接均连接到NMOS管M6的漏极，电压比较器的正相输入端与NMOS管M5的源极、NMOS管M6的漏极连接。工作原理：本专利技术设计的低功耗电源电路，电压比较器的同相输入端连接输出电压VOUT经MOS管分压的反馈电压，比较器反相输入器连接参考电压，当反馈电压高于或低于参考电压时，比较器输出电源电压或地电平；在电压调节电路中反相器的高电压端接电源，低电压端连接由NMOS管M1、M2串联的偏置电路，这样比较器输出的电压经过电压调节电路后跳变波动范围有减小，并通过合理的偏置电流大小控制最小输出电压，能保证功率管NMOS管M3能快速响应；当输出电压较高时，比较器输出高电平，经电压调节电路输出低电平，控制NMOS管M3导通能力减弱甚至关闭，这样VOUT结点电压会随之下降，当输出电压较低时，比较器输出低电平，经电压调节电路输出高电平，控制NMOS管M3导通，这样VOUT结点电压会随之升高，达到一个反馈的调节目的，从而保证输出电压稳定。对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以作出各种具体变形和组合，这些变形和组合也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗电源电路包括电压比较器、电压调节电路、功率管和反馈网络,电压比较器的反相输入端连接参考电压Vref，同相输入端连接对输出电压VOUT分压的反馈网络输出Vfb，电压比较器的输出端与电压调节电压电路的反向器输入端连接；比较器的输出经过电压调节电路输出到功率管M3的栅极；功率管M3的漏极连接由MOS构成的反馈网络。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗电源电路包括电压比较器、电压调节电路、功率管和反馈网络,电压比较器的反相输入端连接参考电压Vref，同相输入端连接对输出电压VOUT分压的反馈网络输出Vfb，电压比较器的输出端与电压调节电压电路的反向器输入端连接；比较器的输出经过电压调节电路输出到功率管M3的栅极；功率管M3的漏极连接由MOS构成的反馈网络。2.根据权利要求1所述的电压调节电路，其特征在于，所述电压调节电路包括反相器INV、NMOS管M1、NMOS管M2；所述反相器INV的输入与比较器Comp的输出连接，反相器INV的高电压端接电源，反相器INV的输出与功率管M3的栅极连接，反相器INV的低电压端连接NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的源极接地，NMOS管M1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓亚，
申请(专利权)人：长沙景嘉微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43