The invention provides a LED preparation method, a LED and a chip, belonging to the technical field of light-emitting diodes. The method includes: U type gallium nitride layer and the N type gallium nitride layer sequentially growing on the substrate; a M quantum well structure, followed by growth in the N type gallium nitride layer on which the quantum well structure including quantum well layer and a cap layer and a barrier layer, wherein M is an integer of 10 or more of; quantum well M quantum well structure Q quantum well structure in the layer of low pressure separation treatment, among them, Q is less than or equal to an integer of M; in the quantum well structure on the growth of the P type gallium nitride layer. The LED preparation method, the LED and the chip provided by the invention improve the uniformity of the brightness and the wavelength of the LED.
【技术实现步骤摘要】
一种LED制备方法、LED和芯片
本专利技术涉及发光二极管(Light-EmittingDiode,简称LED)
,尤其涉及一种LED制备方法、LED和芯片。
技术介绍
III-V族半导体材料在发光照明、太阳电池及大功率器件等领域得到了广泛地的应用,尤其以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料,受到了科研界及产业界的广泛关注,而且GaN是制造蓝绿光LED最主要的材料,在产业界开始全面地推行。目前,InN的禁带宽度较窄,因此InGaN中In的含量多少决定LED的发光波长颜色,InGaN绿光LED的波长较长,因此在外延生长过程中,有源区的生长需要较低的温度获得较高含量的In组分,在生长过程中较低的生长温度会使原子在表面的扩散能力变差。因此,在实际生产过程中,将InGaN绿光LED外延在同一炉次生长中,会产生亮度及波长一致性较差的问题。因此,现有技术中的LED亮度和波长的均匀性较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种LED制备方法,LED和芯片,以提高LED亮度和波长的均匀性。本专利技术实施例提供一种LED制备方法,包括:在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层;在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构,其中,所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层,其中,M为大于等于10的整数;对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理,其中,Q为小于等于M的整数;在所述量子阱结构上生长在所述P型氮化镓层。在本专利技术一实施例中,所述对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分 ...
【技术保护点】
一种LED制备方法,其特征在于,包括:在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层;在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构,其中,所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层,其中,M为大于等于10的整数;对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理,其中,Q为小于等于M的整数;在所述量子阱结构上生长在所述P型氮化镓层。
【技术特征摘要】
1.一种LED制备方法,其特征在于,包括:在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层;在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构,其中,所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层,其中,M为大于等于10的整数;对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理,其中,Q为小于等于M的整数;在所述量子阱结构上生长在所述P型氮化镓层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理,包括:在第i个量子阱层开始生长时,调节预设温度属于预设温度区间,预设压力属于预设压力区间,通入镓源化合物、铟源化合物、氨气和氮气,其中,i为小于等于Q的整数;在所述第i个量子阱层生成一半时,保持预设温度,预设压力,在预设时间段内停止通入镓源化合物;对所述量子阱层进行低压分离处理,所述预设时间段属于预设时间区间;在所述第i个量子阱层生长完成之前,保持预设温度,预设压力,继续通入镓源化合物,生成所述第i个量子阱层。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述Q个量子阱结构为所述M个量子阱结构中,最后生成的Q个量子阱结构。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理,包括:在所述Q个量子阱结构中的每一个量子阱层的开始生长时,调节预设温度属于预设温度区间,预设压力属于预设压力区间,通入镓源化合物、铟源化合物、氨气和氮气,生成所述每一个量子阱层;在所述每一个量子阱层生成之后,在第一时间段内...
【专利技术属性】
技术研发人员:腾龙,霍丽艳,黄小辉,周德保,康建,梁旭东,
申请(专利权)人:圆融光电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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