The invention relates to a safety film, which comprises a base layer; nano wire grid polarizer layer comprises a wire grid pattern; and at least one information identification layer, wherein the substrate layer, the nanowire grid polarizer layer and the information layer are laminated, such that the at least one information identification layer located in the inner surface between the selection from the outside surface, the base layer is in contact with the base layer and the nanowire grid polarizer layer and lateral position contact with the surface of the nano wire grid polarizer layer in at least one position. The invention can provide a high dimensional information storage medium through the manufacturing method of nano imprint via nano wire grid polarizing film and a variety of security components, which can prevent the illegal copy forgery and enhanced security.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】安全膜
本专利技术涉及一种具有增强的安全性的安全膜,更具体地涉及一种高维安全膜(high-dimensionalsecurityfilm),在所述高维安全膜中用于显示偏振和透射效应的纳米图案化技术被应用于包括各种安全元件的信息识别层。
技术介绍
随着最近进入诸如伪造、复写、复制和未经授权使用的高级非法技术的增长的以及在各种领域需要完全安全的时代,不能通过使用简单识别装置的单因素安全技术来防止或消除非法活动。因此,不再单独使用单个安全技术,而是组合使用两个或更多识别装置,并且一起使用诸如全息图、变色油墨、水印、荧光材料、精细字符(finecharacter)、RFID标签和液晶化合物的识别装置,并且对它们进行开发以确保进一步增强的安全性。特别地,通过复杂的过程制造全息图,从而难以一致地复制信息,并且银行和信用卡采用全息图来防止伪造,而且全息图还被用作防止非法复制各种书和带的手段。此外,如题为“包括数字水印图像的防伪全息图薄膜及其制造方法”的韩国专利No.0736481、题为“RFID组合型全息图和安全系统”的韩国专利申请公开No.2012-0077845以及题为“防伪介质”的日本专利No.05380007所公开的,已经积极开发了使用基于全息技术的各种安全元件的技术。同时,当前主要使用的偏振器(polarizer)可以包括使用吸收性偏振膜的偏振器和线栅偏振器。线栅偏振器(WGP)表示其中金属线彼此平行排布的阵列,并且用于仅透射或反射电磁波中的特定偏振光。使用吸收性偏振膜的偏振器能够仅透射50%的入射光,而WGP能够反射与金属线平行的偏振分量并透射与其垂直的偏振 ...
【技术保护点】
一种安全膜,包括:基底层;包括线栅图案的纳米线栅偏振器层;以及至少一个信息识别层,其中,所述基底层、所述纳米线栅偏振器层和所述信息识别层被层叠,使得所述至少一个信息识别层被设置在选自所述基底层的外表面上的位置、所述基底层与所述纳米线栅偏振器层之间的位置以及所述纳米线栅偏振器层的外表面上的位置中的至少一个位置上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.05 KR 10-2014-01189901.一种安全膜,包括:基底层;包括线栅图案的纳米线栅偏振器层;以及至少一个信息识别层,其中,所述基底层、所述纳米线栅偏振器层和所述信息识别层被层叠,使得所述至少一个信息识别层被设置在选自所述基底层的外表面上的位置、所述基底层与所述纳米线栅偏振器层之间的位置以及所述纳米线栅偏振器层的外表面上的位置中的至少一个位置上。2.根据权利要求1所述的安全膜,其中,所述纳米线栅偏振器层的所述线栅图案满足以下性质:(a)线栅的高度:25nm至300nm;(b)所述线栅的线宽:5nm至75nm;(c)高宽比(所述线栅的高度/线宽):0.1至3.0;以及(d)所述线栅的节距:50nm至150nm。3.根据权利要求1所述的安全膜,其中,所述线栅图案包括选自由铝、铜、铬、铂、金、银、镍及它...
【专利技术属性】
技术研发人员:南时旭,金京和,金珍渶,金钟沅,
申请(专利权)人:可隆工业株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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