一种双面LED灯板及其制造方法技术

本发明专利技术属于LED照明领域，特别涉及一种双面LED灯板，其包括一基板和设置在基板正反两面上的LED芯片和电路，基板设置有贯穿正反两面的至少一个通孔，基板正反两面上的电路通过通孔相互连接，基板为一体结构的复合陶瓷基板。该种双面LED灯板采用一体结构的复合陶瓷基板，结构简单、制造工艺简单、热阻小、散热性能极佳；双面安装LED芯片，并经由开设在一体结构的复合陶瓷基板上的通孔实现正反两面上的电路的连接，从而实现灯板的双面发光。

Double sided LED lamp plate and manufacturing method thereof

The invention belongs to the field of LED lighting, in particular to a two-sided LED lamp panel, which comprises a substrate disposed on the substrate and both sides on the LED chip and the circuit substrate is provided with at least one through hole on both sides, both sides of the circuit board are connected by vias, as one substrate composite ceramic substrate the structure of the. The double sided LED lamp panel adopts a composite ceramic substrate integrated structure, simple structure, simple manufacturing process, low thermal resistance, excellent heat dissipation performance; double LED chip is mounted, and through holes opened in the development of a composite ceramic substrate structure on the both sides of the circuit are connected so as to realize the double lamp panel light.

