一种信号线的修复系统及修复方法技术方案

本发明专利技术公开了一种信号线的修复系统及修复方法，修复系统包括分别用于形成修复线和绝缘层的第一、第二修复装置；针对交叉的两条信号线在交叉处发生断路的情况，先利用第一修复装置对其中一条信号线进行修复，再利用第二修复装置形成绝缘层，最后利用第一修复装置对另一条信号线进行修复，这样，既可避免两条信号线之间短路，又可避免将其中一条信号线的修复线设计为远离另一条信号线的修复线而增加修复失败的风险；针对在交叉的两条信号线形成后检出下方的信号线在交叉处发生断路的情况，先利用第二修复装置形成绝缘层，再利用第一修复装置对下方的信号线进行修复，这样，既可避免两条信号线之间短路，又可避免因修复不及时导致的漏检漏修风险。

Signal line repairing system and repairing method

The invention discloses a signal line repair system and method of repair, including the repair system are used for the first and second repair device repair line formed and an insulating layer; the two signal lines crossing at the intersection of the open circuit condition, using the first repair device to repair a signal line, and then the use of second prosthetic devices formed on the dielectric layer, finally using the first repair device for repair of another such signal lines, which can avoid the short circuit between the two signal lines, and can avoid the design of repair line signal line for repairing the line far from another signal line and increase the risk of failure repair the signal line formed in two; signal lines cross the detection in the bottom of the intersection of open circuit conditions, using second repair device for forming an insulating layer, then use the first repair. The lower signal line is repaired so that the short circuit between the two signal lines can be avoided, and the risk of undetected and missed repair caused by the delayed repair can be avoided.

【技术实现步骤摘要】
一种信号线的修复系统及修复方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种信号线的修复系统及修复方法。
技术介绍
在显示基板的制作过程中，由于工艺偏差、操作失误以及环境等因素，会导致信号线发生断路的问题。针对这类问题，一般采用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)设备沉积金属材料形成修复线，将断开的两段信号线电性连接。以液晶显示面板中的阵列基板为例，如图1a所示，在形成有栅线101的衬底基板102上形成数据线103的图形之后，检测出栅线101在栅线101与数据线103的交叉位置处(如图1a所示的虚线框所示)发生断路，此时，如图1b所示，若采用CVD设备在栅线101的断开处形成栅线修复线104，栅线修复线104通过第一过孔105与断开的两段栅线101电性连接，由于数据线103的上方尚未形成绝缘层，形成的栅线修复线104会与数据线103直接接触，从而会导致栅线101与数据线103发生短路的问题，然而，若待阵列基板制作完成之后再采用CVD设备对发生断路的栅线101进行修复，则会存在漏检漏修的风险。如图2a所示，在阵列基板制作完成之后，检测出栅线101和数据线103在栅线101与数据线103的交叉位置处(如图1b所示的虚线框所示)发生断路，此时，如图2b所示，若采用CVD设备在栅线101的断开处形成栅线修复线104以及在数据线103的断开处形成数据线修复线106，栅线修复线104通过第一过孔105与断开的两段栅线101电性连接，数据线修复线106通过第二过孔107与断开的两段数据线103电性连接，形成的栅线修复线104与数据线修复线106会直接接触，从而会导致栅线101与数据线103发生短路的问题，然而，如图2c所示，若将栅线修复线104设计为刻意远离数据线修复线106的形状，则会存在由于栅线修复线104过长而增加修复失败的风险的问题。可见，采用现有的CVD设备对发生断路的信号线进行修复，会存在交叉的信号线之间发生短路、漏检漏修或修复失败等风险，因此，如何提供一种能够避免上述修复风险的信号线的修复系统，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种信号线的修复系统及修复方法，用以避免在采用现有的CVD设备对发生断路的信号线进行修复时存在交叉的信号线之间发生短路、漏检漏修或修复失败等风险。因此，本专利技术实施例提供了一种信号线的修复系统，包括：用于形成导电的修复线的第一修复装置和用于形成绝缘层的第二修复装置。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复系统中，所述第一修复装置，包括：第一反应腔室以及分别与所述第一反应腔室连通的用于传输第一反应物的第一输入管道和用于传输反应后的第一废弃物的第一输出管道；其中，所述第一反应腔室具有贯穿所述第一反应腔室的第一中通孔；所述第二修复装置，包括：第二反应腔室以及分别与所述第二反应腔室连通的用于传输第二反应物的第二输入管道和用于传输反应后的第二废弃物的第二输出管道；其中，所述第二反应腔室具有贯穿所述第二反应腔室的第二中通孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复系统中，还包括：用于使所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态或封闭状态且使所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态或封闭状态的开关；其中，所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于封闭状态时，所述第一反应腔室在所述第一中通孔处形成导电材料沉积在显示基板上形成修复线；所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于封闭状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态时，所述第二反应腔室在所述第二中通孔处形成绝缘材料沉积在显示基板上形成绝缘层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复系统中，所述开关为可滑动至所述第一中通孔处或所述第二中通孔处的中空的滑件。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复系统中，所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的上方，所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正上方；或者，所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的下方，所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正下方。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复系统中，还包括：位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的上方用于发射穿过所述第一中通孔和所述第二中通孔的激光的激光器。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复系统中，还包括：位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的下方用于承载显示基板的机台；所述机台内设置有加热部件。本专利技术实施例还提供了一种信号线的修复方法，利用本专利技术实施例提供的上述修复系统对信号线进行修复，包括：利用第一修复装置形成第一修复线，对在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第一信号线进行修复；其中，所述第一信号线与所述第二信号线相互绝缘且所述第一信号线位于所述第二信号线的上方或下方；利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层；利用所述第一修复装置在所述绝缘层上形成第二修复线，对在所述第一信号线与所述第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第二信号线进行修复。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复方法中，在利用第一修复装置形成第一修复线之前，还包括：将在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生短路的所述第一信号线和所述第二信号线切断。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复方法中，所述利用第一修复装置形成第一修复线，具体包括：在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第一修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复方法中，所述利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层，具体包括：在加热部件加热到第二预设温度之后，将滑件滑至第一反应腔室的第一中通孔处，利用第二输入管道向第二反应腔室输入氨气、氮气和硅烷，利用激光器照射第二中通孔，在第二中通孔处形成的氮化硅沉积在显示基板上形成绝缘层，反应后的第二废弃物通过第二输出管道排出。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复方法中，所述利用所述第一修复装置在所述绝缘层上形成第二修复线，具体包括：在加热部件加热到第一预设温度之后，将滑件滑至第二反应腔室的第二中通孔处，利用第一输入管道向第一反应腔室输入掺有六羰基钨的氩气，利用激光器照射第一中通孔，在第一中通孔处形成的钨粉沉积在显示基板上形成第二修复线，反应后的第一废弃物通过第一输出管道排出。本专利技术实施例还提供了一种信号线的修复方法，利用本专利技术实施例提供的上述修复系统对信号线进行修复，包括：利用第二修复装置形成覆盖第一信号线与第二信号线的交叉位置的绝缘层：其中，所述第一信号线与所述第二信号线相互绝缘且所述第一信号线位于所述第二信号线的下方；利用第一修复装置在所述绝缘层上形成第一修复线，对在所述第一信号线与所述第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第一信号线进行修复。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述修复方法中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信号线的修复系统，其特征在于，包括：用于形成导电的修复线的第一修复装置和用于形成绝缘层的第二修复装置。

