一种有机发光二极管、显示基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机发光二极管、显示基板及显示装置，该有机发光二极管包括：阳极、有机层、阴极以及设置于与所述阴极和所述有机层之间的阴极修饰层，所述阴极修饰层能够降低阴极和有机层之间的界面势垒，提高阴极到有机层的电子注入能力，从而提高有机发光二极管的效率，降低有机发光二极管功耗。

Organic light emitting diode, display substrate and display device

The present invention provides an organic light-emitting diode, display substrate and display device, the organic light emitting diode includes an anode, an organic layer, and the cathode arranged between the cathode and the cathode and the organic layer of the modified layer, the buffer layer can reduce the cathode and the interface barrier layer between the machine, increasing the cathode the organic layer to electronic injection capability, so as to improve the efficiency of organic light emitting diode, reduce the power consumption of the organic light emitting diode.

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光二极管、显示基板及显示装置
本专利技术涉及有机发光二极管
，尤其涉及一种有机发光二极管、显示基板及显示装置。
技术介绍
目前，OLED(有机发光二极管)器件通常由阳极、有机层和阴极(Cathode)等组成。由于阴极与有机层之间存在界面势垒，电子注入能力不高，影响了OLED器件的效率和功耗。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种有机发光二极管、显示基板及显示装置，用于解决现有的有机发光二极管器件的阴极与有机层之间存在界面势垒，电子注入能力不高，影响了有机发光二极管器件的效率和功耗的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种有机发光二极管，包括：阳极、有机层和阴极，其特征在于，还包括：设置于与所述阴极和所述有机层之间的阴极修饰层，所述阴极修饰层能够降低阴极和有机层之间的界面势垒。优选地，所述阴极修饰层采用金属和金属氟化物的掺杂材料形成。优选地，金属和金属氟化物的掺杂材料中，金属的掺杂比例高于金属氟化物的掺杂比例。优选地，所述阴极修饰层的厚度为2～5nm。优选地，所述阴极修饰层采用金属氟化物形成。优选地，所述金属氟化物的厚度为0.5nm～1.5nm。优选地，所述金属为以下任意一种或多种的组合：Cs、Rb、K、Sr、Yb、Ce、Pr、Sm、Na、Eu、Ba，Ca、Li、Tb、Ge或Y。优选地，所述金属氟化物为以下任意一种或多种的组合：LiF、NaF、KF、RbF或CsF。本专利技术还提供一种有机发光二极管显示基板，包括上述有机发光二极管。本专利技术还提供一种有机发光二极管显示装置，包括上述有机发光二极管显示基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：在有机发光二极管的阴极和有机层之间增加阴极修饰层，用于降低阴极与有机层之间的界面势垒，提高阴极到有机层的电子注入能力，从而提高有机发光二极管的效率，降低有机发光二极管功耗。附图说明图1为本专利技术实施例一的有机发光二极管的结构示意图；图2为本专利技术实施例二的有机发光二极管的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。为解决现有的有机发光二极管器件的阴极与有机层之间存在界面势垒，电子注入能力不高，影响了有机发光二极管器件的效率和功耗的问题，本专利技术实施例提供一种有机发光二极管，包括：阳极、有机层和阴极，其特征在于，还包括：设置于与所述阴极和所述有机层之间的阴极修饰层，所述阴极修饰层能够降低阴极和有机层之间的界面势垒。本专利技术实施例中，在有机发光二极管的阴极和有机层之间增加阴极修饰层，用于降低阴极与有机层之间的界面势垒，提高阴极到有机层的电子注入能力，从而提高有机发光二极管的效率，降低有机发光二极管功耗。本专利技术实施例中，优选地，阴极可以采用金属或金属合金材料制成，例如Mg、Ag合金，Ca、Al合金，或Li、Al合金等。当然，在本专利技术的其他一些实施例中，阴极也可以采用ITO等透明氧化物导电材料制成。