有机发光二极管装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种有机发光二极管装置。所述发光二极管装置包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括至少一层掺杂阻隔层。本发明专利技术提供的有机发光二极管装置，水氧阻隔能力优、厚度薄、且薄膜热应力低。

Organic light emitting diode device

The invention discloses an organic light emitting diode device. The light emitting diode device comprises a substrate, the OLED unit is arranged on the substrate and the substrate connection and packaging structure used for packaging the OLED unit, which is characterized in that the package structure comprises at least one layer of doped barrier layer. The organic light-emitting diode device provided by the invention has the advantages of excellent oxygen and water barrier capacity, low thickness and low thermal stress of the film.

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管装置
本专利技术涉及发光二极管
，具体涉及一种有机发光二极管装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)装置可以作为显示装置及照明装置的发光来源。所述有机发光二极管装置主要包括基板、设于所述基板上的OLED单元及用于封装所述OLED单元的封装结构。所述封装结构的作用是用于阻隔水氧分子渗透，而防止所述OLED单元损坏。OLED单元封装通常采用两种方式，一种是采用封装盖封装技术，另一种是采用薄膜封装技术。其中封装盖封装技术是通过在封装盖上进行点胶工艺，然后将该封装盖与导电基板进行精确对位和预贴合，形成盒板，再将盒板进行紫外光固化，形成固态薄膜。形成的有机发光二极管装置具有优良的水氧气体阻隔能力，WVTR<10E-6g/m2/天，但具有如下缺陷：厚度较厚，可达0.5-0.7mm，工艺较复杂，制备工艺所需的高温条件可能对OLED单元的阴极产生影响，且得到的有机发光二极管装置具有柔韧性差的特点，不可弯折。薄膜封装技术较封装盖封装技术具有轻薄、易弯折的特点，在OLED封装技术中得到越来越广泛的应用。相关技术中，薄膜封装结构包括在基板上沉积第一层无机薄膜，在所述第一层无机薄膜形成的有机薄膜，在该有机薄膜外表面沉积第二层无机薄膜。其中无机薄膜是通过CVD成膜工艺形成，具体是由等离子电浆引发的化学气相反应，活性分子在基板上扩散和吸附形成岛状物从而形成连续薄膜，该工艺难免会产生针孔和间隙，从而降低其水汽阻隔能力。为了解决该缺陷，需要增加有机薄膜的厚度来增强水氧阻隔能力，因此，该工艺成型的封装结构厚度较厚，超过15μm。另外，因无机薄膜成型的缺陷，会产生不可避免的晶体应力，进一步造成产品信赖性降低，阻碍更高级柔性OLED产品的发展应用因此，有必要提供一种新的薄膜封装技术解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述技术问题，提供一种水氧阻隔能力优、厚度薄、且薄膜热应力低的采用薄膜封装技术形成的有机发光二极管装置。本专利技术的技术方案是：一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，所述封装结构包括至少一层掺杂阻隔层。优选的，所述封装结构还包括有机高分子层，所述掺杂阻隔层沉积于所述OLED单元外表面，所述有机高分子层形成于所述掺杂阻隔层外表面；或所述有机高分子层沉积于所述OLED单元外表面，所述掺杂阻隔层形成于所述有机高分子层外表面。优选的，设定所述掺杂阻隔层的层数为X，所述有机高分子层的层数为Y，X与Y的关系如下：X＝n，Y＝n-1、n或n+1；其中n＝1，2，3……自然数；所述掺杂阻隔层与所述有机高分子层交替排列。优选的，所述掺杂阻隔层由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成。优选的，所述掺杂阻隔层由至少两种氮化物掺杂形成或至少两种氧化物掺杂形成或至少两种硫化物掺杂形成。优选的，所述掺杂阻隔层由两种陶瓷氧化物掺杂形成，两种所述陶瓷氧化物的质量比为0.1：0.99-0.99:1。优选的，所述陶瓷氧化物为MO，其中M选自IIA、IIA、IVA、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IIB族元素或稀土元素。优选的，所述掺杂阻隔层的厚度为1A-10μm。优选的，所述掺杂阻隔层通过热蒸镀或磁控溅射方式沉积形成。优选的，所述有机高分子层通过旋涂高分子材料后固化或压合形成。