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一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机制造技术

技术编号:15515359 阅读:234 留言:0更新日期:2017-06-04 06:48
本发明专利技术公开了一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机,包括定子和转子;定子包括定子铁心和电枢绕组,该电枢绕组采用分数槽集中绕组,按照相序依次排列;转子包括转子铁心、高矫顽力永磁体和低矫顽力永磁体;本发明专利技术所述的变极记忆电机在变极前后无需改变绕组连接方式,只需交换其中两相的相序即可;在变极过程中,通过在电枢绕组施加不同方向的直轴电流脉冲改变低矫顽力永磁体的磁化方向,从而实现电机极数的改变,通过变极调速可以拓宽永磁电机的速度范围,并且可以有效降低电机在高速区的铁耗,提高电机在高速区的运行效率。

【技术实现步骤摘要】
一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机
本专利技术涉及一种不需改变绕组连接方式的分数槽集中绕组变极记忆电机,属于电机设计领域。
技术介绍
变极调速技术广泛用于感应电机调速中,由于感应电机的功率密度和效率相对较低,变极永磁电机具有更有广泛的应用价值。然而,对于传统永磁电机,由于永磁材料固有属性的限制,电机内的气隙磁场基本保持恒定,其调磁相对困难。永磁记忆电机(以下简称“记忆电机”)是一种新型的可变磁通永磁电机,它采用低矫顽力铝镍钴永磁体,通过定子绕组或者磁化绕组改变永磁体的磁化状态。而变极记忆电机,不仅具有记忆电机的特点,而且通过变极控制进一步扩大该种电机的速度范围,并且在高速区显著降低电机的铁耗,从而提高电机的效率。变极记忆电机(Pole-changingmemorymachine,PCMM)最初由克罗地亚裔德国电机学者奥斯托维奇(Ostovic)教授在2001年提出,这种电机拓扑结构中定子部分安装两套分布式绕组,分别采用54槽8极和6极连接方式;转子部分采用32块辐条式永磁体,当磁化不同数量的永磁体时电机工作在不同极数模式。然而,由于定子采用两套电枢绕组,在不同极数模式时对应的只有一套绕组工作,另外一套绕组处于开路状态,定子槽空间利用率较低,降低电机的转矩输出能力;同时,由于没有合理设置转子永磁体数量,当电机运行模式由8极模式切换到6极模式时,无法保证磁路的对称性,从而降低电机在变极后的电磁性能。此外,由于采用单一铝镍钴永磁体设计,电机生产制造成本较高,电机的力能指标较低。日本学者KazutoSakai等人将变极技术与磁阻电机概念融入永磁电机设计,提出一种新型PCMM电机。通过调控AlNiCo永磁体的磁化状态,该电机可以运行在8极模式、4极模式和4极磁阻电机模式,实现2:1:1变极。该电机定子槽安装一套48槽双层分布式整数槽绕组,转子铁心嵌入单一AlNiCo永磁体,通过施加不同的磁化电流脉冲,改变AlNiCo永磁体的磁化状态,从而实现电机三种运行模式的切换。当转子AlNiCo永磁体的磁化方向一致时,电机工作在8极模式;当每对AlNiCo永磁体与相邻的AlNiCo永磁体磁化方向相反时,电机工作在4极模式;当AlNiCo永磁体完全退磁时,该电机运行在4极磁阻电机模式。由于采用分布式整数槽绕组设计,电机端部漏抗较大,加工制造成本相对较高。香港大学的邹国棠等将变极技术与定子永磁型电机设计方法相结合,提出两种定子永磁型PCMM拓扑,该种定子采用两套绕组,分别为电枢绕组和磁化绕组。通过在磁化绕组中通入直流电流脉冲,可以实时控制永磁体磁化方向。该类电机可以采用单一AlNiCo永磁体,该种结构具有较宽的调磁范围,而且易于实现变极;也可以采用混合永磁结构设计,可以减小永磁体用量,从而降低电机制造成本。综合国内外的研究现状,现有变极记忆电机的研究基本处于探索阶段,其结构设计还不够理想,电机变极前后控制复杂,特别是变极后电磁性能降低。因此,如果能针对国内外研究存在的不足,对新型变极记忆电机优化设计,则可以显著PCMM的性能,进一步推广变极永磁电机的应用。
技术实现思路
专利技术目的:提供一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机,该变极记忆电机在变极前后不需要改变绕组内部的连接方式,对于三相电机只需要交换任意两相的相序即可,五相电机绕组相序也无需改变;同时转子采用混合永磁设计,并且低矫顽力磁极数和高矫顽力永磁体磁极数相等,并具有一定的调磁能力。技术方案:一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机,包括定子和转子;定子包括定子铁心和电枢绕组,定子铁心包括定子轭和向中心方向凸出的定子齿,相邻的定子齿之间设有电枢槽,用于置放缠绕在定子齿上的电枢绕组,该电枢绕组采用分数槽集中绕组,按照相序依次排列;转子包括转子铁心和内嵌于转子铁心的高矫顽力永磁体与低矫顽力永磁体,所述转子铁心包括转子轭、设置在转子铁芯上的内嵌式低矫顽力永磁体孔槽和内嵌式高矫顽力永磁体孔槽,所述低矫顽力永磁体孔槽和高矫顽力永磁体孔槽沿转子径向均匀分布。所述变极记忆电机的定子和转子可以是同轴设置且由外到内依次套接,转子设于定子铁心的定子齿围成的空间内。作为优选,所述低矫顽力永磁体孔槽的厚度大于高矫顽力永磁体孔槽的厚度,每种孔槽均成对出现,成对相间排列,并且两种孔槽的数量相等。作为优选,所述低矫顽力永磁体的厚度大于高矫顽力永磁体的厚度,每种永磁体均成对出现,成对相间排列,并且两种永磁体的数量相等。作为优选,所述定子铁心和转子铁心均由若干独立的硅钢片叠压制成。作为优选,所述高矫顽力永磁体由钕铁硼(NdFeB)永磁材料制成,低矫顽力永磁体由铝镍钴(AlNiCo)永磁材料制成。作为优选,所述高矫顽力永磁体和低矫顽力永磁体均采用“一”字形安装。作为优选,所述电机结构满足关系:其中,P1表示变极前的极数,P2表示变极后的极数,Q为定子齿的个数,k为系数,k=1,2,3,…,m为电机的相数。作为优选,所述变极记忆电机的定子可以采用闭口槽、半口槽或者添加磁楔的方式,有利于避免低矫顽力永磁体的局部退磁,并提高反电动势的正弦性,降低转矩脉动,实现电机的无位置传感器运行。一对高矫顽力永磁体组成一个高矫顽力永磁体单元,一对低矫顽力永磁体组成一个低矫顽力永磁体单元,两种永磁体单元数相等,相间排列。例如:某所述变极记忆电机包含两个高矫顽力永磁体单元与两个低矫顽力永磁体单元,它们的排列顺序为:一个高矫顽力永磁体单元、一个低矫顽力永磁体单元、一个高矫顽力永磁体单元、一个低矫顽力永磁体单元。另外,提供一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机,包括定子和转子;定子包括定子铁心和电枢绕组,定子铁心包括定子轭和向中心方向凸出的定子齿,相邻的定子齿之间设有电枢槽,用于置放缠绕在定子齿上的电枢绕组,该电枢绕组采用分数槽集中绕组,按照相序依次排列;转子包括转子铁心和内嵌于转子铁心的第一永磁材料与第二永磁材料,所述转子铁心包括转子轭、设置在转子铁芯上的内嵌式第二永磁材料孔槽和内嵌式第一永磁材料孔槽,第二永磁材料孔槽和第一永磁材料孔槽沿转子径向均匀分布;所述第一永磁材料的矫顽力大于第二永磁材料的矫顽力。所述变极记忆电机的定子和转子可以是同轴设置且由外到内依次套接,转子设于定子铁心的定子齿围成的空间内。作为优选,所述第二永磁材料孔槽的厚度大于第一永磁材料孔槽的厚度,且均成对出现,成对相间排列,并且两种永磁体的数量相等。作为优选,所述第二永磁材料的厚度大于第一永磁材料的厚度,每种永磁体均成对出现,成对相间排列,并且两种永磁体的数量相等。作为优选,所述定子铁心和转子铁心均由若干独立的硅钢片叠压制成。作为优选,所述第一永磁材料由钕铁硼(NdFeB)制成,第二永磁材料由铝镍钴(AlNiCo)制成。作为优选,所述第一永磁材料和第二永磁材料均采用“一”字形安装。作为优选,所述电机结构满足关系:其中,P1表示变极前的极数,P2表示变极后的极数,Q为定子齿的个数,k为系数,k=1,2,3,…,m为电机的相数。作为优选,所述变极记忆电机的定子可以采用闭口槽、半口槽或者添加磁楔的方式,有利于避免第二永磁材料的局部退磁,并提高反电动势的正弦性,降低转矩脉动,实现电机的无位置传感器运行。一对第一永磁体组成一个第一永磁本文档来自技高网
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一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机