【技术实现步骤摘要】
一种双面LED灯板及其制造方法
本专利技术属于LED照明领域，特别涉及一种双面LED灯板及其制造方法。
技术介绍
现有技术的LED灯板大部分是单面的铝基或复合陶瓷基电路板，都是单面工艺，遇到要并联电路需要跨接导线的时候，一般都是用跳线贴片电阻跨接过去。然而跨接导线潜在隐患大，安全性低。中国实用型新专利CN204739549U公开了一种采用复合陶瓷铝基板的双面LED灯板，该种双面LED灯板在电路板的正反两面均安装有LED芯片，使得灯板能双面发光。该专利技术的双面灯板在铝基板上涂覆复合陶瓷涂层，利用铝基板的易机加工性在其上开口，同时利用复合陶瓷涂层来提高散热性能。但是这种双面LED灯板需要在铝基板上涂上复合陶瓷层，制造工艺较为复杂，成本高。另外，现有技术中存在一种采用复合陶瓷材料一体制成的LED灯板，但由于陶瓷本身脆硬的特性，无法进行机械加工，例如钻孔等，因此，以复合陶瓷材料为基板的LED灯板一般为单面LED灯板。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种双面LED灯板，该种双面LED灯板的基板由陶瓷材料一体结构制成，摒弃了现有LED灯板的多层复合结构，使基板结构得到进一步简化，降低了结构整体热阻，提高了导热性能，同时能够在陶瓷基板上开口从而双面安装LED芯片以实现双面发光，还提供了制造该双面LED灯板的制造方法。为了达到上述目的之一，本专利技术是这样实现的：一种双面LED灯板，包括一基板和设置在所述基板正反两面上的LED芯片和电路，所述基板设置有贯穿正反两面的至少一个通孔，所述基板正反两面上的电路通过所述通孔相互连接，所述基板为一体结构的复合陶瓷基板。进一步的，所述复合陶瓷基板包括长条状的主体部分和长条状的连接部分，所述连接部分与所述主体部分组成“y”形的结构；所述主体部分用于安装所述LED芯片，所述连接部分包括第一端部和第二端部，所述第一端部用于安装固定所述复合陶瓷基板，所述第二端部连接至所述主体部分的中部。进一步的，所述复合陶瓷基板设置有两个通孔，该两个所述通孔设置在所述连接部分并靠近所述第一端部，该两个所述通孔分别作为所述电路的正极连接点和负极连接点。进一步的，所述电路的正极连接点设置在所述复合陶瓷基板的其中一面，所述电路的负极连接点设置在所述复合陶瓷基板的另一面，所述正极连接点和所述负极连接点均设置在所述连接部分并靠近所述第一端部；所述复合陶瓷基板的正反两面的电路的电流环路方向相反。进一步的，所述复合陶瓷基板由复合陶瓷材料制得，所复合陶瓷材料包括改性聚硅氧烷60-70重量份、氧化铝和氮化铝的混合粉料30-40重量份和偶联剂1-3重量份；所述改性聚硅氧烷分子式为[RnSiO4-n/2]n，其中R为改性部分，是含有钛元素的基团或苯基。进一步的，所述改性聚硅氧烷为经钛酸酯改性的聚氧硅烷，钛酸酯占所述基团含量不超过1.8％，其他R基为1-3个碳原子的饱和烃。进一步的，所述偶联剂为钛酸酯偶联剂或硅烷偶联剂。进一步的，所述氧化铝和氮化铝的质量比为7:3，混合粉料的粒度1-3μm，纯度99％以上。进一步的，还包括1-3重量份的陶瓷性能助剂，所述陶瓷性能助剂选自氧化锆、二氧化钛、二氧化硅或云母中的一种或几种，粒度在10微米以内，纯度99％以上。为了达到上述目的之二，本专利技术是这样实现的：一种制造如权利要求1所述的双面LED灯板的方法，包括以下步骤，(1)制造复合陶瓷基板，并在复合陶瓷基板钻通孔；(2)采用银胶把LED芯片固定在复合陶瓷基板的一面，把复合陶瓷基板放入烘箱中进行烘烤，烘烤温度为130-150℃，烘烤时间为60-90min；然后在另一面重复该步骤；(3)采用金丝作为导线，把LED芯片的连接点与通孔电连接；(4)采用围坝胶在复合陶瓷基板的一面的LED芯片的外围点胶围坝，把复合陶瓷基板放入烘箱中进行烘烤，烘烤温度为150-180℃，烘烤时间为90-120min；然后在另一面重复该步骤；(5)采用荧光粉与透明胶按照1:15-1:20的比例进行混合得到荧光硅胶，把荧光硅胶填入围坝内并覆盖LED芯片，把复合陶瓷基板放入烘箱进行烘烤，烘烤温度为120-150℃，烘烤时间为150-180min；然后在另一面重复该步骤。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1、采用一体结构的复合陶瓷基板，结构简单、制造工艺简单、热阻小、散热性能极佳；2、双面安装LED芯片，并经由开设在一体结构的复合陶瓷基板上的通孔实现两个面上的电路连接，从而实现灯板的双面发光。附图说明图1是双面LED灯板的其中一种实施方式的正视图；图2是双面LED灯板的另一种实施方式的正视图；图3是双面LED灯板的侧视图；以及图4是双面LED灯板组装成LED灯芯时的示意图。具体实施方式图1至图4显示了本专利技术的一种双面LED灯板及其应用。下面将对这种双面LED灯板的结构、材质、应用方式、制造方法和特点做详细描述。基板这种双面LED灯板包括一体结构的复合陶瓷基板，而非一般复合陶瓷基板所具有的铝+陶瓷层状复合结构。优选地，复合陶瓷基板的材料可以是本申请人所持有的中国专利技术专利申请CN105565786A所公开的一种低温复合高导热陶瓷材料。申请人在对CN105565786A中该种低温复合高导热陶瓷材料作进一步研究时发现，采用该种低温复合高导热陶瓷材料所制得的复合陶瓷基板具有易钻孔、易进行表面金属化处理以及散热效果极佳，结合现有技术中双面LED灯板制造时所面临的问题，认为该种低温复合高导热陶瓷材料是制造双面LED灯板的基板的极佳选择。该种复合陶瓷材料包括改性聚硅氧烷60-70重量份、氧化铝和氮化铝的混合粉料30-40重量份和偶联剂1-3重量份；改性聚硅氧烷分子式为[RnSiO4-n/2]n，其中R为改性部分，是含有钛元素的基团或苯基。优选地，改性聚硅氧烷为经钛酸酯改性的聚氧硅烷，钛酸酯占基团含量不超过1.8％，其他R基为1-3个碳原子的饱和烃。优选地，述偶联剂为钛酸酯偶联剂或硅烷偶联剂。优选地，氧化铝和氮化铝的质量比为7:3，混合粉料的粒度1-3μm，纯度99％以上。优选地，还包括1-3重量份的陶瓷性能助剂，陶瓷性能助剂选自氧化锆、二氧化钛、二氧化硅或云母中的一种或几种，粒度在10微米以内，纯度99％以上。在本专利技术中未记载的与该种低温复合高导热陶瓷材料有关的优选配比以及该种低温复合高导热陶瓷材料的制造方法等可参考中国专利技术专利申请CN105565786A。基板上的芯片和电路复合陶瓷基板的正反两面均设置有LED芯片131和电路，LED芯片131连接电路。正反两面的LED芯片131可以不止有一个，优选地，每个面上的LED芯片有多个。借助于COB工艺安装在复合陶瓷基板上。在本实施例中，如图3所示，优选地，LED芯片131与复合陶瓷基板之间设置有银胶，银胶用于固定LED芯片131，并把LED芯片131产生的热量导到复合陶瓷基板。优选地，LED芯片131的外围通过围坝胶进行围坝，在围坝内填充荧光硅胶132，荧光硅胶132覆盖LED芯片131，根据不同的发光需要更换不同类型的荧光硅胶132。在本实施中，LED芯片131与通孔111之间通过金丝连接，当然，也可以在复合陶瓷基板的正反两面均直接复合电路层，例如通过蚀刻等工艺获得电路层。上述替换均落入本专利技术的保护范围之内。基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面LED灯板，包括一基板和设置在所述基板正反两面上的LED芯片和电路，所述基板设置有贯穿正反两面的至少一个通孔，所述基板正反两面上的电路通过所述通孔相互连接，其特征在于：所述基板为一体结构的复合陶瓷基板。