与相关技术相比，本专利技术提供的有机发光二极管装置，具有如下有益效果：一、所述有机发光二极管装置的封装结构包括至少一层掺杂阻隔层，当其中一种物质形成的薄膜出现固有缺陷后，另一种物质形成的薄膜能够弥补不良，从而改善封装结构的微观结构，实现减少膜结构中出现的针孔等现象。二、所述掺杂阻隔层由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成，不同晶格的材料掺杂将有利于降低材料间热特性的失配度，从而降低成型后的薄膜热应力。三、所述掺杂阻隔层的渗透率满足公式：1/P＝1/PA+1/PB，其中P表示所述掺杂阻隔层的渗透率，PA、PB分别表示不同物质的形成的薄膜的渗透率，通过该公式可以看出，所述掺杂阻隔层的渗透率小于相关技术中单膜结构的无机薄膜渗透率。【附图说明】图1为本专利技术提供的有机发光二极管装置的实施例一的结构示意图；图2为本专利技术提供的有机发光二极管装置的实施例二的结构示意图；图3为本专利技术提供的有机发光二极管装置的实施例三的结构示意图；图4为本专利技术提供的有机发光二极管装置的实施例四的结构示意图；图5为本专利技术提供的有机发光二极管装置的实施例五的结构示意图；图6为本专利技术提供的有机发光二极管装置中掺杂阻隔层的一种结构示意图；图7为本专利技术提供的有机发光二极管装置中掺杂阻隔层的另一种结构示意图。【具体实施方式】下面将结合附图和实施方式对本专利技术作进一步说明。实施例一请参阅图1，为本专利技术提供的有机发光二极管装置的实施例一的结构示意图。所述有机发光二极管装置100包括基板11、设于所述基板11的OLED单元12及封装结构13，所述封装结构13与所述基板11连接，用于封装所述OLED单元12。所述基板11为刚性衬底或柔性衬底，其中刚性衬底为玻璃、硅片或其它刚性材料；柔性衬底为塑料衬底、铝箔、超薄金属或超薄玻璃。所述OLED单元12包括依次叠设的导电阳极、空穴传输部、发光层、电子传输部以及阴极，所述阴极与所述导电阳极电连接。所述封装结构13为一层掺杂阻隔层131，所述掺杂阻隔层131沉积于所述OLED单元外表面，并与所述基板11粘结。所述掺杂阻隔层131由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成。所述掺杂阻隔层131通过真空热蒸镀或磁控溅射方式沉积，其厚度为1A-10μm。请结合参阅图6，为本专利技术提供的有机发光二极管装置中掺杂阻隔层的一种结构示意图。图中，不同物质分别用不同的图案表示。所述掺杂阻隔层131由两种物质掺杂形成，其中一种物质均匀分散在另一种物质内，形成薄膜。优选的，掺杂形成所述掺杂阻隔层131的两种物质属于同类型物质，如同为氮化物、或同为氧化物、或同为硫化物。当然，两种物质也可以属于不同类型物质。优选的，掺杂形成所述掺杂阻隔层131的两种物质为陶瓷氧化物MO，其中M选自IIA、IIA、IVA、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IIB族元素或稀土元素。两种陶瓷氧化物的质量比为0.1:0.99-0.99:1，可以根据制备工艺中两种物质的输入功率控制其混合比例。请结合参阅图7，为本专利技术提供的有机发光二极管装置中掺杂阻隔层的另一种结构示意图。图中，不同物质分别用不同的图案表示。所述掺杂阻隔层131由三种物质掺杂形成，同理，掺杂形成所述掺杂阻隔层131三种物质可以为同类型物质，也可以为不同类型物质。实施例二请参阅图2，为本专利技术提供的有机发光二极管装置的实施例二的结构示意图。所述有机发光二极管装置200包括基板21、设于所述基板21的OLED单元22及封装结构23，所述封装结构23与所述基板21连接，用于封装所述OLED单元22。所述基板21的结构和特性对实施例一中的基板11相同；所述OLED单元22的结构和位置关系于实施例一中的所述OLED单元12相同，在此不做赘述。所述封装结构23包括掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括至少一层掺杂阻隔层。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括至少一层掺杂阻隔层。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述封装结构还包括有机高分子层，所述掺杂阻隔层沉积于所述OLED单元外表面，所述有机高分子层形成于所述掺杂阻隔层外表面；或所述有机高分子层沉积于所述OLED单元外表面，所述掺杂阻隔层形成于所述有机高分子层外表面。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，设定所述掺杂阻隔层的层数为X，所述有机高分子层的层数为Y，X与Y的关系如下：X＝n，Y＝n-1、n或n+1；其中n＝1，2，3……自然数；所述掺杂阻隔层与所述有机高分子层交替排列。4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述掺杂阻隔层由氮化物、氧化物、硫化物中至少两种物质掺杂形成。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：谢再锋，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32