本专利技术实施例中，所述有机层除了发光层(EML)之外，还可以包括以下膜层中的任意一种或多种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。优选地，所述有机层包括：电子注入层和/或电子传输层，电子注入层和电子传输层均可以提高阴极到有机层的电子注入能力。本专利技术实施例中，所述阴极修饰层可以采用多种类型的导电材料制成，只要能够提高降低阴极与有机层之间的界面势垒，提高阴极到有机层的电子注入能力即可。优选地，本专利技术实施例中的阴极修饰层采用的材料中至少包括金属氟化物，金属氟化物与阴极、有机层可发生解离反应，生成自由基阴离子，同时还能形成界面偶极，降低阴极和有机层之间的界面势垒，提高阴极到有机层的电子注入能力。在本专利技术的一实施例中，所述阴极修饰层可以仅采用金属氟化物形成，金属氟化物在厚度较薄的情况下，也具有导电性能，优选地，本专利技术实施例中，所述金属氟化物的厚度为0.5nm～1.5nm。优选地，所述金属氟化物可以为以下材料中的任意一种或多种的组合：LiF、NaF、KF、RbF或CsF。在本专利技术的另一实施例中，所述阴极修饰层可以采用金属和金属氟化物的掺杂材料形成。所述金属可以为功函数低于预设阈值的金属，例如功函数低于3.1eV的金属，功函数较低的金属可以降低阴极和有机层之间的势垒，提高阴极到有机层的电子注入能力。优选地，所述金属可以为以下材料中的任意一种或多种的组合：Cs、Rb、K、Sr、Yb、Ce、Pr、Sm、Na、Eu、Ba，Ca、Li、Tb、Ge或Y。优选地，所述金属氟化物可以为以下材料中的任意一种或多种的组合：LiF、NaF、KF、RbF或CsF。当阴极修饰层采用金属和金属氟化物的掺杂材料形成时金属和金属氟化物的掺杂材料中，金属的掺杂比例高于金属氟化物的掺杂比例，掺杂的金属氟化物的比例不能过高，否则会影响阴极修饰层的导电性能。优选地，所述阴极修饰层的厚度为2～5nm，阴极修饰层的厚度较薄，从而不影响有机发光二极管的整体厚度。本专利技术实施例还提供一种有机发光二极管显示基板，包括上述有机发光二极管。本专利技术实施例还提供一种有机发光二极管显示装置，包括上述有机发光二极管显示基板。本专利技术实施例还提供一种有机发光二极管的制作方法，用于制作上述有机发光二极管。下面将结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。实施例一请参考图1，图1为本专利技术实施例一的有机发光二极管的结构示意图，该有机发光二极管包括：阳极、有机层、阴极修饰层和阴极，其中，有机层包括：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层和电子注入层。本专利技术实施例中，阳极采用ITO材料形成，阴极采用金属或金属合金形成，阴极修饰层采用金属和金属氟化物的掺杂材料形成，阴极修饰层的厚度为2～5nm。阴极修饰层可以降低阴极与电子注入层之间的界面势垒，提高阴极到电子注入层的电子注入能力，从而提高有机发光二极管的效率，降低有机发光二极管功耗。实施例二请参考图2，图2为本专利技术实施例二的有机发光二极管的结构示意图，该有机发光二极管包括：阳极、有机层、阴极修饰层和阴极，其中，有机层包括：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层和电子传输层。本专利技术实施例中，阳极采用ITO材料形成，阴极采用金属或金属合金形成，阴极修饰层采用金属和金属氟化物的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管，包括：阳极、有机层和阴极，其特征在于，还包括：设置于与所述阴极和所述有机层之间的阴极修饰层，所述阴极修饰层能够降低阴极和有机层之间的界面势垒。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，包括：阳极、有机层和阴极，其特征在于，还包括：设置于与所述阴极和所述有机层之间的阴极修饰层，所述阴极修饰层能够降低阴极和有机层之间的界面势垒。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阴极修饰层采用金属和金属氟化物的掺杂材料形成。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，金属和金属氟化物的掺杂材料中，金属的掺杂比例高于金属氟化物的掺杂比例。4.根据权利要求2或3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阴极修饰层的厚度为2～5nm。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阴极修饰层采用金属氟化物形成。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴海东，罗昶，孔超，郑克宁，于成生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11