【技术特征摘要】
1.一种双面LED灯板，包括一基板和设置在所述基板正反两面上的LED芯片和电路，所述基板设置有贯穿正反两面的至少一个通孔，所述基板正反两面上的电路通过所述通孔相互连接，其特征在于：所述基板为一体结构的复合陶瓷基板。2.根据权利要求1所述的双面LED灯板，其特征在于：所述复合陶瓷基板包括长条状的主体部分和长条状的连接部分，所述连接部分与所述主体部分组成“y”形的结构；所述主体部分用于安装所述LED芯片，所述连接部分包括第一端部和第二端部，所述第一端部用于安装固定所述复合陶瓷基板，所述第二端部连接至所述主体部分的中部。3.根据权利要求2所述的双面LED灯板，其特征在于：所述复合陶瓷基板设置有两个通孔，该两个所述通孔设置在所述连接部分并靠近所述第一端部，该两个所述通孔分别作为所述电路的正极连接点和负极连接点。4.根据权利要求2所述的双面LED灯板，其特征在于：所述电路的正极连接点设置在所述复合陶瓷基板的其中一面，所述电路的负极连接点设置在所述复合陶瓷基板的另一面，所述正极连接点和所述负极连接点均设置在所述连接部分并靠近所述第一端部；所述复合陶瓷基板的正反两面的电路的电流环路方向相反。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的双面LED灯板，其特征在于：所述复合陶瓷基板由复合陶瓷材料制得，所复合陶瓷材料包括改性聚硅氧烷60-70重量份、氧化铝和氮化铝的混合粉料30-40重量份和偶联剂1-3重量份；所述改性聚硅氧烷分子式为[RnSiO4-n/2]n，其中R为改性部分，是含有钛元素的基团或苯基。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁天昊，董睿智，丁萍，
申请(专利权)人：广东昭信照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44