【技术特征摘要】
1.一种信号线的修复系统，其特征在于，包括：用于形成导电的修复线的第一修复装置和用于形成绝缘层的第二修复装置。2.如权利要求1所述的修复系统，其特征在于，所述第一修复装置，包括：第一反应腔室以及分别与所述第一反应腔室连通的用于传输第一反应物的第一输入管道和用于传输反应后的第一废弃物的第一输出管道；其中，所述第一反应腔室具有贯穿所述第一反应腔室的第一中通孔；所述第二修复装置，包括：第二反应腔室以及分别与所述第二反应腔室连通的用于传输第二反应物的第二输入管道和用于传输反应后的第二废弃物的第二输出管道；其中，所述第二反应腔室具有贯穿所述第二反应腔室的第二中通孔。3.如权利要求2所述的修复系统，其特征在于，还包括：用于使所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态或封闭状态且使所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态或封闭状态的开关；其中，所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于开放状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于封闭状态时，所述第一反应腔室在所述第一中通孔处形成导电材料沉积在显示基板上形成修复线；所述第一反应腔室在所述第一中通孔处处于封闭状态且所述第二反应腔室在所述第二中通孔处处于开放状态时，所述第二反应腔室在所述第二中通孔处形成绝缘材料沉积在显示基板上形成绝缘层。4.如权利要求3所述的修复系统，其特征在于，所述开关为可滑动至所述第一中通孔处或所述第二中通孔处的中空的滑件。5.如权利要求2-4任一项所述的修复系统，其特征在于，所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的上方，所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正上方；或者，所述第一反应腔室位于所述第二反应腔室的下方，所述第一中通孔位于所述第二中通孔的正下方。6.如权利要求5所述的修复系统，其特征在于，还包括：位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的上方用于发射穿过所述第一中通孔和所述第二中通孔的激光的激光器。7.如权利要求2-4任一项所述的修复系统，其特征在于，还包括：位于所述第一反应腔室和所述第二反应腔室的下方用于承载显示基板的机台；所述机台内设置有加热部件。8.一种信号线的修复方法，其特征在于，利用如权利要求1-7任一项所述的修复系统对信号线进行修复，包括：利用第一修复装置形成第一修复线，对在第一信号线与第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第一信号线进行修复；其中，所述第一信号线与所述第二信号线相互绝缘且所述第一信号线位于所述第二信号线的上方或下方；利用第二修复装置形成覆盖所述第一修复线的绝缘层；利用所述第一修复装置在所述绝缘层上形成第二修复线，对在所述第一信号线与所述第二信号线的交叉位置处发生断路的所述第二信号线进行修复。9.如权利要求8所述的修复方法，其特征在于，在利用第一修复装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪雯，王海涛，田牛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11