【技术保护点】
一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机,其特征在于,包括定子和转子;定子包括定子铁心(1)和电枢绕组(2),定子铁心包括定子轭和向中心方向凸出的定子齿,相邻的定子齿之间设有电枢槽,用于置放缠绕在定子齿上的电枢绕组,该电枢绕组采用分数槽集中绕组,按照相序依次排列;转子包括转子铁心(3)和内嵌于转子铁心的高矫顽力永磁体(4)与低矫顽力永磁体(5),所述转子铁心包括转子轭、设置在转子铁芯上的内嵌式低矫顽力永磁体孔槽(3.1)和内嵌式高矫顽力永磁体孔槽(3.2),所述低矫顽力永磁体孔槽和高矫顽力永磁体孔槽沿转子径向均匀分布。

【技术特征摘要】
1.一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机,其特征在于,包括定子和转子;定子包括定子铁心(1)和电枢绕组(2),定子铁心包括定子轭和向中心方向凸出的定子齿,相邻的定子齿之间设有电枢槽,用于置放缠绕在定子齿上的电枢绕组,该电枢绕组采用分数槽集中绕组,按照相序依次排列;转子包括转子铁心(3)和内嵌于转子铁心的高矫顽力永磁体(4)与低矫顽力永磁体(5),所述转子铁心包括转子轭、设置在转子铁芯上的内嵌式低矫顽力永磁体孔槽(3.1)和内嵌式高矫顽力永磁体孔槽(3.2),所述低矫顽力永磁体孔槽和高矫顽力永磁体孔槽沿转子径向均匀分布。2.根据权利要求1所述的一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机,其特征在于,所述低矫顽力永磁体孔槽的厚度大于高矫顽力永磁体孔槽的厚度,每种孔槽均成对出现,成对相间排列,并且两种孔槽的数量相等。3.根据权利要求2所述的一种不改变绕组排布的分数槽集中绕组变极记忆电机,其特征在于,所述低矫顽力永磁体的厚度大于高矫顽力永磁体的...

【专利技术属性】
技术研发人员:林鹤云王东阳辉王克羿房淑华黄允凯
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:江苏,32

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