The invention discloses a method for preparing tungsten doped diamond film, which comprises the following steps: (1) the substrate in an acetone, alcohol and deionized water as strict ultrasonic cleaning on the stage. (2) tungsten, W and graphite C two targets were placed on two target substrates respectively, respectively. (3) through the argon, glow discharge, Ar+ ion bombardment target, in order to remove the target surface impurities and oxides. (4) heating substrate 200C DEG 400C DEG in before coating. (5) in the process of coating, the film is coated on the C target, then transferred to the W target, and then transferred to the C target, so repeated, to achieve the preparation of high-performance W doped DLC films.
【技术实现步骤摘要】
一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种钨W掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其主要用于航空航天领域，涉及到器件的磨损，硬度等方面，属于薄膜与器件领域。
技术介绍
类金刚石DLC是一种主要由sp3和sp2键组成的混杂亚稳态碳材料。由于具有与金刚石膜（DF）相类似的性能--优异的机械特性、电学特性、光学特性、热学和化学特性等等，因此得到国内外较多人员的极大兴趣。对于类金刚石薄膜来说，金刚石相（sp3）含量的多少直接决定着薄膜的强度，但如果单纯的只含有sp3相其相应内应力也较大，不利于后续薄膜在器件上的使用。国内外较多学者通过掺杂在不减少sp3含量的情况下能很有效的降低薄膜的内应力。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，通过适量的W掺杂在不改变薄膜sp3含量的情况下大幅降低薄膜的内应力，以利于薄膜在器件中的使用。本专利技术采用了一下技术方案：一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）选用玻璃为衬底材料，分别用丙酮、酒精、去离子水对衬底进行严格的超声波清洗，以达到去除衬底表面杂质和油污等，并用热风吹干；（2）溅射腔室中分别采用钨W、石墨C为单独靶材；（3）用Ar+离子轰击靶材3-5分钟，达到清洗和活化靶材的目的；（4）把经过清洗的衬底放入溅射腔室，对衬底进行加温，温度在200°-400°衬底加热，目标是为了掺杂物更好的掺入到类金刚石薄膜中；（5）在溅射腔室真空度抽至10-5Pa时，通入氩气，使钨W、石墨C两靶同时起辉，进行3-5分钟的预溅射，除去两靶材表面的杂质、污物；（6）进行溅射镀膜时，将衬底在两靶材...
【技术保护点】
一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）选用玻璃为衬底，分别用丙酮、酒精、去离子水对衬底进行超声波清洗，以去除衬底表面杂质和油污，然后并用热风吹干；（2）溅射腔室中采用钨W、石墨C为单独靶材；（3）用Ar
【技术特征摘要】
1.一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）选用玻璃为衬底，分别用丙酮、酒精、去离子水对衬底进行超声波清洗，以去除衬底表面杂质和油污，然后并用热风吹干；（2）溅射腔室中采用钨W、石墨C为单独靶材；（3）用Ar+离子轰击靶材3-5分钟，以清洗和活化靶材；（4）把经过清洗的衬底放入溅射腔室，对衬底进行加温，温度在200C°-400C°；（5）在溅射腔室真空度抽至10-5Pa时，通入氩气，使钨W、石墨C两靶同时起辉，进行3-5分钟的预溅射，除去两靶材表面的杂质、污物；（6）进行溅射镀膜时，将衬底在两靶材溅射位置上分别进行分层磁控溅射镀膜，即C靶-W靶-C靶-W靶-C靶的位置上如此反复磁控溅射镀膜，进行溅射镀膜时两靶材的工艺参数分...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，沈洪雪，甘治平，李刚，姚婷婷，杨勇，金克武，
申请(专利权)人：蚌埠玻璃工业设计研究院，中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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