QLED及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种QLED，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层由氧化石墨烯衍生物制成，所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。所述QLED的制备方法，包括以下步骤：提供基板，在所述基板上沉积阳极，在所述阳极上沉积氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯层；在所述氧化石墨烯层上沉积量子点发光层，在所述量子点发光层上沉积氧化石墨烯衍生物，形成氧化石墨烯衍生物层；在所述氧化石墨烯衍生物层上沉积阴极。

QLED and preparation method thereof

The invention provides a QLED, including setting stacked in turn substrate, anode, graphite oxide layer, a light-emitting layer, quantum dot graphene oxide derivative layer and a cathode, wherein the graphene oxide derivative layer made of graphene oxide derivatives, the graphene oxide derivatives as the carboxyl proton graphene oxide in the graphene oxide derivatives of metal elements in all or part of the replacement. The preparation method of QLED, which comprises the following steps: providing a substrate, depositing on the substrate in the anode, the anode deposited on the graphene oxide aqueous solution, the formation of graphene oxide layer; deposition in the quantum dot graphene oxide layer on the emitting layer, the luminescent layer deposited on the graphene oxide derivatives in the quantum dots, the formation of graphene oxide derivatives in the cathode layer; deposition layer on the graphene oxide derivatives.

【技术实现步骤摘要】
QLED及其制备方法
本专利技术属于平板显示
，尤其涉及一种QLED及其制备方法。
技术介绍
半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质，被广泛应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记领域。经过二十多年的发展，量子点合成技术取得了显著的成绩，可以合成得到各种高质量的量子点纳米材料，其光致发光效率可以达到85％以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，以量子点为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100％的极限。然而，作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED，目前不论是在电光转换效率、还是在使用寿命上，都远低于红绿QLED，从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种QLED及其制备方法，旨在解决现有全彩显示QLED中，由于蓝色QLED电光转换效率不佳，影响全彩显示QLED器件效率的问题。本专利技术是这样实现的，一种QLED，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层由氧化石墨烯衍生物制成，所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。以及，一种QLED的制备方法，包括以下步骤：提供基板，在所述基板上沉积阳极，在所述阳极上沉积氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯层；在所述氧化石墨烯层上沉积量子点发光层，在所述量子点发光层上沉积氧化石墨烯衍生物，形成氧化石墨烯衍生物层；在所述氧化石墨烯衍生物层上沉积阴极。本专利技术提供的QLED，采用同一个体系的氧化石墨烯材料来同时提高电子传输和空穴传输性能，从而提高QLED器件的光电转化效率，特别是提高蓝光QLED器件的光电转化效率。具体的，所述氧化石墨烯层中的氧化石墨烯可以促进空穴的传输，而所述氧化石墨烯衍生物层中的氧化石墨烯衍生物，由于其边缘的羧基质子被金属元素替换，形成偶极矩，改变了氧化石墨烯衍生物的电子结构，进而赋予所述氧化石墨烯衍生物层优良的电子传输性能。且通过在一个QLED器件中采用同一个体系的氧化石墨烯材料同时提高空穴传输和电子传输性能，可以减少界面对QLED器件的影响，提高QLED器件性能。本专利技术提供的QLED的制备方法，所述氧化石墨烯层、所述氧化石墨烯衍生物层均可以采用溶液法制备获得，方法操作简单，成熟可控，易于实现产业化。附图说明图1是本专利技术实施例提供的QLED结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的QLED能带示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。结合图1、图2，本专利技术实施例提供了一种QLED，包括依次层叠设置的基板1、阳极2、氧化石墨烯层3、量子点发光层5、氧化石墨烯衍生物层7和阴极8，如图1所示，其中，所述氧化石墨烯衍生物层7由氧化石墨烯衍生物制成，所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。具体的，本专利技术实施例中，所述氧化石墨烯层3采用氧化石墨烯(GO)制成，可以促进空穴的传输。所述氧化石墨烯衍生物层7由氧化石墨烯衍生物制成，且所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。由于氧化石墨烯中的羧基质子特别是边缘的羧基质子被金属元素替换，形成偶极矩，改变了氧化石墨烯衍生物的电子结构，进而赋予所述氧化石墨烯衍生物层7优良的电子传输性能。优选的，所述氧化石墨烯衍生物包括GO-Cs、GO-Rb中的至少一种。具体的，所述GO-Cs为氧化石墨烯羧基(-COOH)、特别是边缘羧基(-COOH)的质子被Cs取代后得到的氧化石墨烯衍生物，所述GO-Rb为氧化石墨烯羧基(-COOH)、特别是边缘羧基(-COOH)的质子被Rb取代后得到的氧化石墨烯衍生物。该优选的氧化石墨烯衍生物，其金属元素有利于氧化石墨烯羧基质子的取代或置换，因此，具有更好的电子传输性能。优选的，所述氧化石墨烯层3的厚度为30-50nm。若所述氧化石墨烯层3的厚度过薄，其对空穴传输性能的提高有限，甚至不能提高空穴传输性能。由于空穴的迁移率有限，若所述氧化石墨烯层3的厚度过厚，会导致空穴还未迁移到所述氧化石墨烯层3就有大部分猝灭；且若所述氧化石墨烯层3太厚还会导致透光率降低。优选的，所述氧化石墨烯衍生物层7的厚度为30-60nm。若所述氧化石墨烯衍生物层7的厚度过薄，其对电子传输性能的提高有限，甚至不能提高电子传输性能。由于电子的迁移率有限，若所述氧化石墨烯衍生物层7的厚度过厚，会导致电子还未迁移到所述氧化石墨烯衍生物层7就有大部分猝灭；且若所述氧化石墨烯衍生物层7太厚还会导致透光率降低。在上述实施例的基础上，优选的，所述QLED还包括空穴传输层4、电子传输层6中的至少一层。作为具体优选实施例，如图2所示，所述QLED包括依次层叠设置的基板1、阳极2、氧化石墨烯层3、空穴传输层4、量子点发光层5、电子传输层6、氧化石墨烯衍生物层7和阴极8，其中，所述氧化石墨烯衍生物层7由GO-Cs、GO-Rb中的至少一种制成。上述实施例中，所述基板1的选择没有严格限制，可以采用硬质基板，如玻璃基板，也可以采用柔性基板。所述阳极2可以为ITO，当然，不限于此。所述空穴传输层4的空穴传输材料可以采用常规空穴传输材料，包括但不限于PEDOT:PSS，所述空穴传输层4的厚度为30-60nm。所述量子点发光层5可以采用常规的量子点发光材料制成，所述量子点发光层5的厚度为10-100nm。所述电子传输层6的电子传输材料可以采用常规的电子传输材料，包括但不限于n型氧化锌。所述电子传输层6的厚度为10-100nm。所述阴极8可以采用常规的阴极材料制备，包括金属银或金属铝。所述阴极8的厚度为60-120nm，更优选为100nm。本专利技术实施例提供的QLED，采用同一个体系的氧化石墨烯材料来同时提高电子传输和空穴传输性能，从而提高QLED器件的光电转化效率，特别是提高蓝光QLED器件的光电转化效率。具体的，所述氧化石墨烯层中的氧化石墨烯可以促进空穴的传输，而所述氧化石墨烯衍生物层中的氧化石墨烯衍生物，由于其边缘的羧基质子被金属元素替换，形成偶极矩，改变了氧化石墨烯衍生物的电子结构，进而赋予所述氧化石墨烯衍生物层优良的电子传输性能。且通过在一个QLED器件中采用同一个体系的氧化石墨烯材料同时提高空穴传输和电子传输性能，可以减少界面对QLED器件的影响，提高QLED器件性能。本专利技术实施例所述QLED可以通过下述方法制备获得。以及，一种QLED的制备方法，包括以下步骤：S01.提供基板，在所述基板上沉积阳极，在所述阳极上沉积氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯层；S02.在所述氧化石墨烯层上沉积量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层由氧化石墨烯衍生物制成，所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。

【技术特征摘要】
1.一种QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、量子点发光层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物层由氧化石墨烯衍生物制成，所述氧化石墨烯衍生物为氧化石墨烯中的羧基质子被金属元素部分或全部替换后的氧化石墨烯衍生物。2.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯衍生物包括GO-Cs、GO-Rb中的至少一种。3.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯层的厚度为30-50nm。4.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯衍生物层的厚度为30-60nm。5.如权利要求1-4任一所述的QLED，其特征在于，还包括空穴传输层、电子传输层中的至少一层。6.如权利要求1所述的QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阳极、氧化石墨烯层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、氧化石墨烯衍生物层和阴极，其中，所述氧化石墨烯衍生物...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳，曹蔚然，向超宇，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44